**对比文件名称**：2000-07-18_US6091021A_发明授权_US6091021A Silicon cells made by self-aligned selective-emitter plasma-etchback process
**目标专利名称**：1744太阳能电池及其制造方法CN103390659B
**本次调用的模型名称**：深度思考专业模型（AI）
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A（直接公开）**：在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层 | 在“SASE 等离子体回蚀”部分，描述：“由于蚀刻而变得轻掺杂的区域，在图1(c)中标记为n+，位于栅线之间。这些区域表现出降低的发射极复合……”（对应英文：Regions that are more lightly doped as a consequence of the etching having been performed, shown as n+ in FIG. 1(c), are found between the gridlines. They exhibit reduced emitter recombination...）在实施例中，通过蚀刻将发射极薄层电阻从50Ω/平方提高到100Ω/平方。 | 对比文件明确公开了在栅线之间形成轻掺杂的发射区（n+），其薄层电阻高于栅线下方的重掺杂区，对应于目标专利的低浓度发射层，因此直接公开。 |
| **技术特征B（直接公开）**：使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型 | 在“SASE 等离子体回蚀”部分开头：“将磷重扩散到多晶硅基板的顶表面，形成高掺杂的发射极区域，在图1中标记为n++。”基板为p型，发射极通过磷掺杂形成n型。 | 对比文件基板为p型，发射极（包括低浓度部分）为n型，导电类型相反，因此直接公开。 |
| **技术特征C（未公开）**：通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层 | 在“SASE 等离子体回蚀”部分：“然后使用等离子体蚀刻回蚀发射极……选择性地去除栅线之间的磷掺杂硅。” | 对比文件通过等离子体蚀刻减薄重掺杂层来形成低浓度发射层，而非直接通过热扩散工艺形成，因此未公开。 |
| **技术特征D（直接公开）**：形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层 | 在“SASE 等离子体回蚀”部分：“重掺杂区域仅保留在栅线下方，这些区域需要较低的接触电阻和接触复合。”初始重掺杂层薄层电阻为50Ω/平方，低于轻掺杂区域的100Ω/平方。 | 对比文件公开了栅线下方保留的重掺杂区域，其电阻低于栅线之间的轻掺杂区域，对应高浓度发射层，因此直接公开。 |
| **技术特征E（未公开）**：所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分 | 对比文件未将高浓度发射层进一步划分为不同电阻的部分。栅线下方的重掺杂区域是均匀的。 | 对比文件未公开高浓度发射层包括具有不同电阻的第一部分和第二部分，因此未公开。 |
| **技术特征F（未公开）**：所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成 | 对比文件没有使用激光束或玻璃组成层进行掺杂。仅使用等离子体蚀刻工艺。 | 对比文件未公开使用激光束照射玻璃组成层形成高浓度部分，因此未公开。 |
| **技术特征G（未公开）**：所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成 | 同特征F，对比文件无激光步骤。 | 未公开。 |
| **技术特征H（未公开）**：所述第一部分位于所述第二部分之间 | 对比文件没有第一部分和第二部分的结构。 | 未公开。 |
| **技术特征I（未公开）**：所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻 | 对比文件未区分不同电阻的部分。 | 未公开。 |
| **技术特征J（隐含公开）**：在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层 | 对比文件在热扩散形成重掺杂层后，未明确提及去除玻璃组成层。但本领域公知，热扩散磷或硼后会在表面形成磷硅玻璃（PSG）或硼硅玻璃（BSG），通常需要去除以进行后续工艺。在实施例中，扩散后直接进行栅线印刷，可合理推断进行了去除步骤。 | 虽然对比文件未明确记载，但基于太阳能电池制造常识，热扩散后形成的玻璃层必须去除，否则影响金属接触。本领域技术人员可合理推断对比文件方法中包含了去除玻璃组成层的步骤，因此隐含公开。 |
| **技术特征K（直接公开）**：在所述低浓度发射层上形成绝缘层 | 在“SASE 等离子体回蚀”部分最后：“可以在发射极表面沉积PECVD氮化硅薄膜。”在“SASE 等离子体回蚀带纹理”部分同样提到：“沉积PECVD氮化硅层用于保护硅表面并提供减反射涂层。” | 对比文件公开了在低浓度发射层上沉积PECVD氮化硅作为绝缘层，因此直接公开。 |
| **技术特征L（未公开）**：在所述绝缘层上形成第一电极 | 对比文件中，第一电极（栅线）在沉积氮化硅之前形成，如：“通过丝网印刷银浆等标准技术施加金属栅线。” | 对比文件中的电极形成在发射极上、绝缘层沉积之前，而非形成在绝缘层上，因此未公开。 |
| **技术特征M（未公开）**：所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层 | 对比文件中，电极直接接触高浓度发射层，绝缘层沉积在电极和发射极表面，电极并未穿过绝缘层。 | 对比文件未公开电极穿过绝缘层连接高浓度发射层的结构，因此未公开。 |
| **技术特征N（未公开）**：在所述半导体基板的背面处形成背面场层 | 对比文件未提及背面场层（BSF）。在实施例中仅提到“背面金属化”，未描述形成背面场层。 | 对比文件未公开形成背面场层，因此未公开。 |
| **技术特征O（未公开）**：使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型 | 对比文件未公开背面场层，故无相关公开。 | 未公开。 |
| **技术特征P（未公开）**：通过热扩散工艺形成所述背面场层 | 对比文件未公开背面场层，故无相关公开。 | 未公开。 |
| **技术特征Q（未公开）**：在所述背面场层上形成钝化膜 | 对比文件未公开背面钝化膜，仅正面有氮化硅。 | 未公开。 |
| **技术特征R（未公开）**：在所述钝化膜上形成第二电极 | 对比文件提到“背面金属化”，但未指明在钝化膜上形成第二电极。 | 未公开。 |
| **技术特征S（未公开）**：所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层 | 对比文件未公开背面场层和钝化膜结构，故无相关公开。 | 未公开。 |
| **技术特征T（未公开）**：其中，所述第二部分包括分别布置在所述第一部分的相对侧的区域 | 对比文件没有第一部分和第二部分的结构。 | 未公开。 |
| **技术特征U（未公开）**：其中，所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG | 对比文件未使用玻璃组成层作为掺杂源，虽扩散磷会产生PSG，但未明确公开玻璃组成层的材料，且未公开使用玻璃组成层进行激光掺杂。 | 对比文件未公开玻璃组成层包括PSG或BSG，且不涉及该材料在激光掺杂中的应用，因此未公开。 |
| **技术特征V（直接公开）**：该方法还包括以下步骤 | 对比文件公开了一种制造太阳能电池的方法，包括多个步骤，如热扩散、印刷栅线、等离子体蚀刻、沉积氮化硅等。在“SASE 等离子体回蚀”部分有详细流程描述。 | 对比文件公开了该方法包括多个步骤，因此直接公开“该方法还包括以下步骤”这一前序特征。 |
| **技术特征W（未公开）**：在所述绝缘层上方涂布电极组成层 | 对比文件中，电极组成层（银浆）涂布在发射极上，而非绝缘层上。例如：“通过丝网印刷银浆等标准技术施加金属栅线”在蚀刻前、绝缘层沉积前。 | 对比文件未公开在绝缘层上方涂布电极组成层，因此未公开。 |
| **技术特征X（直接公开）**：使所述电极组成层经受热处理 | 在实施例中，多次提到“栅线的印刷和烧制”。例如：“通过印刷和烧制栅线的标准生产线加工”。 | 对比文件公开了在印刷栅线后进行烧制热处理，因此直接公开“使电极组成层经受热处理”。 |
| **技术特征Y（未公开）**：使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述高浓度发射层的第一电极 | 对比文件中的烧制工艺使电极直接接触高浓度发射层，但未涉及烧穿工艺（因绝缘层在电极之后形成，无需烧穿）。 | 对比文件未公开烧穿工艺，且电极形成在绝缘层之前，因此未公开。 |
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