2005-12-15_US2005277245A_发明申请_US20050277245A1 Method for forming bump on electrode pad with use of double-layered film_+++P_Q_R+++.docx

对比文件名称:US2005/0277245A1 “Method for forming bump on electrode pad with use of double-layered film”

目标专利名称:CN102906867B “包括底部填充用围堰的印刷电路板及其制造方法”

本次调用模型名称:AI模型

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:其包括沿着具有半导体晶片的基板外缘形成的底部填充用围堰《未公开》对比文件未公开底部填充用围堰结构。对比文件涉及在基板上形成凸点的方法,使用双层膜形成凸点开口、填充焊料、回流形成凸点,之后剥离膜,未提及任何底部填充工序或围堰结构。因此本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得出该技术特征。
技术特征B:所述底部填充用围堰包含干膜阻焊剂《未公开》对比文件公开了干膜阻焊剂(negative dry film resist)作为上层材料(例如[0033] “laminating a negative dry film resist”),但并未用于底部填充围堰。对比文件中的干膜阻焊剂是用于形成凸点开口的临时掩模,之后被剥离,并非永久性底部填充围堰。没有公开干膜阻焊剂用于底部填充围堰。
技术特征C:所述干膜阻焊剂包含感光性树脂组合物的干燥物或固化物《未公开》对比文件公开了干膜阻焊剂包含负性感光性树脂组合物([0094]),并经过曝光、显影、固化([0107]),但该干膜阻焊剂并非用于围堰。由于特征B不公开,且对比文件未公开该干膜阻焊剂与围堰的关联,因此特征C不公开。
技术特征D:所述感光性树脂组合物包含具有羧基-COOH和可光固化的官能团的酸改性低聚物《未公开》对比文件上层组合物包含丙烯酸树脂(component C),其含有羧基([0088]),但未明确具有可光固化官能团,且为聚合物而非低聚物。对比文件未公开同时具有羧基和可光固化官能团的酸改性低聚物。丙烯酸树脂本身不含可光固化官能团,光固化通过交联剂实现。
技术特征E:所述感光性树脂组合物包含光聚合性单体《未公开》对比文件上层组合物包含交联剂(component E),如[0097]所列的多官能(甲基)丙烯酸酯,属于光聚合性单体。尽管对比文件公开了光聚合性单体,但该组合物不是用于围堰的干膜阻焊剂,因此不公开。
技术特征F:所述感光性树脂组合物包含热固性粘合剂树脂《未公开》对比文件上层组合物未提及热固性粘合剂树脂;下层可含环氧树脂([0093]),但下层不是感光性树脂组合物。对比文件没有公开感光性树脂组合物包含热固性粘合剂树脂。
技术特征G:所述感光性树脂组合物包含颜料《未公开》对比文件未提及任何颜料。对比文件没有公开颜料。
技术特征H:所述底部填充用围堰具有选自由白色、黄色、绿色、黑色以及红色组成的组群中的至少一种颜色《未公开》对比文件未公开围堰颜色。对比文件没有围堰,也没有颜色相关教导。
技术特征I:所述底部填充用围堰具有不同于所述基板或所述基板上的阻焊剂的颜色《未公开》对比文件未公开。对比文件没有围堰,也没有颜色对比。
技术特征J:所述底部填充用围堰具有10-20μm的厚度《未公开》对比文件上层厚度至少40μm([0033] “at least 50 μm”),不是10-20μm。对比文件没有公开围堰,也没有10-20μm厚度。
技术特征K:所述底部填充用围堰的厚度误差在3μm以内《未公开》对比文件未公开均匀性要求。对比文件没有公开围堰厚度误差。
技术特征L:所述颜料包括至少一种选自如下的颜料:金红石型氧化钛、异吲哚啉酮类颜料、苯并咪唑酮类颜料、颜料绿7、颜料绿36、溶剂绿3、溶剂绿5、溶剂绿20、溶剂绿28、黄色和蓝色颜料组合、炭黑、钛黑、氧化铬、氧化铁、苯胺黑、苝黑、颜料红13、颜料红32、颜料红122、颜料红177、颜料红185、颜料红226和颜料红246《未公开》对比文件未公开任何颜料。对比文件没有颜料公开。
技术特征M:其中所述感光性树脂组合物的固化物包含所述酸改性低聚物和光聚合性单体的光固化物《未公开》对比文件上层固化物包含丙烯酸树脂和交联剂的固化物,但无酸改性低聚物。对比文件没有公开酸改性低聚物,因此不公开。
技术特征N:所述感光性树脂组合物的固化物包含所述酸改性低聚物和热固性粘合剂树脂的热固化物《未公开》对比文件无热固性粘合剂树脂。对比文件没有公开。
技术特征O:所述感光性树脂组合物的固化物包含颜料《未公开》对比文件无颜料。对比文件没有公开。
技术特征P:其包括在所述基板上形成的电极极板《直接公开》[0028] “a plurality of electrode pads 201 provided on the substrate surface” 翻译:在基板表面提供多个电极垫。对比文件明确公开了在基板上形成电极极板(电极垫)。该特征与目标专利中的电极极板作用相同,均为电路连接。
技术特征Q:其包括在所述电极极板上形成的焊料隆起焊盘《直接公开》[0041] “the metal paste is reflowed to produce bumps 210” 翻译:金属膏回流以产生凸点210。对比文件公开了在电极极板上形成焊料隆起焊盘(凸点)。
技术特征R:其包括以所述焊料隆起焊盘为介质通过倒装晶片结合的半导体晶片《直接公开》[0042] “The chips are subjected to the flip chip bonding.” 翻译:芯片进行倒装晶片结合。对比文件公开了通过焊料凸点进行倒装晶片结合。
技术特征S:其中所述底部填充用围堰用于防止填充于基板和半导体晶片之间的填充材料的流出《未公开》对比文件未公开底部填充。对比文件无围堰,无底部填充。
技术特征T:其中所述底部填充用围堰形成在所述基板的外缘和半导体晶片的外缘之间《未公开》对比文件未公开。对比文件无围堰。
技术特征U:所述底部填充用围堰具有基板和半导体晶片之间间隔的大小以上的高度《未公开》对比文件未公开。对比文件无围堰高度。
技术特征V:其中所述酸改性低聚物的可光固化的官能团为丙烯酸酯基《未公开》对比文件未公开酸改性低聚物。对比文件无酸改性低聚物。
技术特征W:其中所述酸改性低聚物为具有羧基的可聚合的单体和包括丙烯酸酯类化合物的单体的共聚物《未公开》对比文件未公开。对比文件无酸改性低聚物。
技术特征X:其中所述酸改性低聚物的酸值为40-120mgKOH/g《未公开》对比文件未公开。对比文件无酸改性低聚物。
技术特征Y:其中所述光聚合性单体包括选自由含羟基的丙烯酸酯类化合物、水性丙烯酸酯类化合物、多元醇的多官能聚酯丙烯酸酯类化合物、多元醇或多元酚的环氧乙烷加成物的丙烯酸酯类化合物、多元醇或多元酚的环氧丙烷加成物的丙烯酸酯类化合物、多官能或单官能聚氨酯丙烯酸酯、环氧基丙烯酸酯类化合物、己内酯改性的丙烯酸酯类化合物以及感光性(甲基)丙烯酸酯类化合物组成的组群中的一种以上的化合物《未公开》对比文件公开了交联剂,如[0097]所列,包括季戊四醇三丙烯酸酯、双季戊四醇六丙烯酸酯等,属于该组群,但非用于围堰。尽管对比文件公开了部分光聚合性单体,但特征Y限定的是围堰中的光聚合性单体,对比文件未公开围堰,因此不公开。
技术特征Z:其中所述热固性粘合剂树脂包含被选自由环氧基、氧杂环丁烷基、环状醚基以及环状硫醚基组成的组群中的一种以上官能团取代的化合物《未公开》对比文件上层无热固性粘合剂树脂;下层可含环氧树脂,但下层不是感光性树脂组合物。对比文件未公开感光性树脂组合物包含热固性粘合剂树脂。

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