**对比文件名称：** 1997-07-08_US5645948A_发明授权_US5645948A Blue organic electroluminescent devices
**目标专利名称：** 1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
**本次调用的模型名称：** DeepSeek Chat
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括基板 《直接公开》 | 实施例3 a)：“将涂有氧化铟锡（ITO）的玻璃基板依次在商业洗涤剂中超声清洗，用去离子水漂洗，在甲苯蒸气中脱脂，并暴露于紫外光和臭氧中几分钟。” | 对比文件明确公开了EL器件使用玻璃基板作为支撑体，本领域技术人员可直接确定其包括基板。 |
| 技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极 《未公开》 | 对比文件全文未公开将透明阴极设置在基板上的结构；其阴极均为Mg:Ag合金（不透明）且位于器件顶部（非基板侧）。 | 对比文件采用正序结构，阳极在基板上，阴极在上方，且阴极材料不透明，不存在“设置在基板上的透明阴极”。 |
| 技术特征C：阳极 《直接公开》 | 实施例3 a) 及其他部分：“涂有氧化铟锡（ITO）的玻璃基板”中的ITO层即为阳极；详细描述中明确“包含由氧化锡或氧化铟锡形成的透明阳极”。 | 对比文件直接公开了阳极的存在，且其由ITO等导电材料形成。 |
| 技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层 《未公开》 | 对比文件公开的有机EL介质位于阳极与阴极之间，但其阴极并非透明阴极，且位于上方，与目标专利的“透明阴极在下、阳极在上”的倒序结构不同。 | 由于对比文件不存在透明阴极，因此无法公开“设置在透明阴极和阳极之间”这一特定位置关系。 |
| 技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层 《未公开》 | 对比文件公开了发光层（如TPBI或掺杂层）和电子传输层（如Alq），但电子传输层为未掺杂的纯材料，无任何关于n型掺杂的记载。 | 对比文件中的电子传输层仅由纯电子传输材料构成，未提及掺杂，因此未公开“n型掺杂的电子传输层”。 |
| 技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂 《未公开》 | 对比文件全文未出现任何关于n型掺杂剂或掺杂电子传输层的描述。 | 对比文件未公开任何掺杂技术，因此不可能公开电子传输材料与n型掺杂剂的组合。 |
| 技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件既无透明阴极，也无n型掺杂层，故该特征完全未公开。 |
| 技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％ 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未涉及掺杂含量，该数值范围特征未公开。 |
| 技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开任何所列掺杂剂。 |
| 技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成 《直接公开》 | 详细描述：“如果需要从有机EL器件通过阳极透光，可以方便地通过将薄导电层涂覆在透明基板上实现……包括由氧化锡或氧化铟锡涂覆在玻璃板上的透明阳极。” | 对比文件公开了透明阳极由ITO（功函数约4.5-5.0eV，>2.7eV）形成，本领域技术人员可确定该材料功函数>2.7eV，因此直接公开了该特征（至少针对阳极）。 |
| 技术特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成 《未公开》 | 对比文件阴极材料为Mg:Ag合金，非透明金属氧化物。 | 对比文件未公开透明阴极，更未公开其由ITO、IZO或ZnO形成。 |
| 技术特征L：所述阳极是透明的 《直接公开》 | 详细描述：“包括由氧化锡或氧化铟锡涂覆在玻璃板上的透明阳极。” | 对比文件明确公开阳极是透明的。 |
| 技术特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极 《直接公开》 | 实施例3 a) 及详细描述均使用ITO作为阳极材料。 | 对比文件公开了阳极由ITO（透明金属氧化物）形成，直接覆盖了该特征。 |
| 技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物 《未公开》 | 对比文件电子传输层使用Alq（三(8-羟基喹啉)铝），其含有喹啉基团。但该电子传输层并非n型掺杂。 | 虽然Alq含有喹啉基，但特征N明确限定在“n型掺杂的电子传输层”中，对比文件未公开任何n型掺杂层，因此该特征整体未公开。 |
| 技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未涉及任何掺杂浓度梯度。 |
| 技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层 《未公开》 | 对比文件有机层结构中，电子传输层（Alq）直接位于发光层之上或之下，但无n型掺杂层，更无其与发光层之间的额外电子传输层。 | 由于不存在n型掺杂层，该特征无法公开。 |
| 技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成 《未公开》 | 无相关记载。 | 同特征P，未公开。 |
| 技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触 《未公开》 | 对比文件阴极（Mg:Ag）与Alq电子传输层接触，但阴极不透明且非透明阴极，且Alq层未掺杂。 | 未公开n型掺杂层与透明阴极接触。 |
| 技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层 《直接公开》 | 实施例3 b) 和 c)：“在ITO涂覆的基板上沉积铜酞菁（150Å）空穴注入层，然后在铜酞菁层上沉积N,N'-双(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺（600Å）空穴传输层。” | 对比文件直接公开了有机材料层包含空穴注入层和空穴传输层，满足该特征。 |
| 技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上 《直接公开》 | 实施例3 b) 及图3：最临近阳极（ITO）的有机层是空穴注入层（铜酞菁），位于有机材料层的最上侧（靠近阳极）。 | 对比文件公开了有机材料层中与阳极直接接触的层（空穴注入层），即最临近阳极的层。 |
| 技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开式23的化合物，其发光层为苯并唑类衍生物，结构不同。 |
| 技术特征V：[式23] 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未包含式23的化学结构。 |
| 技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开式23化合物，故其取代基定义亦未公开。 |
| 技术特征X：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开式23化合物中的R和R’定义。 |
**结论：**
对比文件直接公开了技术特征A、C、L、S、T、M、J。
未直接公开或隐含公开其他技术特征。
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