对比文件名称：2007-03-08_JP2007059781A_发明专利_JP2007059781A Submount-attached light emitting element and light emitting device
目标专利名称：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
本次调用的模型名称：AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构《直接公开》 | “LED元件20是在蓝宝石衬底上通过晶体生长GaN基半导体化合物形成的蓝色LED元件。”（来自“（サブマウント付発光素子２の構成）”部分） | 对比文件明确公开了LED元件20，其作为发光结构，与目标专利的发光结构功能相同，构成直接公开。 |
| 技术特征B：所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层《隐含公开》 | 对比文件未明确描述层结构，但记载了LED元件是GaN基半导体化合物形成的蓝色LED。 | 本领域技术人员公知，蓝色LED必然包含n型层、p型层和有源层，从对比文件公开的LED元件可以合理推断出此结构，符合隐含公开的宽松标准。 |
| 技术特征C：所述发光结构上的透射层《未公开》 | 对比文件公开了透明子安装座21位于LED元件下方，且封止树脂5包围器件。 | 对比文件未公开在发光结构上（即出光面侧）形成透射层，透明子安装座位于发光结构下方，位置、作用均不同，无法直接或隐含公开。 |
| 技术特征D：所述透射层上的荧光材料层《未公开》 | 对比文件提到封止树脂或透明子安装座可以含有荧光体。 | 对比文件未公开在透射层上形成荧光材料层，荧光体混合在树脂或子安装座中，并非独立的层，且无透射层，故未公开。 |
| 技术特征E：其中，所述荧光材料层包括图案《未公开》 | 对比文件未提及荧光材料层具有图案。 | 对比文件没有任何关于荧光材料层图案的内容，无法直接或隐含公开。 |
| 技术特征F：其中，所述荧光材料层部分地暴露所述透射层和所述发光结构两者；并且，所述发光结构被垂直地设置以与所述透射层和所述荧光材料层两者重叠《未公开》 | 对比文件无类似结构描述。 | 对比文件未公开荧光材料层部分暴露透射层和发光结构，以及垂直重叠关系，完全未涉及。 |
| 技术特征G：其中，所述荧光材料层被形成在所述发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上《未公开》 | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开荧光材料层形成在发光结构横向侧面，无任何相关记载。 |
| 技术特征H：其中所述透射层的底表面设置在所述发光结构的顶表面上《未公开》 | 对比文件没有透射层。 | 对比文件未公开透射层，更无其底表面与发光结构顶表面的位置关系。 |
| 技术特征I：其中，所述透射层具有2μm至200μm的厚度《未公开》 | 对比文件未公开透射层厚度。 | 对比文件无透射层，无厚度范围公开。 |
| 技术特征J：其中，所述荧光材料层具有5μm至500μm的厚度《未公开》 | 对比文件未公开荧光材料层厚度。 | 对比文件无荧光材料层，无厚度范围公开。 |
| 技术特征K：其中，在构图工艺之后保留的所述荧光材料层的面积处于基于所述发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内《未公开》 | 对比文件未公开。 | 对比文件未涉及荧光材料层构图及面积比例。 |
| 技术特征L：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层包括所述图案《未公开》 | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开荧光材料层在发光结构侧面具有图案。 |
| 技术特征M：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层的厚度是被形成在所述透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小《未公开》 | 对比文件未公开。 | 对比文件无荧光材料层厚度关系内容。 |
| 技术特征N：进一步包括所述发光结构下面的第二电极《隐含公开》 | “通过Au凸点22与倒装型LED元件20导通连接”（来自“（サブマウント付発光素子２の構成）”部分） | 对比文件虽未明确描述第二电极结构，但LED元件通过Au凸点与子安装座电连接，必然存在用于连接的电极，本领域技术人员可以合理推断出发光结构下面设有第二电极，隐含公开。 |
| 技术特征O：在所述发光结构的顶表面上的至少两个第一电极《未公开》 | 对比文件是倒装型LED，电极位于底部与子安装座连接。 | 对比文件未公开在发光结构顶表面（出光面）设置电极，结构相反，无法公开。 |
| 技术特征P：其中，所述荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且，至少两个孔与所述图案的至少两个孔垂直地重叠《未公开》 | 对比文件未公开。 | 对比文件无荧光材料层图案孔及重叠关系。 |
| 技术特征Q：其中，所述发光结构的横向宽度比所述第二电极的小《未公开》 | 对比文件未公开。 | 对比文件未涉及发光结构与第二电极的宽度比较。 |
| 技术特征R：进一步包括在所述发光结构下的非导电衬底《直接公开》 | “LED元件20是在蓝宝石衬底上通过晶体生长GaN基半导体化合物形成的蓝色LED元件。”（来自“（サブマウント付発光素子２の構成）”部分） | 对比文件明确公开了蓝宝石衬底，其作为非导电衬底位于发光结构下，直接公开。 |
| 技术特征S：其中所述透射层包括硅胶《未公开》 | 对比文件未公开透射层。 | 对比文件无透射层，更无透射层材料为硅胶的公开。 |
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