对比文件名称：2009-11-26_JP2009274916A_发明专利_JP2009274916A Silicon single crystal and production method of the same
目标专利名称：1767晶锭生长设备和制造晶锭的方法 CN103732807B
本次调用的模型名称：DeepSeek
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括含有硅熔体的坩埚 《直接公开》 | 对比文件在具体实施方式部分记载：“在由石英坩埚21和石墨坩埚22构成的坩埚2内填充所需量的硅原料，使用加热器10加热熔融形成硅熔液3”。 | 对比文件明确公开了坩埚2内含有硅熔液3，与特征A完全一致，因此直接公开。 |
| 技术特征B：提拉装置 《直接公开》 | 对比文件在具体实施方式部分记载：“单晶提拉装置”（“単結晶引き上げ装置”）以及“提拉种结晶4”。 | 对比文件明确公开了用于提拉的单晶提拉装置，即提拉装置，因此直接公开。 |
| 技术特征C：所述提拉装置提拉从所述硅熔体生长的硅单晶晶锭 《直接公开》 | 对比文件在具体实施方式部分记载：“将种结晶4浸入所述熔液3后，调整熔液3的液温和提拉速度，一边向上提拉所述种结晶4，一边将具有规定直径的作为硅单结晶5的产品的直体部13在垂直方向上提拉到规定长度”。 | 对比文件公开了提拉装置从硅熔体提拉生长硅单晶晶锭（直体部形成），因此直接公开。 |
| 技术特征D：掺杂剂供给单元 《直接公开》 | 对比文件在具体实施方式部分记载：“管道状的掺杂剂供给装置6”（“パイプ状のドーパント供給装置６”）。 | 对比文件明确公开了掺杂剂供给装置，即掺杂剂供给单元，因此直接公开。 |
| 技术特征E：所述掺杂剂供给单元与所述提拉装置相邻布置 《未公开》 | 对比文件未记载掺杂剂供给装置与提拉装置的位置关系。 | 对比文件仅记载掺杂剂供给装置为管道状，未提及相邻布置，本领域技术人员无法直接或隐含地得出该特征，因此未公开。 |
| 技术特征F：用于在所述晶锭的生长期间供给掺杂剂 《直接公开》 | 对比文件在具体实施方式部分记载：“在直体部形成工序的后半或尾部形成工序中，向所述硅熔液中添加硼，使得所述硅单结晶中的硼浓度达到1.0×10^19 atoms/cm^3以上”。 | 对比文件公开了在晶锭生长期间（直体部后半或尾部形成）添加掺杂剂，因此直接公开。 |
| 技术特征G：其中，所述提拉装置包括夹持晶种的晶种夹具 《隐含公开》 | 对比文件记载了“种结晶4”并描述“提拉种结晶4”，但未明确记载晶种夹具。 | 本领域技术人员公知，在CZ法中提拉种结晶必须使用晶种夹具夹持，因此从对比文件公开的提拉种结晶可以合理推断出存在晶种夹具，隐含公开。 |
| 技术特征H：所述掺杂剂供给单元与所述晶种夹具组合 《未公开》 | 对比文件未记载晶种夹具，也未记载掺杂剂供给单元与晶种夹具的组合。 | 对比文件未公开晶种夹具，更未公开组合关系，因此未公开。 |
| 技术特征I：所述掺杂剂供给单元包括环绕所述晶种的外壁 《未公开》 | 对比文件记载的掺杂剂供给装置为“管道状”，未描述环绕晶种的外壁结构。 | 对比文件未公开环绕晶种的外壁，因此未公开。 |
| 技术特征J：以预定的角度从所述外壁向内部延伸的容纳部 《未公开》 | 对比文件未记载容纳部及从外壁延伸的结构。 | 对比文件未公开容纳部，因此未公开。 |
| 技术特征K：所述掺杂剂被容纳在所述容纳部中 《未公开》 | 对比文件记载掺杂剂被保持在“掺杂剂保持容器7”中并通过投下管投下，而非容纳在从外壁延伸的容纳部中。 | 对比文件未公开目标专利中的容纳部结构，因此未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度高于所述硅熔体中的掺杂剂的浓度的掺杂剂 《隐含公开》 | 对比文件在实施例中记载：添加硼前直体部的硼浓度为9.0×10^15 atoms/cm^3，添加后硼浓度达到1.0×10^19 atoms/cm^3以上。 | 虽然对比文件未明确说明供给单元提供的掺杂剂浓度，但本领域技术人员可以合理推断，为了将晶体中硼浓度从9.0×10^15提高到1.0×10^19以上，供给单元投下的硼浓度必然远高于熔体初始浓度，因此隐含公开。 |
| 技术特征M：其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度范围为1×10^16 atoms/cm^3至1×10^19 atoms/cm^3的掺杂剂 《未公开》 | 对比文件未公开供给单元提供的掺杂剂浓度范围，只公开了晶体中的硼浓度。 | 对比文件没有公开或暗示该浓度范围，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度范围为1×10^17 atoms/cm^3至1×10^18 atoms/cm^3的掺杂剂 《未公开》 | 对比文件未公开该范围。 | 对比文件没有公开，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中，所述容纳部包括通孔 《未公开》 | 对比文件未记载容纳部，也未记载通孔。 | 对比文件未公开容纳部和通孔，因此未公开。 |
| 技术特征P：颈部穿透所述通孔 《未公开》 | 对比文件未记载通孔，也未记载颈部穿透通孔的结构。 | 对比文件未公开，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述掺杂剂供给单元被固定至所述提拉装置 《未公开》 | 对比文件未记载掺杂剂供给装置固定至提拉装置。 | 对比文件未公开固定关系，因此未公开。 |
| 技术特征R：其中，通过所述掺杂剂供给单元在所述晶锭中提供的掺杂剂为磷或硼 《直接公开》 | 对比文件明确记载添加的掺杂剂为硼（“ボロン”）。 | 对比文件公开了通过掺杂剂供给单元添加硼，硼属于“磷或硼”的选择之一，因此直接公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<F>>><<<R>>><<<g>>><<<l>>>