对比文件名称：2007-01-11_US2007007558A_发明申请_US20070007558A1 Light emitting diode package and method for making same；目标专利名称：1749发光模块CN102456681B；本次调用的模型名称：DeepSeek。
以下为特征比对表格，包含目标专利权利要求中所有技术特征的逐一比对（按特征A至Z顺序）。对于每个特征，第一栏给出技术特征描述及公开性判断结果（直接公开/隐含公开/未公开），第二栏引用对比文件相关内容（原文翻译成中文，并标注段落标号），第三栏进行公开性论述。
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文，带段落标号） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括金属板，所述金属板在其中形成有空腔<br>**《直接公开》** | [0054]：“在另一个实施例中，LED封装500包括一个片状散热器，该散热器形成有与PWB 10的一个或多个开口对准或配准的凹部，这里称为形成散热器520。”<br>“形成散热器520可以布置成形成用于放置一个或多个LED管芯40的凹穴或空腔。” | 对比文件明确公开了由金属材料（如铝或铜）构成的片状散热器（相当于金属板），该散热器具有凹部（即空腔）。该空腔用于容纳LED管芯，作用与目标专利中金属板空腔相同（用于安置发光器件）。因此，技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B**：在所述空腔上的氮化物绝缘基板<br>**《未公开》** | [0065]：“隔离器910由氮化铝（AlN）……等材料组成。”<br>[0062]：“隔离器910和LED管芯40组件设置在PWB 930的孔或腔中。” | 对比文件虽在另一实施例（图11-12）中公开了氮化物绝缘基板（隔离器910），但该基板位于PWB腔中，而非金属板自身的空腔中。目标专利特征B中的“空腔”特指特征A中金属板所形成的空腔，而对比文件未公开任何将氮化物绝缘基板置于金属板空腔中的结构，亦无任何教导或暗示，故未公开。 |
| **技术特征C**：在所述氮化物绝缘基板上的多个发光器件<br>**《未公开》** | 依赖特征B的公开性，若特征B未公开，则特征C相应未公开。 | 由于对比文件未公开氮化物绝缘基板在金属板空腔上，故特征C的前提不存在，未公开。 |
| **技术特征D**：在所述氮化物绝缘基板和所述多个发光器件之间的结合层<br>**《未公开》** | 依赖特征B和C的公开性。 | 同上，未公开。 |
| **技术特征E**：倒圆角，所述倒圆角包围所述氮化物绝缘基板的横向表面的一个部分<br>**《未公开》** | [0060]提及“焊料或环氧圆角315用于连接子板与母板”，但该圆角是用于连接两个板，并非包围绝缘基板。 | 对比文件未公开任何包围氮化物绝缘基板横向表面的倒圆角结构，且未提供任何有关倒圆角支撑绝缘基板的教导。因此，技术特征E未公开。 |
| **技术特征F**：引导突起，所述引导突起在所述金属板上包围所述空腔，其中所述引导突起包括非透射性无机材料<br>**《未公开》** | [0048]提及“反射器70”，但反射器为反射性材料，且通常为塑料、陶瓷或铝，并非非透射性无机材料。 | 对比文件未公开包围空腔的非透射性无机材料引导突起，其反射器作用为反射光而非吸收散射光，与该特征结构、功能均不同，故未公开。 |
| **技术特征G**：所述金属板上的绝缘层<br>**《直接公开》** | [0086]：“在步骤S1中，如图17A所示，提供一层用于将PWB组装2000的电连接与金属基座3000电隔离的绝缘层2500。”<br>“绝缘层2500可以包括PWB层。” | 对比文件明确公开了在金属基座（相当于金属板）上设置绝缘层（绝缘层2500），该绝缘层直接位于金属板上，起到电隔离作用，与目标专利中绝缘层在金属板上的结构及作用相同。因此，技术特征G被直接公开。 |
| **技术特征H**：基板焊盘，所述基板焊盘在所述绝缘层上被电连接到所述发光器件中的至少一个<br>**《直接公开》** | [0047]：“在PWB 10上设置一个或多个导体50，用于外部电连接以及通过线焊60实现与LED管芯40的电连接。” | 对比文件中的导体50位于PWB（含绝缘层）上，并通过线焊连接至LED管芯，相当于基板焊盘。该特征完全公开，且作用相同（实现电连接）。因此，技术特征H被直接公开。 |
| **技术特征I**：阻焊剂，所述阻焊剂暴露所述绝缘层上的所述基板焊盘<br>**《隐含公开》** | [0056]：“可选地，在形成散热器520与PWB导体50之间设置阻焊剂（solder mask）或其他绝缘层，以防止电连接。” | 对比文件明确提及使用阻焊剂，但未详细说明其是否暴露焊盘。然而，本领域公知阻焊剂的作用是覆盖非焊接区域而暴露焊盘，因此从对比文件使用阻焊剂的教导可合理推断出焊盘被暴露。故技术特征I被隐含公开。 |
| **技术特征J**：其中，所述氮化物绝缘基板具有比所述空腔的深度大的厚度，以及，其中，所述倒圆角被提供在所述空腔中并且支撑所述氮化物绝缘基板<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开氮化物绝缘基板厚度与空腔深度的比较关系，也未公开任何倒圆角支撑结构，故未公开。 |
| **技术特征K**：其中，所述基板焊盘在所述空腔和所述引导突起之间在所述金属板上被暴露<br>**《未公开》** | 依赖特征F（引导突起）的公开性。 | 对比文件未公开引导突起，故该特征所指的特定位置关系无法成立，未公开。 |
| **技术特征L**：其中，在所述基板焊盘被暴露的一侧处形成的所述引导突起和所述空腔之间的距离大于不存在所述基板焊盘的一侧处形成的所述引导突起和所述空腔之间的距离<br>**《未公开》** | 依赖特征F和K的公开性。 | 对比文件未公开引导突起及相应距离关系，故未公开。 |
| **技术特征M**：其中，所述阻焊剂具有非透射和非反射性质<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。 | 对比文件未提及阻焊剂的光学性质，更未教导其具有非透射和非反射特性，故未公开。 |
| **技术特征N**：其中，所述氮化物绝缘基板呈现170Kcal/m·h·℃或者更大的导热率<br>**《未公开》** | [0065]只提及“氮化铝（AlN）”，未给出导热率具体数值。 | 对比文件虽使用了氮化铝作为绝缘基板材料，但未指明其导热率必须达到170Kcal/m·h·℃或更大，本领域技术人员不能毫无疑义地得出该具体数值要求，故未公开。 |
| **技术特征O**：进一步包括在所述氮化物绝缘基板和相应的发光器件之间的多个焊盘，所述多个焊盘中的每个焊盘包括至少两个金属层<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。 | 对比文件中的LED管芯通过导电环氧或焊料直接附着在隔离器（AlN）上，未使用任何多层金属焊盘结构，故未公开。 |
| **技术特征P**：其中，所述至少两个金属层的最上层包括金或者包括金的合金层<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开任何焊盘结构，更未指定最上层材料，故未公开。 |
| **技术特征Q**：其中，所述至少两个金属层的总厚度在0.45μm到0.75μm的范围内<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开焊盘厚度范围，故未公开。 |
| **技术特征R**：其中，所述多个发光器件被顺序地布置成Z字形图案<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。 | 对比文件图3中LED管芯以成对方式排列，但未呈现Z字形图案，也未教导任何特定布置顺序，故未公开。 |
| **技术特征S**：其中，所述多个发光器件相互串联连接<br>**《未公开》** | [0047]提及“线焊60”，但未说明多个LED管芯之间的连接方式。 | 对比文件未明确多个LED管芯的电气连接关系（串联或并联），本领域技术人员无法从对比文件直接且毫无疑义地得出串联连接，故未公开。 |
| **技术特征T**：进一步包括齐纳二极管，所述齐纳二极管被并联连接到所述多个发光器件并且被设置在所述金属板上<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。 | 对比文件未提及齐纳二极管，故未公开。 |
| **技术特征U**：进一步包括温度传感器，所述温度传感器与所述多个发光器件电隔离并且呈现通过从所述多个发光器件发射的热而变化的电阻<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。 | 对比文件未提及温度传感器，故未公开。 |
| **技术特征V**：其中，所述温度传感器被设置在距所述空腔5mm或者更小的距离内<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开温度传感器，故未公开。 |
| **技术特征W**：其中，所述温度传感器被从所述引导突起向外设置<br>**《未公开》** | 依赖特征F和U的公开性。 | 对比文件未公开引导突起和温度传感器，故未公开。 |
| **技术特征X**：其中，所述温度传感器被安装在所述氮化物绝缘基板上<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开温度传感器安装在氮化物绝缘基板上，故未公开。 |
| **技术特征Y**：其中，所述温度传感器被掩埋在所述金属板的所述绝缘层中<br>**《未公开》** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开温度传感器掩埋在绝缘层中，故未公开。 |
| **技术特征Z**：其中，在所述绝缘层中掩埋的所述温度传感器被从所述引导突起向内设置<br>**《未公开》** | 依赖特征F、Y的公开性。 | 对比文件未公开引导突起和掩埋式温度传感器，故未公开。 |
根据上述比对，对比文件直接公开了技术特征A、G、H，隐含公开了技术特征I。其他技术特征均未公开。
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