对比文件名称：2007-10-04_US2007228948A_发明申请_US20070228948A1 ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE
目标专利名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译，注明段落） | 公开性论述 |
| 特征A：其包括基板《直接公开》 | 段落[0019]：“...all of which are formed on a substrate 15...” 翻译：...全部形成在基板15上。 | 对比文件明确记载了发光器件包括基板，与目标专利的基板作用相同，均为支撑结构。因此直接公开。 |
| 特征B：设置在所述基板上的透明阴极《未公开》 | 无 | 对比文件中阴极形成在有机层上，远离基板，阴极未设置在基板上。对比文件未公开阴极与基板直接接触的倒序结构，因此本特征未公开。 |
| 特征C：阳极《直接公开》 | 段落[0019]：“...an anode 14...” 翻译：...阳极14... | 对比文件明确记载了阳极，与目标专利的阳极作用相同，均为电极。直接公开。 |
| 特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层《直接公开》 | 段落[0019]和[0023]：器件结构包括阳极、有机化合物层、阴极，且阴极可以由透明导电材料如ITO形成（[0023]：“the cathode 17 is preferably transparent and may be made of a transparent conductive material such as ITO.”）。翻译：阴极17优选是透明的，可以由透明导电材料如ITO制成。 | 对比文件公开了有机材料层位于阳极和阴极之间，且阴极可以是透明导电材料，因此有机材料层位于透明阴极和阳极之间。直接公开。 |
| 特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层《直接公开》 | 段落[0010]：“...a light emitting layer formed between the anode and the cathode; an electron injecting and transporting layer formed between the cathode and the light emitting layer...contains an electron transporting material and cesium carbonate as an electron injection dopant material.” 翻译：...形成在阳极和阴极之间的发光层；形成在阴极和发光层之间的电子注入/传输层...包含电子传输材料和作为电子注入掺杂剂的碳酸铯。 | 对比文件明确公开了发光层和包含电子传输材料与掺杂剂的电子注入/传输层（即n型掺杂的电子传输层）。直接公开。 |
| 特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂《直接公开》 | 同上，段落[0010]明确记载电子注入/传输层包含电子传输材料和碳酸铯（n型掺杂剂）。 | 直接公开。 |
| 特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间《直接公开》 | 同上，段落[0010]：电子注入/传输层形成在阴极和发光层之间；且阴极可以是透明（[0023]）。 | 直接公开。 |
| 特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％《隐含公开》 | 对比文件表1及段落[0028]-[0034]：各区域掺杂浓度，例如区域b为4.0-6.0wt%，区域a和c小于1wt%，区域d为4.0-6.0wt%。实施例1平均浓度约2.2wt%，实施例2平均约1.26wt%，均在1-20wt%范围内。 | 对比文件虽未直接标明整体含量范围，但本领域技术人员从实施例浓度分布可计算得整体平均含量在1-20wt%之间，且该范围属于常规调整。因此隐含公开。 |
| 特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种《直接公开》 | 段落[0010]：使用碳酸铯（Cs2CO3）作为电子注入掺杂剂。 | 碳酸铯明确列于目标专利的n型掺杂剂列表中，因此直接公开。 |
| 特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成《隐含公开》 | 段落[0022]：阳极材料优选具有大功函数的导电材料。段落[0023]：阴极可由透明导电材料如ITO形成。本领域公知ITO的功函数约为4.7eV，大于2.7eV。 | 对比文件虽未明确给出功函数数值，但本领域技术人员已知ITO等透明导电氧化物功函数远高于2.7eV，且对比文件教导优选大功函数材料，因此隐含公开。 |
| 特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成《直接公开》 | 段落[0023]：“the cathode 17 is preferably transparent and may be made of a transparent conductive material such as ITO.” 翻译：阴极17优选透明，可由透明导电材料如ITO形成。 | 对比文件直接公开了阴极由ITO形成，ITO属于所列透明金属氧化物之一。直接公开。 |
| 特征L：所述阳极是透明的《未公开》 | 段落[0022]及实施例：阳极由Ag层和ITO层构成，Ag不透明；虽提及可使用透明导电材料，但未明确阳极必须是透明的。 | 对比文件实施例中阳极不透明，且未强调阳极透明，因此未公开本特征。 |
| 特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极《未公开》 | 对比文件实施例中阳极包含ITO层，但整体因Ag层而不透明，且未公开阳极单独由透明金属氧化物形成。 | 未公开透明阳极。 |
| 特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物《直接公开》 | 段落[0026]：“Examples of an electron transporting material ... include ... an aluminum quinolinol derivative...” 翻译：电子传输材料的例子包括铝喹啉醇衍生物。 | 铝喹啉醇衍生物含有喹啉基团，属于所列举的官能团。因此直接公开。 |
| 特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度《直接公开》 | 段落[0010]：电子注入/传输层具有第一区域、第二区域、第三区域，它们彼此掺杂剂浓度不同。段落[0017]：浓度从发光层侧开始低、高、低变化。 | 对比文件明确公开了浓度梯度，与目标专利的浓度梯度作用相同（改善性能）。直接公开。 |
| 特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层《未公开》 | 对比文件中n型掺杂的电子传输层直接与发光层接触（[0010]：“brought in contact with ... the light emitting layer”）。 | 对比文件未设置额外的电子传输层，因此未公开。 |
| 特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成《未公开》 | 基于特征P未公开，故本特征也未公开。 | 未公开。 |
| 特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触《直接公开》 | 段落[0010]：电子注入/传输层与阴极接触（“brought in contact with the cathode”）。且阴极可为透明。 | 直接公开。 |
| 特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层《直接公开》 | 段落[0019]：器件包括空穴传输层13。 | 直接公开至少空穴传输层。 |
| 特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上《直接公开》 | 图1和段落[0019]：有机材料层中空穴传输层13直接接触阳极14，位于最临近阳极的最上侧。 | 直接公开。 |
| 特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物《未公开》 | 对比文件未公开式23化合物。 | 未公开。 |
| 特征V：[式23]《未公开》 | 同上。 | 未公开。 |
| 特征W：其中，R1d至R6d各自选自...《未公开》 | 同上。 | 未公开。 |
| 特征X：R和R’各自选自...《未公开》 | 同上。 | 未公开。 |
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