对比文件名称：2009-02-26_JP2009043764A_发明专利_JP2009043764A Semiconductor light-emitting element, and method of manufacturing the same
目标专利名称：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
本次调用的模型名称：基于深度学习的专利分析模型
### 特征比对表
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构（直接公开） | 对比文件说明书第[0027]段：”半導体層は、通常、第１導電型半導体層、発光層及び第２導電型半導体層を含んで構成される。“（半导体层通常包括第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层） | 对比文件明确公开了半导体层（即发光结构），该半导体层是发光器件的主体，与目标专利的发光结构作用相同，均用于产生光。本领域技术人员可直接确定该特征。 |
| 技术特征B：所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层（直接公开） | 同特征A引用的段落，对比文件进一步明确：”第１導電型半導体層１４、発光層１５及び第２導電型半導体層１６を含んで構成される。“（包括第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层） | 对比文件直接公开了发光结构的具体组成，包括第一导电型半导体层、发光层（有源层）、第二导电型半导体层，且明确发光层位于第一和第二导电型半导体层之间，与目标专利技术特征B完全对应。 |
| 技术特征C：所述发光结构上的透射层（未公开） | 对比文件未公开在发光结构上设置单独的透射层。其封止部材在半导体层上面直接设置荧光体分布区域，仅在侧方设有透光性区域，但该区域不在发光结构顶表面。 | 目标专利的透射层是独立层，位于发光结构和荧光材料层之间，具有低热导和高透光性。对比文件没有在发光结构顶表面设置任何中间层，荧光体分布区域直接接触半导体层，因此未公开该特征，也无法合理推断出存在透射层。 |
| 技术特征D：所述透射层上的荧光材料层（未公开） | 对比文件未公开荧光材料层设置在透射层上，其荧光体分布区域直接设置在半导体层上。 | 由于对比文件没有公开透射层，荧光材料层（荧光体分布区域）是直接形成在半导体层上，而非透射层上，因此该特征未公开。 |
| 技术特征E：其中，所述荧光材料层包括图案（未公开） | 对比文件未公开荧光材料层具有图案。其荧光体分布区域为连续层状，覆盖半导体层上面。 | 目标专利的荧光材料层通过构图形成图案，以暴露部分区域。对比文件仅描述荧光体分布区域为层状，未提及任何图案化工艺或结构，本领域技术人员无法从对比文件得出图案特征。 |
| 技术特征F：其中，所述荧光材料层部分地暴露所述透射层和所述发光结构两者；并且中，所述发光结构被垂直地设置以与所述透射层和所述荧光材料层两者重叠（未公开） | 对比文件未公开荧光材料层部分暴露透射层和发光结构。其荧光体分布区域完全覆盖半导体层上面，不暴露任何下层。 | 该特征要求荧光材料层具有开口以暴露透射层和发光结构，且发光结构垂直方向与透射层和荧光材料层重叠。对比文件无透射层，且荧光体分布区域为连续覆盖，无暴露区域，因此未公开。 |
| 技术特征G：其中，所述荧光材料层被形成在所述发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上（未公开） | 对比文件明确将荧光体分布区域设置在半导体层上面，而侧方（横向侧面）为透光性区域，实质不含荧光体。 | 对比文件强调侧方区域为实质上不含荧光体的透光性区域，荧光体分布区域仅位于半导体层上面，因此未公开荧光材料层形成在横向侧面上。 |
| 技术特征H：其中所述透射层的底表面设置在所述发光结构的顶表面上（未公开） | 对比文件未公开透射层，故无透射层底表面。 | 该特征依赖于透射层的存在，对比文件不具有透射层，因此不可能公开该特征。 |
| 技术特征I：其中，所述透射层具有2μm至200μm的厚度（未公开） | 对比文件未公开透射层厚度，也未公开任何类似层的厚度。 | 对比文件无透射层，因此未公开其厚度范围。 |
| 技术特征J：其中，所述荧光材料层具有5μm至500μm的厚度（直接公开） | 对比文件说明书第[0035]段：”封止部材の上面の厚みを１０μｍ〜１００μｍとすることにより、蛍光体の種類や配置位置の自由度が広がる。“（将封止部材上面的厚度设为10μm～100μm，从而增加荧光体种类和配置位置的自由度） | 该厚度实质对应半导体层上面的荧光体分布区域（即荧光材料层）的厚度。对比文件明确给出了10μm～100μm的范围，该范围完全落入目标专利的5μm～500μm内，因此直接公开了荧光材料层具有厚度，且该厚度在5μm～500μm范围内。 |
| 技术特征K：其中，在构图工艺之后保留的所述荧光材料层的面积处于基于所述发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内（未公开） | 对比文件未涉及任何构图工艺，也未提及面积比例。 | 目标专利通过构图工艺使荧光材料层保留特定面积比例。对比文件无构图工艺，也未公开面积比例，因此未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层包括所述图案（未公开） | 对比文件未在横向侧面设置荧光材料层，更无图案。 | 该特征与特征G、E相关，对比文件未在横向侧面形成荧光材料层，也未形成图案，故未公开。 |
| 技术特征M：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层的厚度是被形成在所述透射层的荧光材料层厚度的两倍或者更小（未公开） | 对比文件未公开横向侧面荧光材料层厚度，也无透射层。 | 对比文件未在横向侧面设置荧光材料层，且无透射层，因此无法比较厚度关系，未公开。 |
| 技术特征N：进一步包括所述发光结构下面的第二电极（直接公开） | 对比文件说明书第[0035]段：”第１の電極１３としてＲｈを２００ｎｍで成膜したｐ電極と、第１の絶縁膜１７としてＳｉＯ２を膜厚０．２μｍとを、図５に示すように、ｐ型コンタクト層上に相互に隣接して交互に配置して形成する。“（形成第1电极作为p电极，以及第1绝缘膜） | 该第1电极（p电极）形成在p型半导体层上，即位于发光结构下面，与目标专利的第二电极（位于发光结构下面）作用相同，均用于电连接和反射。因此直接公开。 |
| 技术特征O：在所述发光结构的顶表面上的至少两个第一电极（未公开） | 对比文件公开了第2电极（n电极）形成在半导体层顶表面，但未提及至少两个，通常为单个电极。 | 目标专利要求在顶表面设置至少两个第一电极（如焊盘）。对比文件仅公开一个顶部电极，未给出多个电极的教导，本领域技术人员无法合理推断出至少两个，故未公开。 |
| 技术特征P：其中，所述荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且中，至少两个孔与所述图案的至少两个孔垂直地重叠（未公开） | 对比文件未公开图案化荧光材料层，无孔结构。 | 该特征涉及荧光材料层图案具有孔，且孔与图案垂直重叠。对比文件无图案，无透射层，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述发光结构的横向宽度比所述第二电极的小（未公开） | 对比文件未比较半导体层与第1电极的宽度。 | 目标专利明确发光结构宽度小于第二电极宽度。对比文件未提及两者尺寸关系，无法合理推断，故未公开。 |
| 技术特征R：进一步包括在所述发光结构下的非导电衬底（未公开） | 对比文件支持基板为导电材料（如Si），优选导电。 | 对比文件采用导电支持基板，未公开非导电衬底，且发光结构通过导电层连接，本领域技术人员不会联想到使用非导电衬底，因此未公开。 |
| 技术特征S：其中所述透射层包括硅胶（未公开） | 对比文件未公开透射层，其封止部材可使用硅树脂，但非透射层。 | 对比文件无透射层，故未公开透射层材料为硅胶。 |
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