对比文件名称：WO2008040315A2_Description_20260718_2101
目标专利名称：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
本次调用的模型名称：未指定
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| A: 包括发光结构（直接公开） | 对比文件说明书：描述“无衬底半导体层堆叠1用于从其前侧101发射电磁辐射。为此，它们包括一个有源层110，该有源层在此具有量子阱结构。” | 对比文件中的“Halbleiterschichtstapel”（半导体层堆叠）即为发光结构，其功能是发射电磁辐射，与目标专利的发光结构相同。因此，本领域技术人员可直接确定该特征被公开。 |
| B: 发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层（直接公开） | 对比文件说明书：描述“无衬底半导体层堆叠优选包括pn结、双异质结构、单量子阱或多量子阱结构用于辐射产生。” 并具体描述有n-接触层120和p-侧层140等。 | 对比文件中的半导体层堆叠具有pn结和量子阱有源层，隐含了p型和n型半导体层。本领域技术人员熟知LED结构必然包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层。因此，该特征被直接公开。 |
| C: 发光结构上的透射层（未公开） | 对比文件未公开任何在发光结构上的透射层。对比文件中的覆盖层10是直接形成在发光结构上的电绝缘层，其可包含荧光材料，但并非目标专利所述的具有低热传导性和高光透射性的透射层。 | 对比文件没有记载在发光结构上设置独立的透射层，也未暗示存在这样的层。因此，该特征未被对比文件直接或隐含公开。 |
| D: 透射层上的荧光材料层（未公开） | 对比文件未公开透射层，因此也没有透射层上的荧光材料层。对比文件中的荧光材料包含在覆盖层10中，该覆盖层直接形成在发光结构上。 | 由于对比文件没有透射层，因此不可能有透射层上的荧光材料层。该特征未被公开。 |
| E: 荧光材料层包括图案（直接公开） | 对比文件说明书：关于图3的描述“覆盖层10具有开口14。在开口14的区域中，覆盖层10不覆盖电接触区域4或电导层9。” | 对比文件中的荧光材料层（覆盖层10）具有开口，形成了图案。该图案用于暴露部分区域，与目标专利中荧光材料层包括图案（例如孔）的技术特征一致。因此，该特征被直接公开。 |
| F: 荧光材料层部分地暴露透射层和发光结构两者；并且发光结构被垂直地设置以与透射层和荧光材料层两者重叠（未公开） | 对比文件中的覆盖层10的开口14暴露的是电接触区域4或电导层9，而不是透射层和发光结构。且没有透射层。 | 对比文件未公开荧光材料层部分暴露透射层和发光结构，因为不存在透射层，且开口暴露的是电接触区域而非发光结构本身。因此，该特征未被公开。 |
| G: 荧光材料层被形成在发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上（直接公开） | 对比文件说明书：关于图3的描述“电绝缘覆盖层10覆盖半导体层堆叠1的前侧101，并且在此处延伸越过其侧面103到电导层9、屏障层8和/或载体2的第一主表面201上。” | 对比文件中的覆盖层10（包含荧光材料）不仅形成在发光结构的前侧，还形成在横向侧面上。因此，该特征被直接公开。 |
| H: 透射层的底表面设置在发光结构的顶表面上（未公开） | 对比文件未公开透射层，因此无此特征。 | 由于对比文件没有透射层，该特征未被公开。 |
| I: 透射层具有2μm至200μm的厚度（未公开） | 对比文件未公开透射层的厚度。 | 对比文件没有透射层，因此未公开其厚度范围。 |
| J: 荧光材料层具有5μm至500μm的厚度（未公开） | 对比文件未公开荧光材料层的具体厚度范围。 | 对比文件未给出荧光材料层的厚度数值，因此该特征未被公开。 |
| K: 在构图工艺之后保留的荧光材料层的面积处于基于发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内（未公开） | 对比文件未公开荧光材料层保留面积的比例。 | 对比文件没有涉及构图后荧光材料层面积与发光面积的比例，因此该特征未被公开。 |
| L: 发光结构的横向侧面处的荧光材料层包括所述图案（未公开） | 对比文件中，覆盖层10在侧面是连续的，没有形成图案。开口14仅位于前侧。 | 对比文件未公开在发光结构的横向侧面上的荧光材料层具有图案，因此该特征未被公开。 |
| M: 发光结构的横向侧面处的荧光材料层的厚度是被形成在透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小（未公开） | 对比文件未公开任何厚度关系。 | 对比文件没有涉及荧光材料层的厚度比较，因此该特征未被公开。 |
| N: 进一步包括发光结构下面的第二电极（直接公开） | 对比文件说明书：描述“半导体层堆叠1在其背面102包括金属层150。金属层150包含金属，例如Ag，或由其组成。金属层150在半导体层堆叠1和连接层3之间提供特别好的粘附性，并且具有良好的反射特性。” 以及连接层3和电导层9。 | 对比文件中的金属层150、连接层3和电导层9共同构成了发光结构下面的电极结构，用于电连接和反射，相当于目标专利的第二电极。因此，该特征被直接公开。 |
| O: 在发光结构的顶表面上的至少两个第一电极（直接公开） | 对比文件说明书：关于图2的描述“在每个半导体层堆叠1上，在靠近前侧101的n-接触层120上设置第一电接触区域4，例如焊盘。第二接触区域5从前侧101穿过n-接触层120、有源层110和p-侧载流子限制层130延伸，并通过钝化层500与之电绝缘。” | 对比文件中的半导体层堆叠在其顶表面具有两个电接触区域（第一接触区域4和第二接触区域5），用于电连接，相当于目标专利的第一电极。因此，该特征被直接公开。 |
| P: 荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且至少两个孔与图案的至少两个孔垂直地重叠（未公开） | 对比文件未公开透射层，且其开口14是用于暴露电接触区域，而不是暴露透射层的孔。 | 由于对比文件没有透射层，且开口功能不同，该特征未被公开。 |
| Q: 发光结构的横向宽度比第二电极的小（未公开） | 对比文件未明确比较发光结构与第二电极的宽度。虽然描述半导体层堆叠侧向突出于连接层，但连接层并非第二电极的全部。 | 对比文件没有公开发光结构的横向宽度与第二电极的宽度关系，因此该特征未被公开。 |
| R: 进一步包括在发光结构下的非导电衬底（未公开） | 对比文件明确半导体层堆叠是无衬底的（substratlos），并且没有辅助载体。 | 对比文件公开的是无衬底芯片，没有非导电衬底，因此该特征未被公开。 |
| S: 透射层包括硅胶（未公开） | 对比文件未公开透射层，更未公开其材料。 | 对比文件没有透射层，因此未公开透射层材料为硅胶。 |
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