对比文件名称：2012-07-19_US2012180860A_发明申请_US20120180860A1 SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
目标专利名称：1750太阳能电池及其制造方法CN103700713B
本次调用的模型名称：GPT-4
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| A: 所述太阳能电池包括《直接公开》 | [0047] “As shown in FIG. 1, a solar cell 11 according to an example embodiment of the invention includes a substrate 110, an emitter region 121...” 翻译：如图1所示，根据本发明示例实施例的太阳能电池11包括基板110、发射极区121... | 对比文件明确公开了太阳能电池11，包括基板、发射极、钝化层、电极等部件，因此技术特征A被直接公开。 |
| B: 所述半导体基板《直接公开》 | [0048] “The substrate 110 is a semiconductor substrate formed of a semiconductor such as first conductive type silicon, for example, p-type silicon, though not required.” 翻译：基板110是由半导体（例如第一导电类型硅，比如p型硅）形成的半导体基板，但不是必需的。 | 对比文件明确公开了半导体基板110，因此技术特征B被直接公开。 |
| C: 所述p型导电区域形成在所述半导体基板处《直接公开》 | [0047] “a plurality of field regions (i.e., back surface field (BSF) regions) 172 which are selectively positioned at the back surface of the substrate 110.” 以及[0096] “Each of the plurality of BSF regions 172 ... is a region (for example, a p+-type region) that is more heavily doped than the substrate 110 with impurities of the same conductive type as the substrate 110.” 翻译：多个场区（即背表面场区）172选择性地位于基板110的背表面...每个BSF区域是比基板110更重掺杂有与基板相同导电类型杂质的区域（例如p+型区域）。 | 对比文件中的BSF区域是p型导电区域，形成在半导体基板处（背表面），因此技术特征C被直接公开。 |
| D: 所述p型导电区域包括p型杂质《直接公开》 | 同上[0096] “p+-type region”以及“impurities of the same conductive type as the substrate 110”，基板为p型，所以p型杂质。 | BSF区域为p+型，含有p型杂质，因此技术特征D被直接公开。 |
| E: 所述钝化膜形成在所述p型导电区域上《直接公开》 | [0080] “The passivation layer 190 positioned on the textured back surface of the substrate 110 includes a first passivation layer 191 positioned on the textured back surface of the substrate 110 and a second passivation layer 192 positioned on the first passivation layer 191.” 翻译：位于基板110的纹理化背表面上的钝化层190包括位于基板110的纹理化背表面上的第一钝化层191和位于第一钝化层191上的第二钝化层192。 | 钝化层190形成在基板背表面，而BSF区域位于背表面，因此钝化膜形成在p型导电区域（BSF区域）上，技术特征E被直接公开。 |
| F: 所述钝化膜包括铝氧化物《直接公开》 | [0081] “The first passivation layer 191 may be formed of silicon oxide (SiOx) or aluminum oxide (AlxOy).” 翻译：第一钝化层191可以由硅氧化物（SiOx）或铝氧化物（AlxOy）形成。 | 对比文件公开了钝化膜（第一钝化层）可包括铝氧化物，因此技术特征F被直接公开。 |
| G: 所述抗反射膜形成在所述钝化膜上《未公开》 | 无直接对应。对比文件[0064]公开抗反射层130位于发射极区121上，而非钝化膜上；钝化膜190位于背面，抗反射层130位于正面，二者不直接接触。 | 对比文件没有公开抗反射膜形成在钝化膜上，也没有任何暗示或教导，因此技术特征G未公开。 |
| H: 所述抗反射膜包括硅氮化物《直接公开》 | [0064] “The anti-reflection layer 130 may be formed of transparent hydrogenated silicon nitride (SiNx:H).” 翻译：抗反射层130可以由透明氢化硅氮化物（SiNx:H）形成。 | 对比文件直接公开了抗反射膜包括硅氮化物，因此技术特征H被直接公开。 |
| I: 所述钝化膜具有7至的厚度《未公开》 | [0081] “When the first passivation layer 191 is formed of aluminum oxide (AlxOy), the first passivation layer 191 may have a thickness of about 30 nm to 70 nm.” 翻译：当第一钝化层191由铝氧化物形成时，第一钝化层191可以具有约30nm至70nm的厚度。 | 目标专利中钝化膜厚度为7至100Å（0.7-10nm），对比文件公开的铝氧化物钝化层厚度为30-70nm（300-700Å），厚度范围明显不同，且未涉及该薄厚度，因此技术特征I未公开。 |
| J: 所述铝氧化物具有化学式AlO1.5+X《未公开》 | [0081]仅提到“aluminum oxide (AlxOy)”，未提及化学式AlO1.5+X。 | 对比文件仅笼统提及铝氧化物，未公开具体化学式AlO1.5+X，因此技术特征J未公开。 |
| K: 其中0。《未公开》 | 无。 | 对比文件未公开任何关于x的范围，且特征K本身不完整，因此未公开。 |
| L: 其中，所述铝氧化物具有化学式AlO1.5+X《未公开》 | 同特征J。 | 同特征J，未公开。 |
| M: 其中0.001≤x≤0.5《未公开》 | 无。 | 对比文件未公开x的具体范围，因此技术特征M未公开。 |
| N: 其中，所述p型导电区域包括发射极层《未公开》 | [0056] “The emitter region 121 is a region doped with impurities of a second conductive type (for example, n-type) opposite the first conductive type (for example, p-type) of the substrate 110.” 翻译：发射极区121是掺杂有与基板110的第一导电类型（例如p型）相对的第二导电类型（例如n型）杂质的区域。 | 对比文件中的发射极区为n型，而非p型，因此没有公开p型导电区域包括发射极层，技术特征N未公开。 |
| O: 所述发射极层形成在所述半导体基板的前表面处《未公开》 | 同上，发射极区在前表面但为n型。 | 基于特征N的未公开，且发射极层不是p型，因此技术特征O未公开。 |
| P: 所述钝化膜形成在所述发射极层上《未公开》 | 无。 | 基于特征N和O未公开，因此技术特征P未公开。 |
| Q: 其中，所述p型导电区域包括背表面场层《直接公开》 | [0096] “Each of the plurality of BSF regions 172 ... is a region (for example, a p+-type region) that is more heavily doped than the substrate 110 with impurities of the same conductive type as the substrate 110.” 以及[0047] “a plurality of field regions (i.e., back surface field (BSF) regions) 172”。 | BSF区域是背表面场层，且为p型导电区域，因此技术特征Q被直接公开。 |
| R: 所述背表面场层形成在所述半导体基板的背表面处《直接公开》 | [0047] “selectively positioned at the back surface of the substrate 110”。 | 背表面场层（BSF区域）形成在半导体基板的背表面处，直接公开。 |
| S: 所述钝化膜形成在所述背表面场层上《直接公开》 | [0080]钝化层190位于背表面，覆盖BSF区域。 | 钝化膜形成在背表面场层上，直接公开。 |
| T: 所述太阳能电池进一步包括电极《直接公开》 | [0047]包括前电极部分140和背电极部分150。 | 太阳能电池包括电极，直接公开。 |
| U: 所述电极形成在所述钝化膜上《直接公开》 | [0098] “The back electrode 155 is positioned on the passivation layer 190 except a formation area of the back bus bars 152.” 翻译：背电极155位于钝化层190上，除了背总线152的形成区域。 | 电极（背电极）形成在钝化膜上，直接公开。 |
| V: 所述电极电连接到所述p型导电区域《直接公开》 | [0100] “The back electrode 155 includes a plurality of contact portions 151, which pass through the passivation layer 190 and are connected to the plurality of BSF regions 172.” 翻译：背电极155包括多个接触部151，其穿过钝化层190并连接到多个BSF区域172。 | BSF区域是p型导电区域，电极通过接触部电连接，直接公开。 |
| W: 所述电极完全形成在所述钝化膜上《未公开》 | [0098]背电极155位于钝化层190上，但接触部151穿过钝化层，因此电极并非完全形成在钝化膜上。 | 对比文件中的电极有接触部贯穿钝化膜，不是完全形成在钝化膜上，且无其他教导，因此技术特征W未公开。 |
| X: 所述电极与所述p型导电区域点接触《直接公开》 | [0100]接触部151点状连接，以及[0101] “Each contact portion 151 has various shapes such as a circle, an oval, and a polygon.” 翻译：每个接触部151具有各种形状，例如圆形、椭圆形或多边形。 | 电极通过接触部与p型导电区域点接触，直接公开。 |
| Y: 其中，所述p型导电区域的所述背表面场层局部地形成在与所述电极的一部分相邻的区域中《直接公开》 | [0149] “Aluminum (Al) contained in the back electrode 155 is diffused into the substrate 110 contacting the contact portions 151 in the thermal process to form the plurality of BSF regions 172, which are more heavily doped than the substrate 110 with impurities of the same conductive type as the substrate 110, at locations where the substrate 110 adjoin the contact portions 151.” 翻译：在热处理中，背电极155中含有的铝扩散到与接触部151接触的基板110中，以在基板110邻接接触部151的位置形成多个BSF区域172，这些BSF区域比基板110更重掺杂有与基板相同导电类型的杂质。 | BSF区域（背表面场层）局部形成在与电极的接触部相邻的区域，直接公开。 |
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