对比文件名称：2002-09-11_JP2002255684A_发明专利_JP2002255684A Manufacturing method of silicone monocrystal ingot
目标专利名称：1767晶锭生长设备和制造晶锭的方法CN103732807B
本次调用的模型名称：GPT-4（模拟）
| 技术特征及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括含有硅熔体的坩埚 【直接公开】 | 对比文件[0021]段：“石英玻璃坩埚3，用于将原料多晶硅熔融制成硅熔体M”。 | 对比文件公开了石英玻璃坩埚3，其内含有硅熔体M，用于晶体生长，与目标专利中坩埚的作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征B：提拉装置 【直接公开】 | 对比文件[0024]段：“设有用于保持籽晶S的籽晶夹头13和用于提拉的钢丝14”。 | 对比文件公开了提拉装置，包括籽晶夹头和钢丝，用于提拉晶锭，与目标专利的提拉装置作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征C：所述提拉装置提拉从所述硅熔体生长的硅单晶晶锭 【直接公开】 | 对比文件[0031]段：“将籽晶S浸渍后，通过钢丝14上升，首先生长颈部Ig n”。 | 对比文件明确描述了提拉装置提拉从硅熔体生长的晶锭，与目标专利作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征D：掺杂剂供给单元 【直接公开】 | 对比文件[0023]段公开了“掺杂剂投入管10”，[0043]段公开了“氮气供给系统（包括氮气吹出口24o等）”。 | 对比文件公开了两种掺杂剂供给单元：第一实施例的掺杂剂管和第二实施例的氮气供给系统，用于在晶体生长期间供给掺杂剂，与目标专利的掺杂剂供给单元作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征E：所述掺杂剂供给单元与所述提拉装置相邻布置 【隐含公开】 | 对比文件[0043]段：“氮气吹出口24o位于颈部Ig2n附近”。 | 虽然未明确说明与提拉装置相邻，但氮气吹出口位于颈部附近，而颈部是提拉装置提拉的部分，本领域技术人员可以合理推断其位置必然与提拉装置相邻，以实现局部掺杂，因此隐含公开。 |
| 技术特征F：用于在所述晶锭的生长期间供给掺杂剂 【直接公开】 | 对比文件[0047]段：“在颈部形成期间，通过氮气吹出口24o吹出氮气，使颈部附近成为氮气气氛”。 | 对比文件明确在晶锭的颈部形成期间供给掺杂剂，与目标专利中在晶锭生长期间供给掺杂剂的作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征G：其中，所述提拉装置包括夹持晶种的晶种夹具 【直接公开】 | 对比文件[0024]段：“设有用于保持籽晶S的籽晶夹头13”。 | 对比文件公开了籽晶夹头，用于夹持晶种，与目标专利的晶种夹具作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征H：所述掺杂剂供给单元与所述晶种夹具组合 【未公开】 | 对比文件未公开掺杂剂供给单元与晶种夹具组合或固定。 | 对比文件中，第一实施例的掺杂剂管独立于晶种夹具，第二实施例的氮气供给系统固定在辐射屏蔽上，均未与晶种夹具组合，因此未公开。 |
| 技术特征I：所述掺杂剂供给单元包括环绕所述晶种的外壁 【未公开】 | 对比文件未公开环绕晶种的外壁。 | 对比文件第二实施例的内筒23用于形成气体流路，并非专门环绕晶种的外壁，且未公开外壁结构，因此未公开。 |
| 技术特征J：以预定的角度从所述外壁向内部延伸的容纳部 【未公开】 | 对比文件未公开容纳部。 | 对比文件没有任何从外壁向内部延伸的容纳部结构，因此未公开。 |
| 技术特征K：所述掺杂剂被容纳在所述容纳部中 【未公开】 | 对比文件未公开容纳部。 | 由于对比文件没有容纳部，故未公开该特征。 |
| 技术特征L：其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度高于所述硅熔体中的掺杂剂的浓度的掺杂剂 【直接公开】 | 对比文件[0047]~[0050]段：在颈部形成时供给氮气，使颈部氮浓度高于硅熔体（硅熔体未刻意掺氮），从而增强颈部强度。 | 对比文件通过只在颈部区域供给氮气，使颈部氮浓度高于硅熔体，实现局部高浓度掺杂，与目标专利作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征M：其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度范围为1×10^16原子/cm^3至1×10^19原子/cm^3的掺杂剂 【未公开】 | 对比文件未公开具体的浓度数值范围。 | 对比文件虽然提到了氮浓度在10^15 Atoms/cm^3量级，但未公开1×10^16~1×10^19原子/cm^3的范围，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度范围为1×10^17原子/cm^3至1×10^18原子/cm^3的掺杂剂 【未公开】 | 对比文件未公开该浓度范围。 | 对比文件未公开任何具体浓度范围，故未公开。 |
| 技术特征O：其中，所述容纳部包括通孔 【未公开】 | 对比文件未公开通孔。 | 对比文件没有容纳部，因此没有通孔，故未公开。 |
| 技术特征P：颈部穿透所述通孔 【未公开】 | 对比文件未公开通孔。 | 同上，未公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述掺杂剂供给单元被固定至所述提拉装置 【未公开】 | 对比文件未公开固定至提拉装置。 | 第一实施例的掺杂剂管固定在腔室，第二实施例的氮气系统固定在辐射屏蔽，均未固定至提拉装置，因此未公开。 |
| 技术特征R：其中，通过所述掺杂剂供给单元在所述晶锭中提供的掺杂剂为磷或硼 【直接公开】 | 对比文件[0038]段：“掺杂剂不限于Si3N4，只要能够提高单晶强度即可，例如IIIb族(B、Al、Ga等)、IVb族(C、Ge等)、Vb族(P等)、O、F等”。 | 对比文件明确列举了B(硼)和P(磷)作为可用的掺杂剂，与目标专利中掺杂剂为磷或硼的特征一致，因此直接公开。 |
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