**对比文件名称**：2009-06-11_US2009146584A_发明申请_US20090146584A1 BACKLIGHT ASSEMBLY, DISPLAY APPARATUS HAVING THE BACKLIGHT ASSEMBLY AND METHOD OF PREVENTING A CURRENT CONTROLLER OF THE BACKLIGHT ASSEMBLY FROM BEING SHU
**目标专利名称**：1749发光模块CN102456681B
**本次调用的模型名称**：资深专利代理师模型（AI）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 特征A：包括金属板，所述金属板在其中形成有空腔。 **未公开** | 无对应公开内容 | 对比文件仅公开驱动基板（100）为印刷电路板（PCB），未提及金属板，更未公开在金属板中形成空腔的结构。目标专利金属板（110）用于散热并具有空腔（150）以容纳发光器件封装，该结构在对比文件中完全缺失。 |
| 特征B：在所述空腔上的氮化物绝缘基板。 **未公开** | 无对应公开内容 | 对比文件未公开空腔，亦未公开氮化物绝缘基板。目标专利的氮化物绝缘基板（210）设置在空腔（150）中，具有高导热率，对比文件中的发光器件直接设置在驱动基板上，无此绝缘基板。 |
| 特征C：在所述氮化物绝缘基板上的多个发光器件。 **未公开** | 无对应公开内容 | 对比文件未公开氮化物绝缘基板，其发光器件（LED 200）设置在驱动基板（100）上，而非氮化物绝缘基板上。目标专利的发光器件（250）附着于焊盘部（220），焊盘部形成在氮化物绝缘基板上。 |
| 特征D：在所述氮化物绝缘基板和所述多个发光器件之间的结合层。 **未公开** | 无对应公开内容 | 对比文件未公开氮化物绝缘基板，也未公开任何位于绝缘基板与发光器件之间的结合层。目标专利的结合层（252）用于将发光器件固定在焊盘部上，该结构在对比文件中不存在。 |
| 特征E：倒圆角，所述倒圆角包围所述氮化物绝缘基板的横向表面的一个部分。 **未公开** | 无对应公开内容 | 对比文件未公开氮化物绝缘基板，也未公开任何倒圆角结构。目标专利的倒圆角（270）由结合膏形成，支撑绝缘基板，对比文件无类似描述。 |
| 特征F：引导突起，所述引导突起在所述金属板上包围所述空腔，其中所述引导突起包括非透射性无机材料。 **未公开** | 无对应公开内容 | 对比文件未公开金属板空腔，未公开引导突起。目标专利的引导突起（160）由非透射性无机材料（如氧化铝）制成，用于吸收散射光，对比文件无此结构。 |
| 特征G：所述金属板上的绝缘层。 **未公开** | 无对应公开内容 | 对比文件中的驱动基板（100）为PCB，其绝缘层为基板本身，但未提及金属板上的绝缘层。目标专利的绝缘层（140）直接形成在金属板（110）上，对比文件无金属板，故无此特征。 |
| 特征H：基板焊盘，所述基板焊盘在所述绝缘层上被电连接到所述发光器件中的至少一个。 **未公开** | 无对应公开内容 | 对比文件虽公开了输入图案（720）和热传输图案（710）用于电连接，但这些图案位于控制基板（700）上，而非金属板上的绝缘层。目标专利的基板焊盘（135）位于金属板上的绝缘层（140）上，并通过引线连接发光器件，对比文件无对应结构。 |
| 特征I：阻焊剂，所述阻焊剂暴露所述绝缘层上的所述基板焊盘。 **未公开** | 无对应公开内容 | 对比文件未提及阻焊剂。目标专利的阻焊剂（120）覆盖绝缘层并暴露焊盘，用于吸收散射光，对比文件无此公开内容。 |
| 特征J：其中，所述氮化物绝缘基板具有比所述空腔的深度大的厚度，以及，其中，所述倒圆角被提供在所述空腔中并且支撑所述氮化物绝缘基板。 **未公开** | 无对应公开内容 | 对比文件未公开氮化物绝缘基板、空腔及倒圆角，故无相关厚度关系或支撑结构。目标专利的绝缘基板厚度大于空腔深度，倒圆角提供支撑，对比文件无此特征。 |
| 特征K：其中，所述基板焊盘在所述空腔和所述引导突起之间在所述金属板上被暴露。 **未公开** | 无对应公开内容 | 对比文件未公开空腔、引导突起及基板焊盘在金属板上的暴露位置，故无此特征。 |
| 特征L：其中，在所述基板焊盘被暴露的一侧处形成的所述引导突起和所述空腔之间的距离大于不存在所述基板焊盘的一侧处形成的所述引导突起和所述空腔之间的距离。 **未公开** | 无对应公开内容 | 对比文件未公开引导突起、空腔及距离关系，故无此特征。 |
| 特征M：其中，所述阻焊剂具有非透射和非反射性质。 **未公开** | 无对应公开内容 | 对比文件未公开阻焊剂，更未公开其光学性质。目标专利的阻焊剂为黑色，具有低透射低反射性，用于光收集，对比文件无此内容。 |
| 特征N：其中，所述氮化物绝缘基板呈现170Kcal/m·h·℃或者更大的导热率。 **未公开** | 无对应公开内容 | 对比文件未公开氮化物绝缘基板，故无导热率数值。目标专利的氮化铝基板导热率≥170Kcal/m·h·℃，对比文件无此特征。 |
| 特征O：进一步包括在所述氮化物绝缘基板和相应的发光器件之间的多个焊盘，所述多个焊盘中的每个焊盘包括至少两个金属层。 **未公开** | 无对应公开内容 | 对比文件未公开氮化物绝缘基板，也未公开位于其上的焊盘层结构。目标专利的焊盘部（220）由多个金属层（如Ti/Ni/Au）构成，通过溅射形成，对比文件无此细节。 |
| 特征P：其中，所述至少两个金属层的最上层包括金或者包括金的合金层。 **未公开** | 无对应公开内容 | 对比文件未公开焊盘层结构，故无最上层材料内容。目标专利的第三金属层（224）为金或金合金，对比文件无此公开。 |
| 特征Q：其中，所述至少两个金属层的总厚度在0.45μm到0.75μm的范围内。 **未公开** | 无对应公开内容 | 对比文件未公开焊盘层厚度。目标专利的焊盘总厚度为0.45-0.75μm，对比文件无此数值。 |
| 特征R：其中，所述多个发光器件被顺序地布置成Z字形图案。 **未公开** | 无对应公开内容 | 对比文件公开的LED串为矩阵或线性排列，未公开Z字形布置。目标专利的图8示出Z字形图案（焊盘部交替相对），对比文件无此图案。 |
| 特征S：其中，所述多个发光器件相互串联连接。 **直接公开** | 对比文件[0057]段：“LED strings 210 of the plurality of LED strings 210 may include a row of the LEDs 200 connected in electrical series to one another.” （多个LED串210中的LED串210可以包括一行LED 200，它们相互串联连接。） | 对比文件明确公开了多个LED（发光器件）相互串联连接成串，该特征与目标专利特征S实质相同。目标专利中发光器件（250）通过引线串联，对比文件虽未指定连接方式，但串联连接的本质相同，且本领域技术人员可毫无疑义地确定该技术特征。 |
| 特征T：进一步包括齐纳二极管，所述齐纳二极管被并联连接到所述多个发光器件并且被设置在所述金属板上。 **未公开** | 无对应公开内容 | 对比文件未公开齐纳二极管。目标专利的齐纳二极管（170）用于反向电压保护，对比文件无此元件。 |
| 特征U：进一步包括温度传感器，所述温度传感器与所述多个发光器件电隔离并且呈现通过从所述多个发光器件发射的热而变化的电阻。 **未公开** | 无对应公开内容 | 对比文件公开的热分布器（600）包括正温度系数热敏电阻，但热分布器串联在LED串与电流控制器之间，并非与发光器件电隔离。目标专利的温度传感器（180）与发光器件电隔离，独立检测温度，对比文件的热分布器通过消耗功率来散热，不是电隔离的传感器，故未公开。 |
| 特征V：其中，所述温度传感器被设置在距所述空腔5mm或者更小的距离内。 **未公开** | 无对应公开内容 | 对比文件未公开空腔，亦未公开温度传感器距离空腔的距离。目标专利的温度传感器靠近空腔设置，对比文件无此内容。 |
| 特征W：其中，所述温度传感器被从所述引导突起向外设置。 **未公开** | 无对应公开内容 | 对比文件未公开引导突起，故无温度传感器相对于引导突起的位置。目标专利的温度传感器设置在引导突起外侧，对比文件无此特征。 |
| 特征X：其中，所述温度传感器被安装在所述氮化物绝缘基板上。 **未公开** | 无对应公开内容 | 对比文件未公开氮化物绝缘基板，故无温度传感器安装在其上的结构。目标专利的第三实施例中温度传感器（180A）安装在绝缘基板上，对比文件无此内容。 |
| 特征Y：其中，所述温度传感器被掩埋在所述金属板的所述绝缘层中。 **未公开** | 无对应公开内容 | 对比文件未公开金属板上的绝缘层，也未公开温度传感器掩埋在绝缘层中的结构。目标专利的第四实施例中温度传感器（180B）掩埋在绝缘层中，对比文件无此特征。 |
| 特征Z：其中，在所述绝缘层中掩埋的所述温度传感器被从所述引导突起向内设置。 **未公开** | 无对应公开内容 | 对比文件未公开绝缘层、引导突起及温度传感器的相对位置。目标专利的第四实施例中温度传感器位于引导突起内侧，对比文件无此内容。 |
基于上述比对，仅技术特征S被对比文件直接公开。
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