**对比文件名称**：2011-08-02_KR1020110086976A_发明公开_KR1020110086976A 단결정 제조방법
**目标专利名称**：1767晶锭生长设备和制造晶锭的方法CN103732807B
**本次调用的模型名称**：资深专利代理师AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括含有硅熔体的坩埚《直接公开》 | [0024]“실시예에 따른 실리콘 단결정 성장장치(100)는 챔버(110), 도가니(120), 히터(130), 도펀트 주입장치(160) 등을 포함할 수 있다.” [0025]“도가니(120)는 실리콘 융액(SM)을 담을 수 있도록 상기 챔버(110)의 내부에 구비되며, 석영 재질로 이루어질 수 있다.” <br> 翻译：[0024]“根据实施例的硅单晶生长装置100可以包括腔室110、坩埚120、加热器130、掺杂剂注入装置160等。” [0025]“坩埚120设置在腔室110内部以容纳硅熔体SM，并且可以由石英材料制成。” | 对比文件明确公开了坩埚（도가니）用于容纳硅熔体（실리콘 융액），该坩埚作为生长装置的一部分，直接对应于目标专利的“含有硅熔体的坩埚”，作用相同，均用于盛装硅熔体以进行晶体生长。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定该特征已被公开。 |
| 技术特征B：提拉装置《直接公开》 | [0031]“도펀트 주입장치(160)는 단결정 성장 리프터(150)의 시드 척(152)에 연결되어 도펀트 주입공정을 진행할 수 있다.” <br> 翻译：[0031]“掺杂剂注入装置160连接到单晶生长提升器150的种子卡盘152，从而可以进行掺杂剂注入工艺。” 其中“단결정 성장 리프터(150)”即单晶生长提升器，相当于提拉装置。 | 对比文件明确公开了“单晶生长提升器”（단결정 성장 리프터），该提升器用于提拉晶锭，与目标专利的提拉装置功能相同。本领域技术人员可以直接识别出该特征。 |
| 技术特征C：所述提拉装置提拉从所述硅熔体生长的硅单晶晶锭《直接公开》 | [0003]“초크랄스키(czochralski, CZ) 법은 단결정인 종자결정(seed crystal)을 용융 실리콘에 담근 후 천천히 끌어올리면서 결정을 성장시키는 방법이다.” <br> 翻译：[0003]“CZ法是将单晶种子晶种浸入熔融硅中，然后缓慢提拉同时生长晶体的方法。” | 对比文件整体描述了通过提拉装置（单晶生长提升器）从熔体中提拉生长单晶的过程，该提拉装置必然用于提拉从硅熔体生长的硅单晶晶锭，作用与目标专利相同。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征D：掺杂剂供给单元《直接公开》 | [0024]“실시예에 따른 실리콘 단결정 성장장치(100)는 챔버(110), 도가니(120), 히터(130), 도펀트 주입장치(160) 등을 포함할 수 있다.” <br> 翻译：[0024]“根据实施例的硅单晶生长装置100可以包括腔室110、坩埚120、加热器130、掺杂剂注入装置160等。” | 对比文件中的“도펀트 주입장치(160)”（掺杂剂注入装置）即为掺杂剂供给单元，用于向硅熔体提供掺杂剂，与目标专利的掺杂剂供给单元功能完全对应。因此，直接公开。 |
| 技术特征E：所述掺杂剂供给单元与所述提拉装置相邻布置《直接公开》 | [0031]“도펀트 주입장치(160)는 단결정 성장 리프터(150)의 시드 척(152)에 연결되어 도펀트 주입공정을 진행할 수 있다.” <br> 翻译：[0031]“掺杂剂注入装置160连接到单晶生长提升器150的种子卡盘152，从而可以进行掺杂剂注入工艺。” | 对比文件明确记载掺杂剂注入装置连接到提拉装置的种子卡盘上，即掺杂剂供给单元与提拉装置直接连接，属于相邻布置的一种具体形式，该布置方式与目标专利中“相邻布置”作用相同，均为了实现掺杂剂供给与提拉动作的协同。因此，直接公开。 |
| 技术特征F：用于在所述晶锭的生长期间供给掺杂剂《直接公开》 | [0033]“도펀트 주입장치(160)에 도펀트(D)가 적재된 상태에서 도펀트 주입장치(160)의 하단부가 실리콘 융액(SM)에 디핑(dipping)되게 함으로써 도펀트(D)가 실리콘 융액(SM)과 접하게 되고, 실리콘 융액(SM)의 온도에 의하여 도펀트(D)가 용융, 기화하도록 할 수 있다.” <br> 翻译：[0033]“在掺杂剂注入装置160中装载掺杂剂D的状态下，使掺杂剂注入装置160的下端部浸入硅熔体SM中，从而掺杂剂D与硅熔体SM接触，并利用硅熔体SM的温度使掺杂剂D熔融、气化。” | 该步骤发生在单晶生长过程中，掺杂剂注入装置在晶锭生长期间向熔体供给掺杂剂，与目标专利特征“在晶锭的生长期间供给掺杂剂”完全一致。因此，直接公开。 |
| 技术特征G：其中，所述提拉装置包括夹持晶种的晶种夹具《直接公开》 | [0031]“도펀트 주입장치(160)는 단결정 성장 리프터(150)의 시드 척(152)에 연결되어 도펀트 주입공정을 진행할 수 있다.” <br> 翻译：[0031]“掺杂剂注入装置160连接到单晶生长提升器150的种子卡盘152，从而可以进行掺杂剂注入工艺。” 其中“시드 척(152)”即种子卡盘，用于夹持晶种。 | 对比文件明确公开了“种子卡盘”（시드 척），该部件是提拉装置的一部分，用于夹持晶种，与目标专利的晶种夹具完全相同。因此，直接公开。 |
| 技术特征H：所述掺杂剂供给单元与所述晶种夹具组合《直接公开》 | [0031]“도펀트 주입장치(160)는 단결정 성장 리프터(150)의 시드 척(152)에 연결되어 도펀트 주입공정을 진행할 수 있다.” <br> 翻译：[0031]“掺杂剂注入装置160连接到单晶生长提升器150的种子卡盘152，从而可以进行掺杂剂注入工艺。” | 对比文件明确记载掺杂剂注入装置直接连接到种子卡盘（晶种夹具），即两者组合在一起，功能上相互配合，与目标专利中“掺杂剂供给单元与晶种夹具组合”一致。因此，直接公开。 |
| 技术特征I：所述掺杂剂供给单元包括环绕所述晶种的外壁《未公开》 | 对比文件未描述掺杂剂供给单元具有环绕晶种的外壁结构。 | 对比文件虽公开了掺杂剂注入装置，但未提及该装置具有环绕晶种的外壁，也未暗示任何环绕结构。本领域技术人员无法从对比文件直接或合理推断出该具体结构特征，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征J：以预定的角度从所述外壁向内部延伸的容纳部《未公开》 | 对比文件未描述从外壁延伸的容纳部结构。 | 对比文件未公开容纳部的具体形状、角度或从外壁延伸的方式，该特征在对比文件中无任何记载或暗示，因此未被公开。 |
| 技术特征K：所述掺杂剂被容纳在所述容纳部中《直接公开》 | [0034]“도펀트(D)는 소정의 도펀트 수용부(미도시) 내에 적재되어 실리콘 융액(SM)과 직접 접촉하지 않도록 하여...” <br> 翻译：[0034]“掺杂剂D容纳在预定的掺杂剂容纳部（未示出）内，以避免与硅熔体SM直接接触...” | 对比文件明确记载掺杂剂容纳在“掺杂剂容纳部”（도펀트 수용부）中，该容纳部是掺杂剂供给单元的一部分，用于盛放掺杂剂，与目标专利的容纳部作用相同。因此，直接公开。 |
| 技术特征L：其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度高于所述硅熔体中的掺杂剂的浓度的掺杂剂《隐含公开》 | 对比文件整体涉及高浓度掺杂低熔点掺杂剂，但未明确比较供给浓度与熔体浓度的关系。 | 对比文件旨在解决低熔点掺杂剂难以高浓度掺杂的问题，通过注入装置添加的掺杂剂本身为高纯度或高浓度形态，且目的是获得高掺杂浓度的晶体。本领域技术人员可以合理推断，供给的掺杂剂浓度必然高于熔体中的本底浓度，否则无法实现有效掺杂。因此，该特征被隐含公开。 |
| 技术特征M：其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度范围为1×10^16原子/cm³至1×10^19原子/cm³的掺杂剂《未公开》 | 对比文件未公开任何掺杂剂浓度数值或范围。 | 对比文件完全没有提及掺杂剂的具体浓度范围，本领域技术人员无法从对比文件得出该浓度范围，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征N：其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度范围为1×10^17原子/cm³至1×10^18原子/cm³的掺杂剂《未公开》 | 对比文件未公开任何掺杂剂浓度数值或范围。 | 同特征M，对比文件无任何浓度范围记载，该特征未被公开。 |
| 技术特征O：其中，所述容纳部包括通孔《直接公开》 | [0034]“기체상의 저융점 도펀트는 도펀트 주입장치(160)에 하단에 형성된 통공(미도시)을 통하여 빠져나가게 되어...” <br> 翻译：[0034]“气态的低熔点掺杂剂通过形成在掺杂剂注入装置160下端的通孔（未示出）排出...” | 对比文件明确记载掺杂剂注入装置（其内部包含容纳部）下端具有通孔，该通孔用于排出气化掺杂剂，属于容纳部的一部分。因此，容纳部包括通孔的特征被直接公开。 |
| 技术特征P：颈部穿透所述通孔《未公开》 | 对比文件未描述颈部穿过通孔的结构。 | 对比文件中的通孔用于气体排出，而非供颈部穿透，且对比文件完全不涉及颈部形成时利用通孔的结构。该特征未被公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述掺杂剂供给单元被固定至所述提拉装置《直接公开》 | [0031]“도펀트 주입장치(160)는 단결정 성장 리프터(150)의 시드 척(152)에 연결되어 도펀트 주입공정을 진행할 수 있다.” <br> 翻译：[0031]“掺杂剂注入装置160连接到单晶生长提升器150的种子卡盘152，从而可以进行掺杂剂注入工艺。” | “연결되어”（连接）表明掺杂剂注入装置被固定到提拉装置（单晶生长提升器）上，与目标专利特征“固定至提拉装置”一致。因此，直接公开。 |
| 技术特征R：其中，通过所述掺杂剂供给单元在所述晶锭中提供的掺杂剂为磷或硼《直接公开》 | [0032]“실시예에서 도펀트(D)는 안티모니(Sb), 적인(Red Phosphorus), 게르마늄(Ge), 비소(As) 등일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.” <br> 翻译：[0032]“在实施例中，掺杂剂D可以是锑(Sb)、红磷(Red Phosphorus)、锗(Ge)、砷(As)等，但不限于此。” | 对比文件明确公开了“红磷”（Red Phosphorus）作为掺杂剂，红磷属于磷的一种，因此磷被公开。虽然硼未直接列出，但特征R为“磷或硼”，磷已被公开，故该特征整体被直接公开。 |
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**结论：**
对比文件直接公开了技术特征A、B、C、D、E、F、G、H、K、O、Q、R；隐含公开了技术特征L；未公开技术特征I、J、M、N、P。
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