A 在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层

B 使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型

C 通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层

D 形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层

E 所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分

F 所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成

G 所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成

H 所述第一部分位于所述第二部分之间

I 所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻

J 在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层

K 在所述低浓度发射层上形成绝缘层

L 在所述绝缘层上形成第一电极

M 所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层

N 在所述半导体基板的背面处形成背面场层

O 使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型

P 通过热扩散工艺形成所述背面场层

Q 在所述背面场层上形成钝化膜

R 在所述钝化膜上形成第二电极

S 所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层。