对比文件的名称：2010-11-25_US2010294999A_发明申请_US20100294999A1 PRODUCING METHOD AND APPARATUS OF SILICON SINGLE CRYSTAL, AND SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT
目标专利的名称：1767晶锭生长设备和制造晶锭的方法CN103732807B
本次调用的模型名称：DeepSeek Chat
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文，段落标号） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括含有硅熔体的坩埚《直接公开》 | [0078] “CZ炉2具有坩埚3，用于熔化多晶硅原料并容纳熔体5。” | 对比文件明确公开了坩埚用于容纳硅熔体，与目标专利中的坩埚作用相同，直接公开。 |
| 技术特征B：提拉装置《直接公开》 | [0080] “在坩埚3上方，设有提拉机构4。提拉机构4包括拉线4a和拉线4a末端的晶种夹持器4b。” | 对比文件公开了提拉机构（相当于提拉装置），直接公开。 |
| 技术特征C：所述提拉装置提拉从所述硅熔体生长的硅单晶晶锭《直接公开》 | [0081] “提拉机构4被启动，硅单晶（硅单晶晶锭）6通过CZ法从熔体5提拉。” | 对比文件公开了提拉机构提拉硅单晶晶锭，直接公开。 |
| 技术特征D：掺杂剂供给单元《直接公开》 | [0089] “掺杂剂供给单元20包括容纳室21、供应管22、载气导入管24和流量控制单元25。” | 对比文件公开了掺杂剂供给单元，直接公开。 |
| 技术特征E：所述掺杂剂供给单元与所述提拉装置相邻布置《直接公开》 | [0005] “用于供应杂质元素的管组件附接到提拉机构的晶种夹持器。” | 对比文件背景技术公开了管组件（相当于掺杂剂供给单元）附接（即相邻布置）到提拉机构的晶种夹持器，直接公开。 |
| 技术特征F：用于在所述晶锭的生长期间供给掺杂剂《直接公开》 | [0041] “在半导体单晶提拉期间，升华的掺杂剂被引导至熔体。” [0055] “在硅单晶6提拉期间，引导升华的掺杂剂至熔体5。” | 对比文件明确公开在晶锭生长期间供给掺杂剂，直接公开。 |
| 技术特征G：其中，所述提拉装置包括夹持晶种的晶种夹具《直接公开》 | [0080] “晶种夹持器4b” | 对比文件公开了晶种夹持器，直接公开。 |
| 技术特征H：所述掺杂剂供给单元与所述晶种夹具组合《直接公开》 | [0005] “用于供应杂质元素的管组件附接到提拉机构的晶种夹持器。” | 对比文件背景技术公开了掺杂剂供给单元附接到晶种夹持器，即组合，直接公开。 |
| 技术特征I：所述掺杂剂供给单元包括环绕所述晶种的外壁《未公开》 | 无 | 对比文件未公开任何环绕晶种的外壁结构，未能直接或隐含公开。 |
| 技术特征J：以预定的角度从所述外壁向内部延伸的容纳部《未公开》 | 无 | 对比文件未公开从外壁延伸的容纳部，未能直接或隐含公开。 |
| 技术特征K：所述掺杂剂被容纳在所述容纳部中《未公开》 | 无 | 对比文件虽有容纳室，但并非目标专利所限定的从外壁延伸的容纳部，不能认为公开该特征。 |
| 技术特征L：其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度高于所述硅熔体中的掺杂剂的浓度的掺杂剂《直接公开》 | [0063] “在硅单晶6的直体前半部分形成之前，掺杂剂以低浓度或不添加的方式供应到熔体5，在直体前半部分形成之后，以期望的高浓度添加掺杂剂。” | 对比文件公开了在直体后半部分提供高浓度掺杂剂，而熔体中原有低浓度，因此供给的掺杂剂浓度高于熔体中的浓度，直接公开。 |
| 技术特征M：其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度范围为1×10^16原子/cm^3至1×10^19原子/cm^3的掺杂剂《未公开》 | 无 | 对比文件未公开任何具体的浓度范围，仅提及低浓度1.6E19原子/cm^3，未能直接或隐含公开该范围。 |
| 技术特征N：其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度范围为1×10^17原子/cm^3至1×10^18原子/cm^3的掺杂剂《未公开》 | 无 | 对比文件未公开该浓度范围，未能直接或隐含公开。 |
| 技术特征O：其中，所述容纳部包括通孔《未公开》 | 无 | 对比文件未公开容纳部具有通孔，未能直接或隐含公开。 |
| 技术特征P：颈部穿透所述通孔《未公开》 | 无 | 对比文件未公开颈部穿透通孔，未能直接或隐含公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述掺杂剂供给单元被固定至所述提拉装置《直接公开》 | [0005] “用于供应杂质元素的管组件附接到提拉机构的晶种夹持器。” | 对比文件背景技术公开了掺杂剂供给单元附接（固定）到提拉机构，直接公开。 |
| 技术特征R：其中，通过所述掺杂剂供给单元在所述晶锭中提供的掺杂剂为磷或硼《直接公开》 | [0088] “砷或磷作为N型掺杂剂添加到硅单晶6。” | 对比文件公开了磷作为掺杂剂，满足“磷或硼”的条件，直接公开。 |
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