对比文件名称：2006-10-24_US7126162B_发明授权_US07126162B2 Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
本次调用的模型名称：ChatGPT
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件（未公开） | 对比文件[0090]提及“opaque, possibly prefabricated base housing 8 having a recess 9”，但该基座是用于单个发光器件的封装基座，并非用于支撑多个发光器件的阵列基底。 | 目标专利的第一支撑构件为基底片（如PVC、PAT、PPT等），用于支撑多个发光器件并形成阵列。对比文件中的基座是单个器件的封装部件，不涉及支撑多个器件，且其功能不同，因此本领域技术人员不能从对比文件直接或隐含地得出第一支撑构件。 |
| 技术特征B：至少两个结合层（未公开） | 对比文件[0084]提及“fixed by its back-side contact 11 on a first electrical terminal 2 by means of an electrically conductive bonding agent”，但仅涉及单个结合层用于固定单个半导体本体，未公开至少两个结合层。 | 目标专利的结合层（如Au、Sn等）用于将发光器件固定到第一支撑构件，且至少两个结合层对应多个器件。对比文件仅使用单个粘合层将单个芯片固定到电极，未公开多个结合层及其布置关系。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上（未公开） | 对比文件未公开第一支撑构件，也未公开结合层布置在支撑构件上。 | 对比文件无第一支撑构件，故无结合层布置在其上的技术方案。 |
| 技术特征D：第二支撑构件（未公开） | 对比文件[0084]描述半导体本体直接固定在电极上，未公开独立的导电支撑基板（第二支撑构件）。 | 目标专利的第二支撑构件为导电支撑基板（如Mo、Si、W等），用于支撑发光结构并作为电极。对比文件的半导体本体通过粘合剂直接固定在引线框上，不存在额外的导电支撑基板。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上（未公开） | 对比文件未公开第二支撑构件，也未公开结合层。 | 目标专利中每个发光器件的第二支撑构件通过结合层固定到第一支撑构件。对比文件无此结构。 |
| 技术特征F：发光结构（直接公开） | 对比文件[0081]：“a semiconductor body 1 has a back-side contact 11, a front-side contact 12 and a layer sequence 7, which is composed of a number of different layers and has at least one active zone which emits a radiation”；[0082]描述图9的层序列包括n-GaN、p-GaN和有源区。 | 对比文件直接公开了用于发光的半导体体（发光结构），其包括层序列和有源区，与目标专利的发光结构实质相同。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上（未公开） | 对比文件[0082]中半导体层序列直接生长在衬底18上，或通过粘合剂固定在电极上，未公开发光结构布置在第二支撑构件上。 | 目标专利的发光结构形成在第二支撑构件（导电支撑基板）上，而对比文件的半导体本体直接固定在引线框或衬底上，没有第二支撑构件，故未公开。 |
| 技术特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层（直接公开） | 对比文件[0082]：“n-conducting GaN layer 20”和“p-conducting GaN layer 24”，明确公开了第一导电类型半导体层（例如n型或p型）。 | 目标专利的第一导电类型半导体层是发光结构中的一层，对比文件公开了n型或p型GaN层，因此直接公开。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层（直接公开） | 对比文件[0082]公开了另一种导电类型的半导体层（例如p-conducting GaN layer 24）。 | 直接公开了第二导电类型半导体层。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层（直接公开） | 对比文件[0081]：“at least one active zone”；[0082]进一步描述了活性区，如在n-GaN和p-GaN之间的有源层。 | 直接公开了位于第一和第二导电类型半导体层之间的有源层。 |
| 技术特征K：第一电极（直接公开） | 对比文件[0081]：“front-side contact 12”；[0082]：“contact metallization layer 27, 28”。 | 直接公开了位于半导体本体上的电极，作为第一电极。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上（直接公开） | 对比文件[0081]描述front-side contact 12在半导体本体上，[0082]中接触金属化层27施加在p-GaN层24上。 | 直接公开了第一电极布置在发光结构（半导体本体）上。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接（未公开） | 对比文件未涉及多个发光器件，无金属层连接相邻器件的结构。 | 目标专利的金属层（如160a）在激光划片后形成，连接相邻器件的第二支撑构件。对比文件仅描述单个器件，无此特征。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米（未公开） | 对比文件未公开结合层，也无尺寸限定。 | 目标专利结合层宽度小于发光结构宽度（1-10微米）。对比文件无结合层，故未公开。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构（未公开） | 对比文件未公开结合层，无凹凸结构相关描述。 | 目标专利的结合层表面具有凹凸结构以增加粘附。对比文件无此结构。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上（未公开） | 对比文件未公开第一支撑构件，无凹凸结构。 | 目标专利的凹凸结构形成在第一支撑构件（基底片）表面。对比文件无此内容。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层和第二支撑构件。 | 无。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层和结合层。 | 无。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层与发光结构组成相同。 | 无。 |
| 技术特征T：进一步包括（未公开） | 对比文件无此过渡语。 | 无实质技术内容，未公开。 |
| 技术特征U：欧姆层（未公开） | 对比文件[0084]提及“back-side contact 11”和“front-side contact 12”，但未明确欧姆层；[0082]中接触金属化层可能形成欧姆接触，但未公开独立欧姆层。 | 目标专利的欧姆层（如ITO）是特定层，对比文件未明确公开欧姆层的材料及结构。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件无第二支撑构件，无欧姆层布置关系。 | 目标专利中欧姆层位于第二导电类型半导体层和第二支撑构件之间。对比文件无此位置关系。 |
| 技术特征W：进一步包括（未公开） | 对比文件无此过渡语。 | 无实质技术内容，未公开。 |
| 技术特征X：反射层（未公开） | 对比文件未公开反射层。 | 目标专利的反射层（如Al、Ag）用于提高光提取效率。对比文件无此层。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件无反射层和第二支撑构件。 | 无。 |
根据上述分析，对比文件直接公开了技术特征F、H、I、J、K、L，因此结尾插入对应大写代码。
<<<F>>><<<H>>><<<I>>><<<J>>><<<K>>><<<L>>>