对比文件名称：2000-11-14_US6147297A_发明授权_US6147297A Solar cell having an emitter provided with a surface texture and a process for the fabrication thereof
目标专利名称：1744太阳能电池及其制造方法CN103390659B
模型名称：DeepSeek Chat
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| A: 在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层《直接公开》 | 对比文件在“DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS”部分中描述：在蚀刻后，“full-surface doping can ensue, this time with n+ dopants, yielding in this manner a novel emitter structure in which the emitter region lies under the edges of the respective rows of ribs.”（全表面掺杂，这次用n+掺杂剂，以这种方式产生一种新颖的发射极结构，其中发射极区域位于各排脊的棱边下方。） | 对比文件公开了在基体正面形成低浓度（n+）发射层，该层具有相对较高的电阻（低掺杂），因此直接公开了技术特征A。 |
| B: 使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型《直接公开》 | 对比文件背景部分提到PERL太阳能电池使用p型硅基体，发射极为n型。在工艺中，低浓度发射层通过n+掺杂形成，具有n型导电性，与p型基体相反。 | 对比文件明确公开了低浓度发射层（n+）具有与基体（p型）相反的导电类型，因此直接公开。 |
| C: 通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层《直接公开》 | 对比文件在形成n+层时指出“by diffusion of the dopants”（通过掺杂剂扩散），例如在“full-surface doping can ensue”的步骤中，扩散是典型工艺。 | 对比文件使用热扩散工艺形成低浓度发射层，直接公开。 |
| D: 形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层《直接公开》 | 对比文件在第一步中“the entire surface of the top side of the base material is doped n++”（基体材料顶面的整个表面被掺杂成n++），形成高掺杂低电阻区域。 | 对比文件公开了通过n++掺杂形成高浓度发射层，其电阻低于低浓度n+层，因此直接公开。 |
| E: 所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分《未公开》 | 对比文件未公开高浓度发射层内部分为不同电阻的第一部分和第二部分。对比文件中的高浓度区域（n++）是均匀的。 | 对比文件没有公开高浓度发射层包含两个不同电阻的部分，因此未公开。 |
| F: 所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成《未公开》 | 对比文件未提及使用激光束或玻璃组成层。 | 对比文件未公开任何利用激光照射玻璃层形成高浓度部分的方法，因此未公开。 |
| G: 所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成《未公开》 | 对比文件未提及。 | 同F，未公开。 |
| H: 所述第一部分位于所述第二部分之间《未公开》 | 对比文件未公开高浓度部分内的位置关系。 | 未公开。 |
| I: 所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻《未公开》 | 对比文件未公开高浓度部分内的电阻差异。 | 未公开。 |
| J: 在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层《未公开》 | 对比文件未提及玻璃组成层，也未提及去除该层的步骤。 | 未公开。 |
| K: 在所述低浓度发射层上形成绝缘层《直接公开》 | 对比文件描述：“For mechanical protection and for diminishing reflex, an oxide layer O is preferably applied full-surface over the produced surface texture (according to FIG. 6c).”（为了机械保护和减少反射，优选在所产生的表面纹理上方全表面施加氧化物层O（根据图6c）。） | 对比文件公开了在低浓度发射层上形成氧化物绝缘层，直接公开。 |
| L: 在所述绝缘层上形成第一电极《直接公开》 | 对比文件在形成氧化物层后，通过局部去除氧化物形成接触，并“For the production of electroplated contacts, electroplated contact elements are disposed according to FIG. 6e at these sites”（为了生产电镀接触，根据图6e在这些位置设置电镀接触元件），或者使用丝网印刷接触。 | 对比文件公开了在绝缘层上形成第一电极，直接公开。 |
| M: 所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层《直接公开》 | 对比文件在图6d中显示氧化物被局部去除直到暴露高掺杂区域，然后形成电极，因此电极穿过绝缘层连接高浓度发射层。 | 对比文件公开了电极延伸穿过绝缘层连接到高浓度发射层，直接公开。 |
| N: 在所述半导体基板的背面处形成背面场层《直接公开》 | 对比文件描述：“the base side of the solar cell facing the emitter side should be processed in the same manner, only with correspondingly inverted doping concentrations. ... a so-called high-doped BSF (back surface field) grid (GBSF) can be created.”（面向发射极侧的太阳能电池基体侧应以相同方式处理，仅掺杂浓度相应反转……可以形成所谓的高掺杂BSF（背面场）网格（GBSF）。） | 对比文件公开了在基体背面形成背面场层，直接公开。 |
| O: 使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型《直接公开》 | 对比文件公开背面场层为p+掺杂，基体为p型，导电类型相同。 | 直接公开。 |
| P: 通过热扩散工艺形成所述背面场层《直接公开》 | 对比文件在形成背面场层时使用扩散工艺，例如“p+ dopants by diffusion”。 | 直接公开。 |
| Q: 在所述背面场层上形成钝化膜《直接公开》 | 对比文件描述：“The entire back side can therefore either be vaporized with aluminum over an oxide”（因此整个背面可以在氧化物上蒸镀铝），表明背面有氧化物作为钝化膜。 | 对比文件公开了在背面场层上形成氧化物钝化膜，直接公开。 |
| R: 在所述钝化膜上形成第二电极《直接公开》 | 对比文件在背面电极形成中提到“vaporized with aluminum over an oxide”，即在钝化膜上形成铝电极。 | 直接公开。 |
| S: 所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层《直接公开》 | 对比文件背面接触类似发射极侧，需要开口以连接背面场层，因此电极穿过钝化膜。 | 直接公开。 |
| T: 所述第二部分包括分别布置在所述第一部分的相对侧的区域《未公开》 | 对比文件未公开。 | 未公开。 |
| U: 所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG《未公开》 | 对比文件未提及玻璃组成层。 | 未公开。 |
| V: 该方法还包括以下步骤《直接公开》 | 对比文件全文描述了制造太阳能电池的方法，包括多个步骤。 | 对比文件公开了该方法包括多个步骤，直接公开。 |
| W: 在所述绝缘层上方涂布电极组成层《隐含公开》 | 对比文件提到“use of so-called serigraphed contact sites”（使用所谓的丝网印刷接触点），丝网印刷需要涂布电极浆料。 | 丝网印刷工艺通常包括在绝缘层上涂布电极组成层，本领域技术人员可以合理推断，因此隐含公开。 |
| X: 使所述电极组成层经受热处理《隐含公开》 | 对比文件未明确提及热处理，但丝网印刷后必须进行烧结以去除有机成分并形成接触。 | 本领域技术人员知道丝网印刷后需要热处理，因此隐含公开。 |
| Y: 使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述高浓度发射层的第一电极《隐含公开》 | 对比文件虽然未明确提及烧穿，但丝网印刷接触通常通过烧穿工艺穿透绝缘层与掺杂层接触。 | 烧穿工艺是太阳能电池制造中的常用技术，本领域技术人员根据对比文件公开的丝网印刷接触可以合理推断采用烧穿工艺形成电极，因此隐含公开。 |
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