**对比文件名称**：2007-03-29_JP2007081413A_发明专利_JP2007081413A Light emitting semiconductor chip and semiconductor light emitting device
**目标专利名称**：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
**本次调用的模型名称**：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件（未公开） | 对比文件未公开第一支撑构件。对比文件记载了基底ケーシング8（基底壳体），但该基底壳体是用于封装半导体基体的永久壳体，并非用于支撑结合层的临时基底片。 | 对比文件未公开与目标专利中第一支撑构件（基底片）相同的结构，且作用不同（目标专利中第一支撑构件用于制造过程中临时支撑发光器件阵列），因此未公开。 |
| 技术特征B：至少两个结合层（未公开） | 对比文件未公开结合层。对比文件记载了“導電性結合手段、例えば、金属性ろう又は接着剤”用于将半导体基体连接到电气连接端子，但该结合手段是单个的，且用于连接电极，而非用于连接第二支撑构件。 | 对比文件未公开至少两个结合层以及结合层布置在第一支撑构件上的结构，因此未公开。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上（未公开） | 同上。 | 同上。 |
| 技术特征D：第二支撑构件（未公开） | 对比文件未公开第二支撑构件。对比文件记载了サブストレート18（衬底），但该衬底是生长衬底，并非目标专利中作为电极和支撑的导电支撑基板（如Mo、Cu等）。 | 对比文件未公开与目标专利中第二支撑构件（导电支撑基板）相同的结构，因此未公开。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上（未公开） | 对比文件未公开结合层，也未有第二支撑构件布置在结合层上的结构。 | 未公开。 |
| 技术特征F：发光结构（《直接公开》） | 对比文件[2]记载：“図１に示す半導体発光素子は、半導体基体１と、背面コンタクト１１と、前面コンタクト１２と、複数の様々の層から成る多層構造７とを有し、この多層構造７は、半導体素子の作動中、１つのビーム（例えば、紫外線、青色又は緑色）を放射する少なくとも１つのアクティブなゾーンを有する。” 以及具体层结构：“ここで、例えばＳｉＣから成るサブストレート１８上に、ＡｌＮ層又はＧａＮ層１９、ｎ導電形ＧａＮ層２０、ｎ導電形Ｇａ x Ａｌ 1-x Ｎ層又はＧａ x Ｉｎ 1-x Ｎ層２１、更なるｎ導電形ＧａＮ層又はＧａ x Ｉｎ 1-x Ｎ層２２、ｐ導電形Ｇａ x Ａｌ 1-x Ｎ層又はＧａ x Ｉｎ 1-x Ｎ層２３及びｐ導電形ＧａＮ層２４から成る多層構造７が被着されている。” | 对比文件的多层结构（多層構造7）相当于目标专利的发光结构，包括不同导电类型的半导体层和有源区域，直接公开了发光结构。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上（未公开） | 对比文件中发光结构（多層構造7）形成在サブストレート18上，但该サブストレート并非目标专利的第二支撑构件，且无结合层。 | 未公开，因为对比文件没有公开第二支撑构件以及发光结构布置在第二支撑构件上的关系。 |
| 技术特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层（《直接公开》） | 对比文件[2]记载：“ｎ導電形ＧａＮ層２０”。 | 直接公开了n型半导体层，根据目标专利，第一导电类型半导体层可以是n型，因此直接公开。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层（《直接公开》） | 对比文件[2]记载：“ｐ導電形ＧａＮ層２４”。 | 直接公开了p型半导体层，相当于第二导电类型半导体层。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层（《直接公开》） | 对比文件[2]记载：“少なくとも１つのアクティブなゾーン”以及多层结构中的有源区域（位于n型层和p型层之间）。 | 直接公开了位于第一和第二导电类型半导体层之间的有源层。 |
| 技术特征K：第一电极（《直接公开》） | 对比文件[2]记载：“前面電極コンタクト１２”以及“ｐ導電形ＧａＮ層２４主面２５上及びサブストレート１８の主面２６上に、それぞれ、コンタクト金属化部２７、２８が被着されている。” | 直接公开了形成在发光结构上的电极。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上（《直接公开》） | 同上，电极直接接触半导体层表面（如p-GaN层上）。 | 直接公开。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接（未公开） | 对比文件仅涉及单个发光芯片，未涉及多个发光器件的阵列，无金属层连接相邻器件的第二支撑构件。 | 未公开。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米（未公开） | 对比文件无结合层，亦无相关尺寸限定。 | 未公开。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构（未公开） | 对比文件无结合层，无凹凸结构。 | 未公开。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上（未公开） | 对比文件无第一支撑构件，无凹凸结构。 | 未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层和第二支撑构件。 | 未公开。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层和结合层。 | 未公开。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层和发光结构的组成关系。 | 未公开。 |
| 技术特征T：进一步包括（引导，无实质内容） | 无。 | 忽略。 |
| 技术特征U：欧姆层（未公开） | 对比文件未明确记载欧姆层。虽然对比文件记载了“コンタクト金属化部”，但未说明其包含欧姆层，且未列出欧姆层的具体材料（如ITO等）。 | 未公开。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件无第二支撑构件，无欧姆层。 | 未公开。 |
| 技术特征W：进一步包括（引导，无实质内容） | 无。 | 忽略。 |
| 技术特征X：反射层（未公开） | 对比文件未记载反射层。对比文件记载了反射器17，但那是封装结构的一部分，并非发光器件内部的反射层。 | 未公开。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件无相关结构。 | 未公开。 |
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