对比文件的名称：2003-05-20_US6566807B_发明授权_US06566807B1 Organic electroluminescent element and production method thereof
目标专利的名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括基板《直接公开》 | “作为透明基板1，可以使用由聚酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯等塑料膜或片材制成的基板，石英片、玻璃片等。”（具体实施方式部分） | 对比文件明确公开了有机EL元件包括基板，与目标专利的基板相同，作用均为支撑电极。 |
| 技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极《未公开》 | “作为阴极8的材料，从电子注入发光层的观点出发，优选使用具有小功函数的材料。具体地，可以使用铝等金属；镁-银、锂-铝等合金；以及镁和银、氟化锂和铝等的复合膜。”（具体实施方式部分） | 对比文件公开的阴极由低功函数不透明材料形成，且未设置在基板上（设置在有机层上），未公开透明阴极。 |
| 技术特征C：阳极《直接公开》 | “作为阳极2的材料，从高效注入空穴的角度出发，优选使用具有大功函数的材料。具体地，可以使用氧化铟锡(ITO)、SnO₂等金属氧化物，以及Au等金属。”（具体实施方式部分） | 对比文件明确公开了阳极，与目标专利的阳极相同。 |
| 技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层《未公开》 | 对比文件公开了有机材料层设置在阳极和阴极之间，但阴极不是透明阴极，且阴极位于顶部，阳极在基板上，结构不同。 | 目标专利的有机材料层设置在透明阴极和阳极之间，对比文件未公开透明阴极，且层序相反，因此未公开。 |
| 技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层《直接公开》 | “电子传输层71至少包含电子传输材料17和供体27。”（具体实施方式）以及各实施例中发光层和电子传输层。 | 对比文件公开了有机材料层包含发光层和掺杂供体的电子传输层，供体即n型掺杂剂，与目标专利的n型掺杂电子传输层对应。 |
| 技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂《直接公开》 | 同上，“电子传输层71至少包含电子传输材料17和供体27”。 | 直接公开。 |
| 技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间《未公开》 | 对比文件中电子传输层71设置在发光层和阴极之间，且阴极不透明，不是透明阴极。 | 目标专利要求透明阴极，且电子传输层位于透明阴极与发光层之间，对比文件未公开。 |
| 技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％《直接公开》 | “供体与电子传输材料的添加比例（η₍D₎/η₍ETM₎）优选为1‑20% by weight。”（具体实施方式） | 对比文件直接公开了掺杂剂含量范围，与目标专利范围一致。 |
| 技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF₂、CaF₂、MgO、CaO、BaO、SrO、Na₂O、K₂O、Cs₂O、Cs₂CO₃、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种《直接公开》 | “供体27包括无机材料如碱金属、碱土金属、稀土元素、Al、Ag、Cu、In等。”（具体实施方式） | 对比文件公开了碱金属（包括Na、K、Cs）和碱土金属（包括Mg、Ca）作为供体，这些元素在目标专利的列表中，因此直接公开了Mg、Ca、Na、K、Cs。 |
| 技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成《直接公开》 | 阳极材料“具有大功函数”，具体如ITO，其功函数大于2.7eV。 | 对比文件公开了阳极由高功函数材料形成，满足2.7eV以上，因此公开了阳极部分，特征J为“或”，故直接公开。 |
| 技术特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成《未公开》 | 对比文件未公开透明阴极，阴极材料为低功函数金属。 | 未公开。 |
| 技术特征L：所述阳极是透明的《直接公开》 | 阳极材料ITO是透明的。 | 对比文件公开的ITO透明阳极，直接公开。 |
| 技术特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极《直接公开》 | 阳极材料为ITO。 | 对比文件公开了ITO透明阳极，属于列表中的一种，直接公开。 |
| 技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物《直接公开》 | 电子传输材料包括“8-羟基喹啉铝络合物（Alq₃）”（具体实施方式） | Alq₃含有喹啉基，因此对比文件公开了含有喹啉基的电子传输材料。 |
| 技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度《未公开》 | 对比文件未提及浓度梯度。 | 未公开。 |
| 技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层《隐含公开》 | “在实施例15-17中，在发光层和电子传输层之间，作为空穴注入限制层，以0.2nm/sec的沉积速率蒸镀Alq₃，膜厚10nm。”（具体实施例） | 对比文件在发光层和n型掺杂的电子传输层之间设置了由电子传输材料Alq₃形成的层，尽管其功能被描述为限制空穴，但其材料为电子传输材料，且位于该位置，本领域技术人员可能将其视为电子传输层，因此隐含公开。 |
| 技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成《直接公开》 | “优选使用与电子传输层所用的电子传输材料相同的材料作为构成空穴注入限制层的材料。”（具体实施方式） | 对比文件直接公开该层由与电子传输层相同的电子传输材料形成。 |
| 技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触《未公开》 | 对比文件中电子传输层71与阴极接触，但阴极不是透明阴极。 | 未公开透明阴极，因此未公开。 |
| 技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层《直接公开》 | “空穴传输层31至少包含空穴传输材料13和受体23。”（具体实施方式） | 对比文件公开了空穴传输层，因此直接公开了至少空穴传输层。 |
| 技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上《直接公开》 | “在阳极2上形成空穴传输层31（或3）。”（具体实施方式及附图） | 对比文件中最临近阳极的有机材料层是空穴传输层，直接公开了最临近阳极的层存在。 |
| 技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物《未公开》 | 对比文件未公开式23化合物。 | 未公开。 |
| 技术特征V：[式23]《未公开》 | 未公开。 | 未公开。 |
| 技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO₂)、磺酰基(-SO₂R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO₂NR)、磺酸酯基(-SO₃R)、三氟甲基(-CF₃)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺《未公开》 | 未公开。 | 未公开。 |
| 技术特征X：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中《未公开》 | 未公开。 | 未公开。 |
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