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对比文件列表
2001-08-31_JP2001237462A_发明专利_JP2001237462A Light-emitting device_+++E_G_H_I_J_L_N_Q_o_p+++.docx
2026-07-29 13:29
2002-03-12_US6355946B_发明授权_US06355946B1 Semiconductor device with reflector_+++E_G_H_P_Q_i_j+++.docx
2026-07-29 13:29
2002-03-29_JP2002094122A_发明专利_JP2002094122A Light source and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_k+++.docx
2026-07-29 13:29
2002-07-04_US2002085390A_发明申请_US20020085390A1 Optical device and apparatus employing the same_+++G_H_f_i_j_l_s+++.docx
2026-07-29 13:29
2003-01-31_JP2003031850A_发明专利_JP2003031850A Light source_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_N_O+++.docx
2026-07-29 13:29
2003-07-11_JP2003197974A_发明专利_JP2003197974A Light emitting diode package_+++E_G_H_i_j_k_l+++.docx
2026-07-29 13:29
2003-07-25_JP2003209286A_发明专利_JP2003209286A Light emitting device and manufacturing method therefor_+++D_E_F_G_H_I_J_L_N_P_S_o_q+++.docx
2026-07-29 13:29
2004-04-08_US2004065894A_发明申请_US20040065894A1 Light emitting device using led_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_N_Q_f_o+++.docx
2026-07-29 13:29
2004-06-24_WO2004053933A_发明申请_WO2004053933A2 COMPOSITE LEADFRAME LED PACKAGE AND METHOD OF MAKING THE SAME_+++A_C_D_E_G_H_i_j_l+++.docx
2026-07-29 13:29
2004-11-25_JP2004335518A_发明专利_JP2004335518A Packages for housing light emitting element_+++G_H_I_J+++.docx
2026-07-29 13:29
2005-02-10_JP2005039100A_发明专利_JP2005039100A Circuit component for highly thermally conductive light emitting device, and high heat dissipation module_+++A_B_C_D_E_I_g_h_j_k+++.docx
2026-07-29 13:29
2004-11-25_JP2004335518A_发明专利_JP2004335518A Packages for housing light emitting element_+++G_H_I_J+++.docx

**对比文件名称**:2004-11-25_JP2004335518A_发明专利_JP2004335518A Packages for housing light emitting element

**目标专利名称**:发光二极管的封装件及其制造方法CN101375392B

**本次调用的模型名称**:AI模型(通用语言模型)

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用(翻译成中文)公开性论述
特征A:包括金属片(不公开)对比文件公开了陶瓷基板13(【0014】)、金属板24(【0023】)等,但未公开作为芯片安装基座和散热器的独立金属片。对比文件没有公开金属片,其芯片安装在陶瓷基板底部,无单独的金属片结构。
特征B:表面安装在所述金属片上的发光二极管芯片(不公开)【0017】“在腔体部12的底面搭载发光元件11”(翻译自“キャビティ部12の底面に発光素子11が搭載され”)。对比文件芯片安装在陶瓷基板底面,而非金属片上。
特征C:在所述金属片上的绝缘层(不公开)对比文件无金属片,其绝缘层为陶瓷基板13(【0014】),但陶瓷基板不是形成在金属片上。对比文件没有金属片,因此不存在金属片上的绝缘层。
特征D:所述绝缘层与所述发光二极管芯片隔离(不公开)【0017】芯片搭载在腔体底面,该底面为陶瓷基板(绝缘层)的一部分,芯片与绝缘层接触。对比文件芯片直接接触绝缘层(陶瓷基板),不符合“隔离”特征。
特征E:在所述绝缘层上的引线框(不公开)【0017】“在陶瓷基板13、13a上形成有导体图案19”(翻译自“セラミック基板13、13aに導体パターン19が形成されている”)。对比文件虽有导体图案在陶瓷基板上,但绝缘层(陶瓷基板)并非金属片上的绝缘层,且引线框定义不同,故不公开。
特征F:在所述引线框上的反射涂层(不公开)【0027】“在反射体14的反射面或金属板24、24a的反射面上,优选施加例如镀金、镀镍、镀银等涂层”(翻译自“反射体14の反射面や、金属板24、24aの反射面に、…例えば、Auめっきや、Niめっきや、Agめっき等によるコーティングが施されているのがよい”)。对比文件反射涂层在反射体或金属板上,不在引线框上。
特征G:模塑材料(直接公开)【0017】“在腔体部12内填充荧光体树脂等之后”(翻译自“キャビティ部12内に蛍光体の樹脂等が充填された後”)。对比文件公开了使用荧光体树脂作为封装材料,该树脂即为模塑材料,用于封装发光元件。
特征H:该模塑材料以预定形状模制所述发光二极管芯片(直接公开)同上,树脂填充在具有预定形状的腔体12内,从而模制芯片。树脂填充到腔体中,腔体形状预定,因此模塑材料以该预定形状模制芯片。
特征I:其中所述反射涂层包括在其内部的第一空间(直接公开)【0015】“反射体14具有锥形圆锥形状的贯通孔15…将筒体16的贯通孔15的壁面作为发光元件11发出的光的反射面”(翻译自“反射体14は、テーパ状の円錐形状の貫通孔15を有する…筒体16の貫通孔15の壁面を発光素子11の発する光の反射面としている”)。<br>【0027】“在反射体14的反射面或金属板24、24a的反射面上,优选施加例如镀金、镀镍、镀银等涂层”。对比文件公开了反射体14具有贯通孔15,其壁面为反射面,且反射面上可施以反射涂层,因此该反射涂层包括其内部的贯通孔空间(第一空间)。
特征J:所述模塑材料设置在所述反射涂层的所述第一空间的内部(直接公开)【0017】“在腔体部12内填充荧光体树脂等之后”。腔体部12由反射体14的贯通孔15形成(结合【0015】)。对比文件公开的树脂填充在腔体部12内,该腔体部即由反射体14的贯通孔15形成,因此模塑材料设置在反射涂层(反射面涂层)的第一空间内部。
特征K:和设置在由所述绝缘层和所述引线框所包围的第二空间中(不公开)对比文件无绝缘层和引线框包围的第二空间结构,其腔体由陶瓷基板和反射体包围。对比文件没有公开这种由绝缘层和引线框包围的第二空间。
特征L:其中所述模塑材料部分形成在高于所述反射涂层内部的所述第一空间的垂直位置上(不公开)【0017】在填充树脂后,接合透镜20在法兰17上,树脂本身不高于第一空间。对比文件树脂填充在腔体内,透镜是单独部件,模塑材料(树脂)没有形成高于第一空间的部分。
特征M:其中所述金属片具有25μm~75μm的厚度(不公开)对比文件无金属片,未公开厚度。对比文件未公开金属片及厚度范围。
特征N:其中所述绝缘层由玻璃环氧基材料形成(不公开)对比文件绝缘层为陶瓷基板(【0014】),不是玻璃环氧基材料。对比文件未公开该材料。
特征O:其中所述绝缘层由阻燃剂-4树脂形成(不公开)同上,绝缘层为陶瓷,不是FR-4树脂。对比文件未公开该材料。
特征P:其中所述反射涂层包括氧化钛和树脂作为主组分(不公开)【0027】反射涂层为金属镀层(Au、Ni、Ag),不是氧化钛树脂。对比文件未公开该组分。
特征Q:其中所述反射涂层由白色树脂制成(不公开)同上,反射涂层为金属镀层,不是白色树脂。对比文件未公开白色树脂。
特征R:所述白色树脂通过混合选自碳酸钙、硫酸钡和氧化锌中的至少一种形成(不公开)对比文件无白色树脂,更无其组分。对比文件未公开该特征。
特征S:其中所述反射涂层仅形成在引线框的部分区域上(不公开)对比文件反射涂层形成在反射体整个壁面或金属板整个壁面,不是部分区域。对比文件未公开该特征。

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