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对比文件列表
2001-08-31_JP2001237462A_发明专利_JP2001237462A Light-emitting device_+++E_G_H_I_J_L_N_Q_o_p+++.docx
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2002-03-12_US6355946B_发明授权_US06355946B1 Semiconductor device with reflector_+++E_G_H_P_Q_i_j+++.docx
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2002-03-29_JP2002094122A_发明专利_JP2002094122A Light source and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_k+++.docx
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2002-07-04_US2002085390A_发明申请_US20020085390A1 Optical device and apparatus employing the same_+++G_H_f_i_j_l_s+++.docx
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2003-01-31_JP2003031850A_发明专利_JP2003031850A Light source_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_N_O+++.docx
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2003-07-11_JP2003197974A_发明专利_JP2003197974A Light emitting diode package_+++E_G_H_i_j_k_l+++.docx
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2003-07-25_JP2003209286A_发明专利_JP2003209286A Light emitting device and manufacturing method therefor_+++D_E_F_G_H_I_J_L_N_P_S_o_q+++.docx
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2004-04-08_US2004065894A_发明申请_US20040065894A1 Light emitting device using led_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_N_Q_f_o+++.docx
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2004-06-24_WO2004053933A_发明申请_WO2004053933A2 COMPOSITE LEADFRAME LED PACKAGE AND METHOD OF MAKING THE SAME_+++A_C_D_E_G_H_i_j_l+++.docx
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2004-11-25_JP2004335518A_发明专利_JP2004335518A Packages for housing light emitting element_+++G_H_I_J+++.docx
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2005-02-10_JP2005039100A_发明专利_JP2005039100A Circuit component for highly thermally conductive light emitting device, and high heat dissipation module_+++A_B_C_D_E_I_g_h_j_k+++.docx
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2001-08-31_JP2001237462A_发明专利_JP2001237462A Light-emitting device_+++E_G_H_I_J_L_N_Q_o_p+++.docx

对比文件名称:2001-08-31_JP2001237462A_发明专利_JP2001237462A Light-emitting device

目标专利名称:1839发光二极管的封装件及其制造方法CN101375392B

本次调用的模型名称:资深专利代理师模型

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:包括金属片(未公开)对比文件未提及金属片。对比文件公开的电路基板为玻璃环氧印刷基板,并未设置独立的金属片,因此本特征未被公开。
技术特征B:表面安装在所述金属片上的发光二极管芯片(未公开)对比文件未公开金属片,芯片安装在电路基板表面。[0011]“LED芯片4通过银膏或焊料固定在电路基板2表面。”对比文件中的LED芯片直接固定在绝缘基板表面,而非金属片上,因此本特征未被公开。
技术特征C:在所述金属片上的绝缘层(未公开)对比文件未公开金属片,绝缘层为电路基板本身。对比文件没有金属片,其绝缘层直接作为基板,不具备“在金属片上的绝缘层”结构,因此本特征未被公开。
技术特征D:所述绝缘层与所述发光二极管芯片隔离(未公开)[0011]“LED芯片4固定在电路基板2表面。”对比文件中芯片与绝缘层直接接触,不存在隔离,因此本特征未被公开。
技术特征E:在所述绝缘层上的引线框(直接公开)[0009]“电路基板2由玻璃环氧等构成的印刷基板,其表面有铜箔等构成的电路图案和覆盖其的抗蚀膜(未图示)。”对比文件公开了在绝缘层(电路基板)上的导体电路图案,该图案用于连接芯片,功能与引线框等同,因此本特征被直接公开。
技术特征F:在所述引线框上的反射涂层(未公开)[0010]“反射被膜5由白色树脂等构成,以环状围绕芯片,形成在电路基板2上。”对比文件公开反射被膜形成在电路基板(绝缘层)上,未明确形成在引线框(电路图案)上,结构不同,因此本特征未被公开。
技术特征G:模塑材料(直接公开)[0013]“光透过性树脂6是环氧系树脂,混有光扩散剂,配置在反射被膜围成的区域。”对比文件公开了光透过性树脂作为模塑材料,用于封装芯片,因此本特征被直接公开。
技术特征H:该模塑材料以预定形状模制所述发光二极管芯片(直接公开)[0013]“光透过性树脂6配置在反射被膜围成的区域后热固化,形成凸透镜状。”对比文件公开了模塑材料热固化后形成凸透镜状预定形状,以模制芯片,因此本特征被直接公开。
技术特征I:其中所述反射涂层包括在其内部的第一空间(直接公开)[0010]“反射被膜5以环状围绕芯片,内部形成空间。”对比文件公开反射被膜环状围绕芯片,其内部形成第一空间,因此本特征被直接公开。
技术特征J:所述模塑材料设置在所述反射涂层的所述第一空间的内部(直接公开)[0013]“光透过性树脂6配置在反射被膜5围成的区域(即内部空间)。”对比文件公开树脂6设置在反射被膜内部空间,因此本特征被直接公开。
技术特征K:和设置在由所述绝缘层和所述引线框所包围的第二空间中(未公开)对比文件未公开由绝缘层和引线框包围的第二空间。对比文件结构为芯片直接安装在基板表面,反射被膜和模塑材料均位于基板表面,不存在由绝缘层和引线框形成的空腔,因此本特征未被公开。
技术特征L:其中所述模塑材料部分形成在高于所述反射涂层内部的所述第一空间的垂直位置上(直接公开)[0013]“反射被膜5的高度设定为芯片高度的1/3~2倍,光透过性树脂6形成凸透镜状,通常高于反射被膜顶部。”对比文件公开树脂6形成凸透镜状,其部分高于反射被膜内部空间,因此本特征被直接公开。
技术特征M:其中所述金属片具有25μm~75μm的厚度(未公开)对比文件未公开金属片,无厚度描述。对比文件没有金属片,因此本特征未被公开。
技术特征N:其中所述绝缘层由玻璃环氧基材料形成(直接公开)[0009]“电路基板2由玻璃环氧等构成的印刷基板。”对比文件明确公开绝缘层(电路基板)由玻璃环氧基材料形成,因此本特征被直接公开。
技术特征O:其中所述绝缘层由阻燃剂-4树脂形成(隐含公开)[0009]“电路基板2由玻璃环氧等构成的印刷基板。”玻璃环氧基材料通常包括FR-4(阻燃剂-4树脂),本领域技术人员可以合理推断该绝缘层可由FR-4形成,因此本特征被隐含公开。
技术特征P:其中所述反射涂层包括氧化钛和树脂作为主组分(隐含公开)[0012]“反射被膜5由白色树脂构成。”白色树脂通常以氧化钛和树脂为主组分,本领域技术人员可以合理推断该反射涂层包含氧化钛和树脂,因此本特征被隐含公开。
技术特征Q:其中所述反射涂层由白色树脂制成(直接公开)[0012]“反射被膜5由白色树脂构成。”对比文件明确公开反射涂层由白色树脂制成,因此本特征被直接公开。
技术特征R:所述白色树脂通过混合选自碳酸钙、硫酸钡和氧化锌中的至少一种形成(未公开)对比文件未提及白色树脂的添加剂。对比文件未公开白色树脂的具体混合成分,因此本特征未被公开。
技术特征S:其中所述反射涂层仅形成在引线框的部分区域上(未公开)对比文件公开反射被膜形成在电路基板上的环状区域,但未涉及引线框。对比文件没有引线框概念,且反射被膜形成在基板表面,覆盖绝缘层和导体,并非仅形成在引线框的部分区域,因此本特征未被公开。

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