对比文件名称：2005-03-30_CN1602556A_发明公开_CN1602556A 透光、热稳定的含有有机层的发光元件
目标专利名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：无
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括基板《直接公开》 | 对比文件在反转结构描述中明确列出：“1.载流子，底基”；并在实施例中具体化为：“-1a：底基，例如玻璃”。 | 对比文件公开了有机发光二极管包括基板，与目标专利中基板的作用相同（作为承载结构），因此直接公开。 |
| 技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极《直接公开》 | 反转结构描述：“2a.透光电极，例如ITO，能注入电子(阻挠极-负极)”；实施例：“-2a：阴极：ITO如外购，不处理”。 | 对比文件公开了在基板上直接形成透明阴极（ITO），用于注入电子，与目标专利中透明阴极设置在基板上的结构和功能一致，因此直接公开。 |
| 技术特征C：阳极《直接公开》 | 反转结构描述：“8a.透光电极，注入空穴的(阳极＝正极)，例如ITO”；实施例：“-8a：透光电极(阳极)锢-锡-氧化物(ITO)”。 | 对比文件公开了与阴极相对的阳极，用于注入空穴，与目标专利的阳极作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层《直接公开》 | 反转结构列出位于阴极和阳极之间的多个膜层：“3a.n-掺杂的，注入和传输电子的膜层，4a.电子侧的屏蔽层，5a.电致发光的膜层，6a.空穴侧的屏蔽层，7a.p-掺杂的，注入和传输空穴的膜层”。 | 对比文件明确公开了在透明阴极和阳极之间设置有机材料层（包括多层有机功能层），与目标专利的有机材料层位置和功能相同，因此直接公开。 |
| 技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层《直接公开》 | 反转结构中包括：“3a.n-掺杂的，注入和传输电子的膜层”和“5a.电致发光的膜层”。 | 对比文件公开了有机材料层包含发光层和n型掺杂的电子传输层，两者功能与目标专利相同，因此直接公开。 |
| 技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂《直接公开》 | 实施例中具体化：“3a：n-掺杂的传输电子的膜层，20nm Bphen：Li 1∶1分子混合比较”，即电子传输材料Bphen和n型掺杂剂Li。 | 对比文件公开了n型掺杂的电子传输层由电子传输材料（Bphen）和n型掺杂剂（Li）组成，与目标专利的构成一致，因此直接公开。 |
| 技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间《直接公开》 | 反转结构膜层顺序：2a阴极 → 3a n-掺杂电子传输层 → 4a电子侧屏蔽层 → 5a发光层，即n-掺杂层位于阴极和发光层之间。 | 对比文件公开了n型掺杂的电子传输层位于透明阴极和发光层之间（中间可以有其他层），与目标专利的位置关系相同，因此直接公开。 |
| 技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％《未公开》 | 对比文件仅提到“典型的摩尔掺杂浓度在1∶10至1∶1000的范围内”，实施例中为1:1（摩尔比），未涉及重量百分比。 | 对比文件没有公开或暗示n型掺杂剂的重量百分比范围，其给出的摩尔比范围与目标专利的特定重量百分比范围无直接对应关系，且实施例中掺杂剂（Li）的比例远高于目标专利的范围，因此本领域技术人员不能从对比文件直接得出1-20wt%的技术方案，故未公开。 |
| 技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种。《直接公开》 | 实施例中n型掺杂剂使用了Li（锂），属于所列物质之一。 | 对比文件在实施例中明确使用Li作为n型掺杂剂，且Li在目标专利的列表中，因此直接公开了该特征。 |
| 技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成。《直接公开》 | 对比文件指出：“ITO的逸出功可以例如通过臭氧化和/或氧-等离子体灰化，可改变约4.2eV至4.9eV”；并明确阴极和阳极均使用ITO。 | 对比文件公开了透明电极（ITO）的功函数可达到4.2eV以上，远高于2.7eV，因此直接公开了该特征。 |
| 技术特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成。《直接公开》 | 反转结构阴极明确为：“2a.透光电极，例如ITO”。 | 对比文件公开了透明阴极使用ITO，属于所列材料之一，因此直接公开。 |
| 技术特征L：所述阳极是透明的。《直接公开》 | 反转结构阳极描述为：“8a.透光电极，注入空穴的(阳极＝正极)，例如ITO”。 | 对比文件公开了阳极是透光（透明）的，与目标专利的透明阳极一致，因此直接公开。 |
| 技术特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极。《直接公开》 | 反转结构阳极明确为：“8a.透光电极，注入空穴的(阳极＝正极)，例如ITO”。 | 对比文件公开了阳极使用ITO透明金属氧化物，属于所列材料，因此直接公开。 |
| 技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物。《直接公开》 | 实施例中电子传输材料为Bphen（红菲咯啉，即bathophenanthroline），其含有邻二氮杂菲基团。 | 对比文件公开了电子传输材料Bphen含有邻二氮杂菲官能团，属于所列举的官能团之一，因此直接公开。 |
| 技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度。《未公开》 | 对比文件全文未提及n型掺杂剂在电子传输层厚度方向上的浓度梯度。 | 对比文件没有任何关于掺杂剂浓度梯度的描述或暗示，因此未公开。 |
| 技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层。《直接公开》 | 反转结构中包括“4a.电子侧的屏蔽层：10nm Bphen”，该层位于n-掺杂层（3a）和发光层（5a）之间，且Bphen是电子传输材料。 | 对比文件公开了在n型掺杂的电子传输层和发光层之间设置了一层电子传输层（屏蔽层），与目标专利的附加电子传输层作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成。《直接公开》 | 实施例中n-掺杂层为Bphen:Li，屏蔽层为Bphen（未掺杂），两者电子传输材料相同（均为Bphen）。 | 对比文件公开了该附加电子传输层与n型掺杂的电子传输层使用相同的电子传输材料（Bphen），因此直接公开。 |
| 技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触。《直接公开》 | 反转结构膜层顺序：2a阴极直接位于3a n-掺杂层之上，即两者接触。 | 对比文件公开了n型掺杂的电子传输层直接与透明阴极接触，与目标专利的接触关系相同，因此直接公开。 |
| 技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层。《直接公开》 | 反转结构中包括“7a.p-掺杂的，注入和传输空穴的膜层”，即空穴传输层（兼注入功能）。 | 对比文件公开了有机材料层包含空穴传输层，该层也可起空穴注入作用，因此直接公开了空穴传输层，满足“至少一层”的要求。 |
| 技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上《直接公开》 | 反转结构中阳极（8a）下方的有机材料层最上层是“7a.p-掺杂的，注入和传输空穴的膜层”。 | 对比文件公开了有机材料层中最临近阳极（即最上侧）的层是p-掺杂空穴传输层，因此直接公开了该特征。 |
| 技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物《未公开》 | 对比文件全文未提及式23所示结构的化合物。 | 对比文件没有任何关于式23化合物的描述，因此未公开。 |
| 技术特征V：[式23]《未公开》 | 对比文件未给出式23的化学式。 | 同特征U，未公开。 |
| 技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺《未公开》 | 对比文件未涉及式23化合物的任何取代基定义。 | 对比文件没有公开或暗示该特定取代基定义，因此未公开。 |
| 技术特征X：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中。《未公开》 | 对比文件未涉及式23化合物中的R和R’定义。 | 对比文件没有公开该特征，因此未公开。 |
### 结论：直接公开的特征代码
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<F>>><<<G>>><<<I>>><<<J>>><<<K>>><<<L>>><<<M>>><<<N>>><<<P>>><<<Q>>><<<R>>><<<S>>><<<T>>>