对比文件名称：2005-02-03_JP2005032618A_发明专利_JP2005032618A Organic el device
目标专利名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：DeepSeek Chat
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 特征A：其包括基板 《直接公开》 | 对比文件第1实施方式记载：“基板10は、可視光を透過可能な基板つまり透明基板であり、ガラスや透明樹脂からなる。本例では、基板10はガラス基板10である。”<br>翻译：基板10是能够透过可见光的基板，即透明基板，由玻璃或透明树脂构成。在本例中，基板10是玻璃基板。 | 对比文件明确公开了基板（玻璃基板），与目标专利的基板相同，因此直接公开。 |
| 特征B：设置在所述基板上的透明阴极 《隐含公开》 | 对比文件最后部分记载：“また、下部電極２０に透明電極を用いれば、非発光時には透明で、発光時に両面から発光を確認する構成とすることも可能である。”<br>翻译：此外，如果下部电极20使用透明电极，则可以在非发光时透明，发光时从两面确认发光。 | 对比文件主要实施例中下部电极（阴极）为不透明的Ag-Mg反射电极，但明确教导了下部电极可选为透明电极，从而形成透明阴极。本领域技术人员可合理推断出该技术方案，故隐含公开。 |
| 特征C：阳极 《直接公开》 | 对比文件第1实施方式记载：“上部電極50は、陽極として機能する。” 及 “上部電極50は厚さ１５０ｎｍのＩＴＯとしている。”<br>翻译：上部电极50作为阳极，由厚度150nm的ITO构成。 | 对比文件明确公开了阳极（上部电极），且材料为ITO，直接公开。 |
| 特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层 《直接公开》 | 对比文件第1实施方式记载：“下部電極20の上には、有機ＥＬ材料からなる発光層31を含む有機層30、31、32、33が形成されている。”<br>翻译：在下部电极20上，形成有包含由有机EL材料构成的发光层31的有机层30、31、32、33。 | 对比文件公开了有机材料层（有机层30-33）位于阴极（下部电极）和阳极（上部电极）之间，直接公开。 |
| 特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层 《未公开》 | 对比文件第1实施方式记载：“電子輸送層30は、アルミキノリノール（Ａｌｑ３）を２０ｎｍ蒸着した層からなり、その上に位置する発光層31は、Ａｌｑ３を４０ｎｍ蒸着した層からなる。”<br>翻译：电子传输层30由蒸镀20nm的Alq3构成，其上方的发光层31由蒸镀40nm的Alq3构成。 | 对比文件公开了电子传输层（Alq3）和发光层（Alq3），但电子传输层未进行n型掺杂，且全文未提及电子传输层掺杂。无法合理推断出n型掺杂的电子传输层，故未公开。 |
| 特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂 《未公开》 | 对比文件未涉及n型掺杂的电子传输层及其组成。 | 对比文件无任何关于电子传输层掺杂或n型掺杂剂的内容，故未公开。 |
| 特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间 《未公开》 | 对比文件未公开n型掺杂的电子传输层。 | 由于对比文件未公开n型掺杂的电子传输层，故该特征未公开。 |
| 特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％ 《未公开》 | 对比文件未涉及n型掺杂剂及其含量。 | 对比文件无任何关于n型掺杂剂含量数值的内容，故未公开。 |
| 特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种 《未公开》 | 对比文件未涉及这些n型掺杂剂。 | 对比文件未列出目标专利中的任一n型掺杂剂种类，故未公开。 |
| 特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成 《直接公开》 | 对比文件背景技术记载：“ＩＴＯの仕事関数は５ｅＶ程度である” 及第1实施方式中上部电极为ITO。<br>翻译：ITO的功函数约为5eV。 | 对比文件公开了阳极（ITO）的功函数大于2.7eV，满足“透明阴极或阳极”之一，故直接公开。 |
| 特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成 《未公开》 | 对比文件未公开透明阴极的具体材料。 | 对比文件虽提及可使用透明电极作为下部电极，但未指定具体材料，更未公开ITO、IZO或ZnO，故未公开。 |
| 特征L：所述阳极是透明的 《直接公开》 | 对比文件第1实施方式记载：“上部電極50は厚さ１５０ｎｍのＩＴＯとしている。”<br>翻译：上部电极50由厚度150nm的ITO构成。 | ITO是透明导电材料，故阳极透明，直接公开。 |
| 特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极 《直接公开》 | 对比文件第1实施方式记载：“上部電極50は厚さ１５０ｎｍのＩＴＯとしている。”<br>翻译：上部电极50由厚度150nm的ITO构成。 | 对比文件公开了阳极由ITO形成，属于所列透明金属氧化物之一，直接公开。 |
| 特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物 《隐含公开》 | 对比文件第1实施方式记载：“電子輸送層30は、アルミキノリノール（Ａｌｑ３）を２０ｎｍ蒸着した層からなる。”<br>翻译：电子传输层30由蒸镀20nm的Alq3构成。 | Alq3（8-羟基喹啉铝）含有喹啉基，属于所述官能团之一。虽然对比文件未对电子传输层进行n型掺杂，但本领域技术人员可合理推断该材料可应用于n型掺杂的电子传输层，故隐含公开。 |
| 特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度 《未公开》 | 对比文件未涉及浓度梯度。 | 对比文件无任何关于掺杂剂浓度梯度的内容，故未公开。 |
| 特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层 《未公开》 | 对比文件第1实施方式中电子传输层30直接位于阴极和发光层之间，但未设置另一电子传输层在n型掺杂层与发光层之间。 | 对比文件未公开n型掺杂的电子传输层，且未提及在n型掺杂层与发光层之间有额外电子传输层，故未公开。 |
| 特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成 《未公开》 | 对比文件未涉及该结构。 | 对比文件未公开该特征所需的结构，故未公开。 |
| 特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触 《未公开》 | 对比文件未公开n型掺杂的电子传输层。 | 对比文件未公开该特征，故未公开。 |
| 特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层 《直接公开》 | 对比文件第1实施方式记载：“ホール輸送層32、33” 及 “ホール注入層40”。<br>翻译：空穴传输层32、33和空穴注入层40。 | 对比文件明确公开了空穴传输层（α-NPD和CuPc）和空穴注入层（V2O5），直接公开。 |
| 特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上 《直接公开》 | 对比文件第1实施方式记载：“ホール注入層40の上には、陽極として機能する上部電極50が形成されている。”<br>翻译：在空穴注入层40上，形成有作为阳极的顶部电极50。 | 对比文件公开了空穴注入层40位于最临近阳极（上部电极50）的位置，直接公开。 |
| 特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物 《未公开》 | 对比文件未涉及式23化合物。 | 对比文件全文未公开式23化合物或其类似结构，故未公开。 |
| 特征V：[式23] 《未公开》 | 对比文件未涉及式23结构。 | 对比文件未公开，故未公开。 |
| 特征W：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺 《未公开》 | 对比文件未涉及该取代基定义。 | 对比文件未公开式23化合物，故其取代基定义未公开。 |
| 特征X：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中 《未公开》 | 对比文件未涉及该定义。 | 对比文件未公开，故未公开。 |
### 公开特征代码
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