**对比文件名称**：2003-05-23_JP2003151921A_发明专利_JP2003151921A Compound semiconductor and method of manufacturing the same
**目标专利名称**：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
**本次调用的模型名称**：AI助手（基于深度学习的专利分析模型）
以下为特征比对表格，对目标专利权利要求中的各技术特征进行逐一比对分析。
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件（未公开） | 对比文件未公开任何对应于“第一支撑构件”的结构。 | 对比文件仅涉及化合物半导体晶圆的分割方法，其基板2为生长衬底（蓝宝石等），用于支撑半导体层并在后续工序中被分割或保留，与目标专利中用于临时固定多个发光器件的“第一支撑构件”（基底片）在结构、功能上均不相同，且无任何暗示或教导。既未直接公开，也无法通过推理合理得出。 |
| 技术特征B：至少两个结合层（未公开） | 对比文件未公开任何“结合层”。 | 对比文件无任何层状结构用作结合固定器件，其激光划片后器件直接分离，无结合层将器件固定于载体。无直接或隐含公开。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上（未公开） | 对比文件未公开结合层及第一支撑构件。 | 同特征A、B，无对应结构。 |
| 技术特征D：第二支撑构件（未公开） | 对比文件未公开任何“第二支撑构件”。 | 对比文件中的基板2是生长衬底，并非目标专利中用于支撑发光结构并作为导电通道的“第二支撑构件”（导电支撑基板）。目标专利的第二支撑构件是结合层上的导电基板，对比文件无此结构。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上（未公开） | 对比文件未公开第二支撑构件及结合层。 | 无对应结构，未公开。 |
| 技术特征F：发光结构（直接公开） | 【0020】“基板２の表面側に、ｎ型とｐ型の窒化物系化合物半導体４，５が積層して形成されている。ｎ型とｐ型の半導体層４，５の間に発光層６が形成される。” 中文翻译：“在基板2的表面侧，层叠形成有n型和p型的氮化物系化合物半导体4、5。在n型和p型半导体层4、5之间形成有发光层6。” | 对比文件明确公开了由n型层、p型层及发光层构成的发光结构，与目标专利的发光结构（包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、有源层）实质相同。本领域技术人员可直接且毫无疑义地确定该结构即为发光结构。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上（未公开） | 对比文件未公开第二支撑构件，发光结构直接形成于生长衬底2上。 | 对比文件中发光结构位于基板2上，而非布置在第二支撑构件上。目标专利中第二支撑构件是导电支撑基板，且位于结合层上，对比文件无此构造。 |
| 技术特征H：第一导电类型半导体层（直接公开） | 【0020】“ｎ型とｐ型の窒化物系化合物半導体４，５” 中文翻译：“n型和p型的氮化物系化合物半导体4、5” | 对比文件明确公开了n型半导体层4，其可作为第一导电类型半导体层（目标专利中第一导电类型通常为n型）。本领域技术人员可直接识别该n型层即为第一导电类型半导体层。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层（直接公开） | 【0020】同上，公开了p型半导体层5。 | 对比文件明确公开了p型半导体层5，其可作为第二导电类型半导体层。直接公开。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层（直接公开） | 【0020】“ｎ型とｐ型の半導体層４，５の間に発光層６が形成される。” 中文翻译：“在n型和p型半导体层4、5之间形成有发光层6。” | 对比文件明确公开了发光层6位于n型层和p型层之间，该发光层即为有源层，直接公开。 |
| 技术特征K：第一电极（直接公开） | 【0021】“ｎ型の半導体層４にはｎ型用の電極７を接続し” 中文翻译：“n型半导体层4连接有n型电极7” | 对比文件明确公开了n型电极7，其连接至n型半导体层，该电极相当于目标专利中形成在第一导电类型半导体层上的第一电极。直接公开。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上（直接公开） | 【0021】同上，n型电极7连接n型半导体层4（发光结构的一部分）。 | 电极7直接设置于n型半导体层上，即布置在发光结构上，直接公开。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接（未公开） | 对比文件未公开任何第二支撑构件及金属层连接结构。 | 对比文件仅涉及单个晶圆分割，分割后器件相互独立，无任何金属层连接相邻器件，也无第二支撑构件。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米（未公开） | 对比文件未公开结合层及边缘尺寸。 | 无结合层，故无该特征。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构（未公开） | 对比文件未公开结合层凹凸结构。 | 对比文件在激光沟槽处有V形或平坦形状，但并非结合层，与目标专利的凹凸结构无关。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上（未公开） | 对比文件未公开第一支撑构件及凹凸结构。 | 无对应结构。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层及第二支撑构件。 | 无。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层及结合层。 | 无。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层且发光结构组成未涉及金属层。 | 对比文件无金属层，也无相关组成描述。 |
| 技术特征T：进一步包括（欧姆层）（未公开） | 对比文件未公开欧姆层。 | 对比文件未提及任何欧姆层，电极直接连接半导体层，无中间欧姆层。 |
| 技术特征U：欧姆层（未公开） | 同特征T。 | 无。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件无第二支撑构件及欧姆层。 | 无。 |
| 技术特征W：进一步包括（反射层）（未公开） | 对比文件未公开反射层。 | 对比文件无反射层。 |
| 技术特征X：反射层（未公开） | 同特征W。 | 无。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件无欧姆层、反射层及第二支撑构件。 | 无。 |
基于上述比对，对比文件直接公开了技术特征F、H、I、J、K、L，未公开其他技术特征，也无隐含公开。
<<<F>>><<<H>>><<<I>>><<<J>>><<<K>>><<<L>>>