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对比文件列表
2001-02-09_JP2001036154A_发明专利_JP2001036154A Chip-component type light-emitting device and manufacture thereof_+++A_B_C_D_G_H+++.docx
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2001-02-27_JP2001057446A_发明专利_JP2001057446A Hybrid integrated circuit device_+++A_C_E_F_G_H_Q_S_d+++.docx
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2001-05-22_US6233817B_发明授权_US06233817B1 Method of forming thick-film hybrid circuit on a metal circuit board_+++A_C_E_G_N_O_b_d_h+++.docx
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2002-03-29_JP2002094122A_发明专利_JP2002094122A Light source and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_k+++.docx
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2002-10-22_US6468813B_发明授权_US06468813B1 Method of automatically identifying and skipping defective work pieces for wire-bonding operation_+++A_C_G_N_O_b_d_h+++.docx
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2003-01-31_JP2003031850A_发明专利_JP2003031850A Light source_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_N_O+++.docx
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2003-07-25_JP2003209286A_发明专利_JP2003209286A Light emitting device and manufacturing method therefor_+++D_E_F_G_H_I_J_L_N_P_S_o_q+++.docx
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2003-07-31_JP2003218405A_发明专利_JP2003218405A Electronic component mounting structure and mounting method_+++d+++.docx
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2003-11-07_JP2003318449A_发明专利_JP2003318449A Led light source and its fabricating method_+++D_E_F_G_H_N_Q_o_p+++.docx
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2004-04-08_US2004065894A_发明申请_US20040065894A1 Light emitting device using led_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_N_Q_f_o+++.docx
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2004-06-24_WO2004053933A_发明申请_WO2004053933A2 COMPOSITE LEADFRAME LED PACKAGE AND METHOD OF MAKING THE SAME_+++A_C_D_E_G_H_i_j_l+++.docx
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2005-02-10_JP2005039100A_发明专利_JP2005039100A Circuit component for highly thermally conductive light emitting device, and high heat dissipation module_+++A_B_C_D_E_I_g_h_j_k+++.docx
2026-07-29 13:29
2005-05-26_JP2005136224A_发明专利_JP2005136224A Light-emitting diode illumination module_+++A_B_E_G_H_P_Q_R_d+++.docx
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2005-09-13_US6943380B_发明授权_US06943380B2 Light emitting device having phosphor of alkaline earth metal silicate_+++A_B_D_E_G_H_N_o+++.docx
2026-07-29 13:29
2005-10-06_JP2005277382A_发明专利_JP2005277382A Package for storing electronic component, and electronic device_+++A_B_G_H_c_d_e_k+++.docx
2026-07-29 13:29
2007-05-10_None_发明专利_JPWO2005043637A1 発光装置_+++A_B_C_D_E_F_G_H+++.docx
2026-07-29 13:29
WO2005043637A1_Description_20260718_2107_+++A_B_C_D_E_F_G_H+++.docx
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2003-01-31_JP2003031850A_发明专利_JP2003031850A Light source_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_N_O+++.docx

对比文件名称:2003-01-31_JP2003031850A_发明专利_JP2003031850A Light source

目标专利名称:1839发光二极管的封装件及其制造方法CN101375392B

本次调用的模型名称:AI模型

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译,段落标号)公开性论述
**特征A:包括金属片(直接公开)**段落【0020】:“垫270由金属、优选镀镍铜制成,形成支撑LED芯片230的平台,从LED芯片230导热带到封装200的暴露底面。”对比文件明确公开了金属垫(热发散垫)作为金属片,用于支撑LED芯片并散热,与目标专利的金属片作用完全相同。本领域技术人员能毫无疑义地确定对比文件公开了“包括金属片”。
**特征B:表面安装在所述金属片上的发光二极管芯片(直接公开)**段落【0042】:“下一步骤包括将LED芯片230如图15所示压入或设置在凹部内的银环氧中。”对比文件公开了LED芯片通过导电银环氧安装在金属垫(平台)上,属于表面安装方式,直接公开了表面安装在金属片上的发光二极管芯片。
**特征C:在所述金属片上的绝缘层(直接公开)**段落【0017】:“基板210由环氧或玻璃层压板、聚酯或聚酰胺板、BT树脂板或热固性聚苯醚板等材料制成。” 以及段落【0020】:“垫270配置在基板的下表面214,并通过基板中的孔延伸到封装内部。”对比文件的绝缘基板(基板210)位于金属垫(热发散垫)之上,基板为绝缘材料,形成绝缘层在金属片上的结构。直接公开。
**特征D:所述绝缘层与所述发光二极管芯片隔离(直接公开)**段落【0018】:“LED芯片230位于基板210的凹部220的中心。”凹部使LED芯片与基板(绝缘层)不直接接触,基板与LED芯片隔离,直接公开。
**特征E:在所述绝缘层上的引线框(直接公开)**段落【0018】:“金线240、242的另一端分别电连接到基板210上表面212上的相应端子。” 以及制造过程形成导电图案。基板上表面的端子(导电层)构成用于电连接的引线框,直接公开了在绝缘层上的引线框。
**特征F:在所述引线框上的反射涂层(未公开)**对比文件无反射涂层形成在引线框上的记载。反射涂层(银镀镍)形成在凹部侧壁,而非引线框上。对比文件的反射涂层位于凹部侧壁,与目标专利中反射涂层直接形成在引线框上的结构不同,且对比文件未给出任何在引线框上设置反射涂层的技术启示。
**特征G:模塑材料(直接公开)**段落【0022】:“透明或半透明的封止材料260粘附在基板210的上表面212,密封上表面212上的端子、金线240、242和LED芯片230。”封止材料即为模塑材料,用于密封LED芯片,直接公开。
**特征H:该模塑材料以预定形状模制所述发光二极管芯片(直接公开)**段落【0022】:“封止材料成形为在发光二极管上形成聚焦用椭圆透镜。”封止材料形成透镜形状,以预定形状模制LED芯片,直接公开。
**特征I:其中所述反射涂层包括在其内部的第一空间(直接公开)**段落【0017】:“凹部220具有大致圆形的床222和从床向外同心倾斜的弯曲侧壁224,侧壁224延伸到上表面212上的圆形边缘226。” 以及段落【0023】:“侧壁224由银镀镍面提供。”反射涂层(银镀镍侧壁)形成凹部,凹部内部即为第一空间,直接公开。
**特征J:所述模塑材料设置在所述反射涂层的所述第一空间的内部(直接公开)**段落【0022】:“封止材料260…密封LED芯片230”位于凹部内。封止材料填充凹部(第一空间),直接公开。
**特征K:和设置在由所述绝缘层和所述引线框所包围的第二空间中(未公开)**对比文件无对应的第二空间结构。对比文件中绝缘层(基板)和引线框(端子)不形成包围空间,封止材料仅设置在凹部内,未公开该特征。
**特征L:其中所述模塑材料部分形成在高于所述反射涂层内部的所述第一空间的垂直位置上(直接公开)**段落【0022】:“封止材料成形为在发光二极管上形成聚焦用椭圆透镜。” 以及图2显示透镜凸出基板表面。封止材料的透镜部分高于凹部(第一空间),直接公开。
**特征M:其中所述金属片具有25μm~75μm的厚度(未公开)**对比文件未明确记载金属垫的厚度范围。对比文件仅提及基板厚度0.5mm、铜层0.07mm等,未给出金属垫的具体厚度范围,不能直接或隐含地确定该特征。
**特征N:其中所述绝缘层由玻璃环氧基材料形成(直接公开)**段落【0017】:“基板由环氧或玻璃层压板…材料制成。”玻璃层压板即玻璃环氧基材料,直接公开。
**特征O:其中所述绝缘层由阻燃剂-4树脂形成(直接公开)**段落【0027】:“FR4型の基板(FR4型基板)”。明确使用FR-4树脂,直接公开。
**特征P:其中所述反射涂层包括氧化钛和树脂作为主组分(未公开)**对比文件反射涂层为银镀镍,不含氧化钛和树脂。对比文件未公开反射涂层成分,不能隐含公开。
**特征Q:其中所述反射涂层由白色树脂制成(未公开)**对比文件反射涂层为金属,非白色树脂。未公开。
**特征R:所述白色树脂通过混合选自碳酸钙、硫酸钡和氧化锌中的至少一种形成(未公开)**对比文件无记载。未公开。
**特征S:其中所述反射涂层仅形成在引线框的部分区域上(未公开)**对比文件反射涂层在凹部侧壁,不在引线框上。未公开。

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