对比文件的名称：1999-08-31_None_发明专利_JPH11237744A Device and method for exposure
目标专利的名称：1679透明光掩模及其制造方法及用其形成导电网格图案的方法CN106462087B
本次调用的模型名称：AI专利分析模型
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：1)在基板上形成第一光敏材料层《直接公开》 | 段落[0001]：“感光材の層を表面に備えた基板”。译文：“在表面具备感光材料层的基板” <br> 段落[0039]：“上記基板上の第１の感光層”。译文：“上述基板上的第一感光层” | 对比文件明确记载在基板表面形成感光材料层（即光敏材料层），并在方法中指定了第一感光层。该步骤的作用是形成可图案化的光敏层，与目标专利步骤1)的作用完全相同。本领域技术人员能毫无疑义地确定其公开了技术特征A。 |
| 技术特征I：其中，步骤1)中的所述基板包括配置在其一个表面上的导电层，以及步骤5)是通过蚀刻所述导电层上未形成所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的部分来制造导电网格图案的步骤（未公开） | 对比文件未记载基板包括导电层。段落[0045]仅提及“ガラス基板”，未提及预先形成的导电层。段落[0001]和[0039]均未涉及基板包含导电层。 | 目标专利明确要求基板在其一个表面上配置有导电层，以便后续蚀刻导电层形成导电网格。对比文件未公开在基板上预先形成导电层的步骤，也未将基板定义为包含导电层的结构，本领域技术人员不能直接或隐含得出该特征。 |
| 技术特征J：还包括：在步骤6)之后，蚀刻所述基板上未形成所述导电网格图案的部分（未公开） | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未描述在去除光刻胶后进一步蚀刻基板以形成母模的工艺，也未公开“导电网格图案”的概念，因此未公开该特征。 |
| 技术特征L：还包括：在步骤4)之后，在具有所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的所述基板上形成第三光敏材料层《隐含公开》 | 段落[0038]：“上記フォトマスクの直線状のパターンと並行した方向または異なる方向に複数回繰り返し行なう転写工程、上記基板上の光学的にネガタイプまたはポジタイプの感光層を成膜する成膜工程、および、現像、エッチング、その他目的とする材料による薄膜を成形する薄膜成形工程などの薄膜成形工程の各工程を組合せることにより、上記基板上に目的とする材料によって平面的または立体的に複合したパターンが形成される。”译文：“将光掩模的直线图案向基板转印时，沿与直线图案平行或不同方向重复多次进行的转印工序、在基板上形成光学负型或正型感光层的成膜工序、以及显影、蚀刻、其他由目标材料成形薄膜的薄膜成形工序等各工序组合，在基板上由目标材料形成平面或立体复合图案。” | 对比文件明确提及可以重复进行转印工序和感光层成膜工序，从而在基板上形成复合图案。本领域技术人员可合理推断，在已经形成第一和第二光敏材料图案层之后，可以再次形成第三光敏材料层，以进一步图案化。因此，技术特征L被隐含公开。 |
| 技术特征N：所述透明光掩模具有线宽为100nm以上900nm以下的凹入网格图案（未公开） | 对比文件未公开透明光掩模具有凹入网格图案，也未公开线宽在亚微米范围。段落[0055]仅提及光掩模与基板保持间隙，未描述凹入网格结构。 | 目标专利的透明光掩模是专门由母模复制得到的具有凹入网格图案的掩模，其线宽为亚微米级。对比文件仅涉及传统光掩模，无凹入网格图案，更无线宽范围限定。 |
| 技术特征O：其中，所述凹入网格图案的深度是50nm以上10μm以下（未公开） | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未提及凹入网格图案的深度数值，该特征未被公开。 |
| 技术特征P：其中，所述凹入网格图案的间距是2μm以上500μm以下（未公开） | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开凹入网格图案的间距范围。 |
| 技术特征Q：其中，所述透明光掩模包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、环烯烃共聚物(COP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或它们的共聚物中的至少一种（未公开） | 对比文件未公开此类柔性聚合物材料。段落[0049]仅提及“透明なガラス基板”，即透明玻璃基板。 | 目标专利的透明光掩模由特定柔性聚合物制成，以用于相移光刻和柔性接触。对比文件的光掩模是传统玻璃材料，因此未公开该材料特征。 |
| 技术特征R：还包括：不透明图案层，所述不透明图案层配置在刻有所述凹入网格图案的所述透明光掩模的表面上（未公开） | 对比文件未记载在光掩模表面额外配置不透明图案层。对比文件的光掩模自身具有不透明图案（如铬），但并非在凹入网格图案的透明光掩模上附加不透明层。 | 目标专利的不透明图案层是附加在已制成的凹入网格透明光掩模上，用于形成路由器图案等功能。对比文件未公开此结构。 |
| 技术特征S：其中，所述不透明图案层的图案是路由器图案（未公开） | 对比文件无相关记载。 | 未公开。 |
| 技术特征T：其中，所述不透明图案层包括金属或碳类材料（未公开） | 对比文件无相关记载。 | 未公开。 |
| 技术特征U：包括：中空圆柱形基板（未公开） | 对比文件未公开中空圆柱形基板。其曝光装置使用平板基板。 | 目标专利涉及卷对卷工艺的圆柱形模具，对比文件无任何柱状结构。 |
| 技术特征B：2)通过使刻有线形图案的透明光掩模与所述第一光敏材料层的上表面接触形成第一光敏材料图案层（未公开） | 段落[0055]：“フォトマスク１０Ａは、基板１Ａに対して、接触しない僅かな隙間（０．０５〜０．５ｍｍ）を保つように設けられている。”译文：“光掩模10A与基板1A保持不接触的微小间隙（0.05～0.5mm）。” <br> 段落[0001]提及将光掩模“近接”配置于基板。 | 对比文件明确公开了光掩模与光敏层不接触，而是保持微小间隙，这与技术特征B要求的“接触”直接矛盾。本领域技术人员根据对比文件的教导只会采用接近式曝光，而不会想到使用接触式曝光。因此，技术特征B未被直接或隐含公开。 |
| 技术特征K：去除所述导电网格图案（未公开） | 对比文件无相关内容。 | 未公开。 |
| 技术特征M：在所述基板上形成第三光敏材料图案层《隐含公开》 | 段落[0038]（同上）提到可重复进行转印工序和感光层成膜工序，形成复合图案。 | 对比文件公开了可多次重复图案转印，本领域技术人员可合理推断在形成第三光敏材料层后，通过曝光、显影等步骤可形成第三光敏材料图案层。因此技术特征M被隐含公开。 |
| 技术特征V：配置在所述基板的外周面上的包覆层，所述包覆层具有线宽为100nm以上900nm以下的凹入网格图案（未公开） | 对比文件无相关内容。 | 未公开。 |
| 技术特征C：3)在具有所述第一光敏材料图案层的所述基板上形成第二光敏材料层《直接公开》 | 段落[0039]：“転写パターンが顕在化した上記第１の感光層の上に第２の感光層を形成し”。译文：“在转印图案已显影化的第一感光层上形成第二感光层。” | 对比文件明确记载在第一感光层（即第一光敏材料图案层显露后）上形成第二感光层。该步骤的作用是在已图案化的层上重新涂覆光敏材料以便进行第二次曝光，与目标专利步骤3)完全相同。因此直接公开。 |
| 技术特征W：配置在所述圆柱形基板内部的紫外灯（未公开） | 对比文件无相关记载。 | 未公开。 |
| 技术特征D：4)使刻有所述线形图案的所述透明光掩模与所述第二光敏材料层的上表面接触，使得所述第一光敏材料图案层的线形图案与所述透明光掩模的所述线形图案交叉而在所述基板上形成第二光敏材料图案层（未公开） | 段落[0039]：“上記第１の直線状のパターンに直交する方向に伸びる第２の直線状のパターンを露光によって、上記第２の感光層に転写し”。译文：“通过曝光将向与第一直线图案正交方向延伸的第二直线图案转印到第二感光层。” <br> 段落[0088]：“基板を９０°回転させて、同様に露光処理を行ない、基板に格子状パターンを形成することも可能である。”译文：“也可以将基板旋转90°进行同样的曝光处理，在基板上形成格子状图案。” <br> 段落[0055]仍强调不接触。 | 对比文件公开了通过正交曝光形成交叉图案的思想，但始终采用非接触的接近式曝光。技术特征D明确要求“接触”，对比文件技术方案与接触相反，故不能认为公开。此外，对比文件未明确透明光掩模的刻线图案与第一图案层交叉时的具体接触方式，也未提及使用同一透明光掩模进行两次曝光（可能用不同掩模或旋转基板）。因此未公开。 |
| 技术特征E：5)蚀刻所述基板上未形成所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的部分《隐含公开》 | 段落[0038]：“現像、エッチング、その他目的とする材料による薄膜を成形する薄膜成形工程”。译文：“显影、蚀刻、其他由目标材料成形薄膜的薄膜成形工序。” <br> 段落[0039]：“現像、エッチング等の工程を経て、目的とする材料によるパターン形成”。译文：“经过显影、蚀刻等工序，形成由目标材料构成的图案。” | 对比文件在描述多次转印和层叠工艺时明确提到了蚀刻工序。在形成第一和第二光敏材料图案层后，本领域技术人员公知需要通过蚀刻将图案转移到基板（或下层材料）上去除未保护部分。虽然对比文件未详细描述蚀刻的具体对象和时机，但基于常规光刻工艺，可以合理推断在两层光刻胶显影后必然进行蚀刻。因此技术特征E被隐含公开。 |
| 技术特征F：6)通过去除所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层制造具有凸出网格图案的母模（未公开） | 对比文件未公开母模概念及去除光刻胶后用于模具的目的。段落[0039]仅得到格子图案，但该图案是最终产品的一部分，并非母模。 | 目标专利的步骤6是特定的母模制造步骤，利用凸出网格图案作为模具。对比文件未涉及模具制造，其得到的图案直接用于最终器件（如电极）。 |
| 技术特征G：7)在所述母模上形成透明树脂层（未公开） | 对比文件无相关内容。 | 未公开。 |
| 技术特征H：8)从所述母模上去除所述透明树脂层（未公开） | 对比文件无相关内容。 | 未公开。 |
根据上述比对结果，对比文件直接公开了技术特征A和C；隐含公开了技术特征E、L、M。其他技术特征未被公开。
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