对比文件名称：WO2013158543A1（METHODS FOR MAKING MICRO- AND NANO-SCALE CONDUCTIVE GRIDS FOR TRANSPARENT ELECTRODES AND POLARIZERS BY ROLL TO ROLL OPTICAL LITHOGRAPHY）
目标专利名称：透明光掩模及其制造方法及用其形成导电网格图案的方法（CN106462087B）
本次调用的模型名称：GPT-4
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：1)在基板上形成第一光敏材料层。《直接公开》 | 对比文件[0036]：“使包括导电材料层的基底通过，该基底上设有辐射敏感材料”。[0076]：“正型i线光刻胶被旋涂在包括导电金属层的基底上”。 | 对比文件公开了在基板上形成光敏材料层（相当于第一光敏材料层），该特征被直接公开。 |
| 技术特征B：2)通过使刻有线形图案的透明光掩模与所述第一光敏材料层的上表面接触形成第一光敏材料图案层。《直接公开》 | 对比文件[0036]：“在辊式装置的刚性图案表面下通过……辐射通过图案表面的一个或多个区域以固化光刻胶的预设区域”。[0073]：“光掩模图案表面与基底轻微接触”。[0044]：“相位掩模或光掩模具有线形图案”。 | 对比文件公开了使用刻有线形图案的透明光掩模（辊式相位掩模或光掩模）与光刻胶接触并曝光，形成图案层，因此特征B直接公开。 |
| 技术特征C：3)在具有所述第一光敏材料图案层的所述基板上形成第二光敏材料层。《不公开》 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件仅使用单层光刻胶，未公开在已形成图案的基板上再次涂覆第二光敏材料层，本领域技术人员无法直接或间接得出该特征，故不公开。 |
| 技术特征D：4)使刻有所述线形图案的所述透明光掩模与所述第二光敏材料层的上表面接触，使得所述第一光敏材料图案层的线形图案与所述透明光掩模的所述线形图案交叉而在所述基板上形成第二光敏材料图案层。《不公开》 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件未公开两次涂覆和两次正交曝光的过程，因此不公开。 |
| 技术特征E：5)蚀刻所述基板上未形成所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的部分。《不公开》 | 对比文件[0037]公开蚀刻去除未固化光刻胶及其下方的导电层，但未提及蚀刻基板本身形成结构。 | 特征E要求蚀刻基板（如石英），对比文件主要蚀刻导电层，未明确蚀刻基板本身，故不公开。 |
| 技术特征F：6)通过去除所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层制造具有凸出网格图案的母模。《不公开》 | 对比文件[0075]在硅母模上形成PUA模具，而非通过去除光刻胶层制造母模。 | 对比文件制造模具的方法不同，不是通过去除图案层得到凸出网格，故不公开。 |
| 技术特征G：7)在所述母模上形成透明树脂层。《直接公开》 | 对比文件[0075]：“将UV可固化PUA预聚物滴在硅母模上……然后UV固化……”。 | 对比文件公开了在母模（硅母模）上形成透明树脂层（PUA），相当于特征G，直接公开。 |
| 技术特征H：8)从所述母模上去除所述透明树脂层。《直接公开》 | 对比文件[0075]：“将PUA模具从母模上剥离”。 | 对比文件公开了从母模上去除透明树脂层（剥离PUA模具），直接公开。 |
| 技术特征I：其中，步骤1)中的所述基板包括配置在其一个表面上的导电层，以及步骤5)是通过蚀刻所述导电层上未形成所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的部分来制造导电网格图案的步骤。《不公开》 | 对比文件[0036]公开了基板包含导电层，并蚀刻导电层形成网格，但只涉及单层图案。 | 特征I要求步骤5对应于第一、第二两个图案层，对比文件只有单层，无法对应，故不公开。 |
| 技术特征J：还包括：在步骤6)之后，蚀刻所述基板上未形成所述导电网格图案的部分。《不公开》 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件无此步骤，不公开。 |
| 技术特征K：去除所述导电网格图案。《不公开》 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件保留导电网格作为电极，未去除，不公开。 |
| 技术特征L：还包括：在步骤4)之后，在具有所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的所述基板上形成第三光敏材料层。《不公开》 | 对比文件无相关公开内容。 | 不公开。 |
| 技术特征M：在所述基板上形成第三光敏材料图案层。《不公开》 | 对比文件无相关公开内容。 | 不公开。 |
| 技术特征N：所述透明光掩模具有线宽为100nm以上900nm以下的凹入网格图案。《隐含公开》 | 对比文件[0075]制造了PUA透明光掩模（相位掩模），其线宽根据[0078]为250nm（底部），属于100-900nm范围。且从硅母模复制通常得到凹入图形。[0087]进一步给出网格图案。 | 对比文件公开了透明光掩模（相位掩模）具有网格图案且线宽在范围内；虽未明确凹入，但本领域技术人员可合理推断从母模复制可形成凹入图案，因此隐含公开特征N。 |
| 技术特征O：其中，所述凹入网格图案的深度是50nm以上10μm以下。《隐含公开》 | 对比文件[0087]：“PUA相位掩模高度为375nm”，在50nm-10μm范围内。 | 对比文件公开了图案高度（对应于凹入深度）为375nm，结合凹入网格图案的隐含公开，深度数值范围被隐含公开。 |
| 技术特征P：其中，所述凹入网格图案的间距是2μm以上500μm以下。《隐含公开》 | 对比文件[0080]公开10μm、30μm、50μm、70μm周期，[0087]公开30μm周期，均在2-500μm范围。 | 对比文件公开了网格间距数值，结合凹入网格图案的隐含公开，间距范围被隐含公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述透明光掩模包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、环烯烃共聚物(COP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或它们的共聚物中的至少一种。《直接公开》 | 对比文件[0075]使用了UV可固化PUA预聚物（聚氨酯丙烯酸酯），并提及PDMS作为缓冲层。 | 对比文件直接公开了PUA（属于列表中材料）用于透明光掩模，因此特征Q直接公开。 |
| 技术特征R：还包括：不透明图案层，所述不透明图案层配置在刻有所述凹入网格图案的所述透明光掩模的表面上。《不公开》 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件未在透明光掩模上附加不透明图案层，不公开。 |
| 技术特征S：其中，所述不透明图案层的图案是路由器图案。《不公开》 | 对比文件无相关公开内容。 | 不公开。 |
| 技术特征T：其中，所述不透明图案层包括金属或碳类材料。《不公开》 | 对比文件无相关公开内容。 | 不公开。 |
| 技术特征U：包括：中空圆柱形基板。《直接公开》 | 对比文件[0077]：“使用直径90mm的中空石英圆柱作为辊式装置的核心”。 | 对比文件直接公开中空圆柱形基板，特征U直接公开。 |
| 技术特征V：配置在所述基板的外周面上的包覆层，所述包覆层具有线宽为100nm以上900nm以下的凹入网格图案。《隐含公开》 | 对比文件[0077]公开了“刚性图案外层”（PUA层）和“缓冲层”作为包覆层，且该刚性图案层具有线宽在100-900nm范围内的网格图案（如特征N所述）。 | 对比文件公开了包覆层具有网格图案且线宽可在范围内；虽然未明确凹入，但本领域技术人员可以合理推断通过适当的母模复制可得到凹入图案，因此隐含公开特征V。 |
| 技术特征W：配置在所述圆柱形基板内部的紫外灯。《直接公开》 | 对比文件[0077]：“UV光源安装在中空石英圆柱内部”。 | 对比文件直接公开内部紫外灯，特征W直接公开。 |
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