对比文件名称：2006-11-30_WO2006127315A_发明申请_WO2006127315A2 OLED ELECTRON-TRANSPORTING LAYER
目标专利名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：其包括基板（直接公开）** | [p0019] “OLED 500 includes substrate 110, cathode 180, EIL 170, ETL 160, LEL 150, HTL 140, HIL 130, and anode 120.” 翻译：OLED 500包括基板110、阴极180、EIL 170、ETL 160、LEL 150、HTL 140、HIL 130和阳极120。 | 对比文件明确记载了基板（substrate 110），因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极（直接公开）** | [p0019] 同上，阴极180直接设置在基板110上。<br>[p0157] “When light emission is viewed through the cathode, cathode 180 should be transparent or nearly transparent. For such applications, metals should be thin or one should use transparent conductive oxides, or include these materials.” 翻译：当光通过阴极发射时，阴极180应当透明或几乎透明。对于此类应用，金属应很薄，或者应使用透明导电氧化物，或包含这些材料。 | 对比文件公开了阴极180位于基板上，且阴极可以是透明的（如使用透明导电氧化物），因此直接公开了透明阴极。 |
| **技术特征C：阳极（直接公开）** | [p0019] 同上，阳极120存在于OLED 500中。 | 对比文件明确记载了阳极（anode 120），因此直接公开。 |
| **技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层（直接公开）** | [p0019] 图5所示，有机材料层包括EIL 170、ETL 160、LEL 150、HTL 140、HIL 130，位于阴极180和阳极120之间。 | 对比文件公开了倒序结构中阴极和阳极之间的有机层叠层，因此直接公开。 |
| **技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层（直接公开）** | [p0019] 发光层LEL 150存在。<br>[p0134] “EIL 170 is an n-type doped layer containing at least one electron-transporting material as a host material and at least one n-type dopant.” 翻译：EIL 170是n型掺杂层，包含至少一种电子传输材料作为主体材料和至少一种n型掺杂剂。 | 对比文件公开了发光层（LEL）和n型掺杂的电子注入层（EIL），该EIL实质上起到电子传输作用，且属于n型掺杂的电子传输层，因此直接公开。 |
| **技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂（直接公开）** | [p0134] 同上，EIL包含电子传输材料和n型掺杂剂。 | 对比文件明确记载n型掺杂层包含电子传输材料和n型掺杂剂，因此直接公开。 |
| **技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间（直接公开）** | [p0019] 图5倒序结构中，EIL 170位于阴极180和LEL 150之间（中间有ETL 160，但EIL仍在两者之间）。 | 对比文件公开了EIL（n型掺杂层）位于阴极和发光层之间，因此直接公开。 |
| **技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％（隐含公开）** | [p0154] “The n-type doped concentration is preferably in the range of 0.01-20% by volume of this layer.” 翻译：n型掺杂浓度优选为该层体积的0.01-20%。<br>[p0133] 对于ETL中的掺杂剂，浓度范围同样为0.01% to 20% by volume。 | 对比文件公开了掺杂剂的体积百分比范围（0.01-20% by volume），该范围与目标专利的重量百分比范围（1-20wt%）存在重叠，且本领域技术人员通过材料密度可以合理推断出相应的重量百分比，因此隐含公开。 |
| **技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种（直接公开）** | [p0154] “The n-type dopant ... is selected from alkali metals, alkali metal compounds, alkaline earth metals, or alkaline earth metal compounds, or combinations thereof.” 翻译：n型掺杂剂选自碱金属、碱金属化合物、碱土金属或碱土金属化合物，或其组合。<br>“Among the class of metal-containing n-type dopants, Li, Na, K, Rb, Cs, Mg, Ca, Sr, Ba, La, Ce, Sm, Eu, Tb, Dy, or Yb, and their compounds, are particularly useful.” 翻译：在含金属的n型掺杂剂中，Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、La、Ce、Sm、Eu、Tb、Dy或Yb及其化合物特别有用。 | 对比文件公开了碱金属、碱土金属及其化合物（包括卤化物、氧化物等），具体列举了Li、Na、K、Cs、Mg、Ca等金属，这些金属的化合物如NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、LiF、KF均属于碱金属或碱土金属化合物，且对比文件明确提到“their compounds”，因此直接公开了这些掺杂剂。 |
| **技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成（隐含公开）** | [p0021] 列举阳极材料包括ITO、IZO等透明导电氧化物。<br>[p0157] 阴极可以使用透明导电氧化物。 | 对比文件公开了透明阴极和阳极可由ITO、IZO等透明导电氧化物形成，这些材料通常具有高于2.7eV的功函数（例如ITO功函数约4.5-5.0eV），本领域技术人员知晓其功函数特性，因此隐含公开。 |
| **技术特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成（隐含公开）** | [p0157] “... one should use transparent conductive oxides, or include these materials.” 翻译：应使用透明导电氧化物或包含这些材料。<br>[p0021] 阳极材料列举了indium-tin oxide（ITO）、indium-doped zinc oxide（IZO）等。 | 对比文件公开了阴极可使用透明导电氧化物，虽然未具体列出ITO、IZO、ZnO，但本领域技术人员公知这些材料是常用的透明导电氧化物，且阳极材料中已明确列举了ITO和IZO，因此隐含公开了透明阴极可由这些材料形成。 |
| **技术特征L：所述阳极是透明的（直接公开）** | [p0020] “When EL emission is viewed through the top electrode, the transmissive characteristics of the anode material are immaterial and any conducting or semiconducting material is used, regardless if it is transparent, opaque or reflective.” 但实施例中阳极通常由ITO等透明材料形成。<br>[p0021] 列举阳极材料包括ITO等透明氧化物。 | 对比文件在实施例中使用的阳极材料为ITO（透明导电氧化物），且公开了阳极可由透明材料形成，因此直接公开。 |
| **技术特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极（直接公开）** | [p0021] “The conducting or semiconducting compound is selected from indium-tin oxide, tin oxide, aluminum-doped zinc oxide, indium-doped zinc oxide, magnesium-indium oxide, nickel-tungsten oxide, or the combination thereof.” 翻译：导电或半导体化合物选自氧化铟锡、氧化锡、铝掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁铟氧化物、镍钨氧化物或其组合。 | 对比文件明确列出了ITO和IZO（indium-doped zinc oxide）作为阳极材料，且这些材料是透明的，因此直接公开。 |
| **技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物（直接公开）** | [p0154] EIL中使用的电子传输材料包括Alq3（含喹啉基）、Bphen（含邻二氮杂菲基）、BCP（含邻二氮杂菲基）、TRAZ（含三嗪基）等。<br>[p0153] “An example of a useful benzazole is 2,2',2”-(1,3,5-phenylene)tris[1-phenyl-1H-benzimidazole].” 翻译：有用的苯并唑的一个例子是2,2',2”-(1,3,5-亚苯基)三[1-苯基-1H-苯并咪唑]（含咪唑基）。<br>“benzazole derivatives”包括苯并咪唑、苯并噁唑、苯并噻唑等。 | 对比文件公开了含喹啉基的Alq3、含邻二氮杂菲基的Bphen和BCP、含咪唑基的苯并咪唑衍生物，以及苯并噁唑、苯并噻唑等苯并唑衍生物，因此直接公开了这些官能团。 |
| **技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度（未公开）** | 对比文件未提及浓度梯度。 | 对比文件没有描述n型掺杂剂在厚度方向上的浓度梯度，因此未公开。 |
| **技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层（直接公开）** | [p0019] 图5倒序结构中，在EIL 170和LEL 150之间设置有ETL 160。 | 对比文件明确公开了在n型掺杂层（EIL）和发光层（LEL）之间存在电子传输层（ETL），因此直接公开。 |
| **技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成（隐含公开）** | [p0133] 实施例1：ETL（c层）为Alq，EIL（d层）为Alq掺杂锂，材料相同。<br>但对比文件未强制要求相同。 | 对比文件虽然未规定必须相同，但实施例1中ETL和EIL使用了相同的电子传输材料（Alq），表明本领域技术人员可以选择相同材料，且该选择是常规的，因此隐含公开。 |
| **技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触（直接公开）** | [p0019] 图5倒序结构中，EIL 170直接设置在阴极180上。 | 对比文件公开了n型掺杂层（EIL）与阴极直接接触，因此直接公开。 |
| **技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层（直接公开）** | [p0019] 倒序结构包括HTL 140和HIL 130。 | 对比文件明确公开了空穴传输层（HTL）和空穴注入层（HIL），因此直接公开。 |
| **技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上（直接公开）** | [p0019] 图5中，最临近阳极120的层是HIL 130（或HTL 140，如果HIL不存在）。 | 对比文件公开了在倒序结构中，最靠近阳极的有机层是空穴注入层或空穴传输层，因此直接公开。 |
| **技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物（未公开）** | 对比文件未提及式23化合物。 | 对比文件没有公开或暗示该特定化合物，因此未公开。 |
| **技术特征V：[式23]（未公开）** | 对比文件未包含该化学式。 | 未公开。 |
| **技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自...（未公开）** | 对比文件未涉及该式。 | 未公开。 |
| **技术特征X：R和R’各自选自...（未公开）** | 对比文件未涉及该定义。 | 未公开。 |
### 代码输出
根据上述判断，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、D、E、F、G、I、L、M、N、P、R、S、T；隐含公开了技术特征H、J、K、Q。未公开特征O、U、V、W、X。因此，输出以下代码：
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<F>>><<<G>>><<<I>>><<<L>>><<<M>>><<<N>>><<<P>>><<<R>>><<<S>>><<<T>>><<<h>>><<<j>>><<<k>>><<<q>>>