对比文件名称：2006-04-13_JP2006100245A_发明专利_JP2006100245A El element
目标专利名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括基板（直接公开） | 对比文件多处提到“透明基板”，例如：“透明基板の上に第一透明電極層（陽極）...” 翻译：“在透明基板上形成第一透明电极层（阳极）...” | 对比文件明确公开了基板（透明基板），本领域技术人员可直接得出。 |
| 技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极（未公开） | 对比文件公开的是“透明基板の上に第一透明電極層（陽極）”，即阳极设置在基板上，阴极（第二透明电极）设置在有机层上。 | 对比文件没有公开阴极直接设置在基板上的结构，而是阳极在基板上，因此未公开。 |
| 技术特征C：阳极（直接公开） | 对比文件公开了“第一透明電極層（陽極）”，即阳极。 | 对比文件直接公开了阳极，作用相同。 |
| 技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层（直接公开） | 对比文件公开了有机材料层（包括正孔輸送層、有機発光層等）设置在第一透明电极（阳极）和第二透明电极（阴极）之间。 | 对比文件的有机材料层位于阳极和阴极之间，与目标专利的透明阴极和阳极之间的位置关系一致，直接公开。 |
| 技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层（未公开） | 对比文件公开了有机发光层和电子注入层，但未公开n型掺杂的电子传输层。 | 对比文件没有公开任何掺杂的电子传输层，更未提到n型掺杂。 |
| 技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件没有提及。 |
| 技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件没有n型掺杂的电子传输层。 |
| 技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件没有公开含量。 |
| 技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自...至少一种（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件没有公开这些掺杂剂用于电子传输层掺杂。 |
| 技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成（直接公开） | 对比文件公开了透明电极由ITO、IZO等形成，例如：“透明電極はＩＴＯ、ＩＺＯ、ＳｎＯ２、及びＺｎＯ等の透明導電膜として形成される”。翻译：“透明电极形成为ITO、IZO、SnO2、ZnO等透明导电膜。” | 这些材料的功函数通常大于4.5eV，满足2.7eV以上，本领域技术人员可直接确定。 |
| 技术特征K：所述透明阴极由选自ITO、IZO和ZnO中的至少一种透明金属氧化物形成（直接公开） | 对比文件实施例中第二透明电极（阴极）由IZO形成，并提到“第二透明電極（陰極）としてＩＺＯ透明電極”。翻译：“作为第二透明电极（阴极）形成IZO透明电极。” | 对比文件直接公开了透明阴极由IZO形成，属于所列材料之一。 |
| 技术特征L：所述阳极是透明的（直接公开） | 对比文件公开了第一透明电极（阳极）是透明的，例如：“第一透明電極層（陽極）となるＩＴＯ透明電極”。翻译：“形成作为第一透明电极层（阳极）的ITO透明电极。” | 对比文件直接公开了阳极透明。 |
| 技术特征M：所述阳极为由选自ITO、IZO和ZnO中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极（直接公开） | 对比文件公开了第一透明电极（阳极）由ITO形成，例如：“第一透明電極層（陽極）となるＩＴＯ透明電極”。翻译：“形成作为第一透明电极层（阳极）的ITO透明电极。” | 对比文件直接公开了透明阳极由ITO形成。 |
| 技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件没有公开这些电子传输材料的具体官能团。 |
| 技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件没有公开浓度梯度。 |
| 技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件没有公开n型掺杂的电子传输层，因此也无从设置。 |
| 技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层（直接公开） | 对比文件公开了“正孔輸送層”和“正孔注入層”，例如：“正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層の構造のものや”。翻译：“正孔注入层/正孔输送层/有机发光层/电子输送层的结构等。” | 对比文件直接公开了空穴传输层和空穴注入层，作用相同。 |
| 技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上（未公开） | 对比文件中，有机材料层最临近阳极的层是正孔注入层或正孔输送层，但因阳极位于基板上，该层位于有机材料层最下侧，而非最上侧。 | 技术特征T明确限定“最上侧”，与对比文件的方向相反，未公开。 |
| 技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件没有公开式23化合物。 |
| 技术特征V：[式23]（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件没有公开该化学式。 |
| 技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自...（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件没有公开这些取代基定义。 |
| 技术特征X：R和R’各自选自...（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件没有公开。 |
### 公开性代码
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