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对比文件列表
2001-09-07_JP2001244123A_发明专利_JP2001244123A Surface-mounted planar magnetic element and method of manufacturing_+++A_B_E_F_G_I_Q_c_d_k_m+++.docx
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2002-09-27_JP2002280878A_发明专利_JP2002280878A Electronic circuit unit_+++A_B_F_G_I_Q_h_o+++.docx
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2003-02-28_JP2003059744A_发明专利_JP2003059744A Manufacturing method of inductor_+++A_G_I_J_h_k_l_o_q+++.docx
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2004-02-05_JP2004039867A_发明专利_JP2004039867A Multilayer wiring circuit module and its manufacturing method_+++A_Q_b_g_i_j_n_o_p+++.docx
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2005-01-13_US2005006752A_发明申请_US20050006752A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_E_G_I_J_L_P_Q_c_f_k_o+++.docx
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2005-03-04_KR1020050020739A_发明公开_KR1020050020739A 다층 배선 회로 모듈 및 그 제조 방법_+++A_E_G_L_O_P_Q_b_c_d_f_i_j_k_n+++.docx
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2006-01-04_CN1716467A_发明公开_CN1716467A 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_J_c_h_q+++.docx
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2006-01-05_US2006001520A_发明申请_US20060001520A1 Thin film coil, method of manufacturing the same, coil structure, and method of manufacturing the same_+++A_B_C_F_G_I_j+++.docx
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2006-01-19_JP2006019506A_发明专利_JP2006019506A Thin film coil, its manufacturing method, coil structure, and its manufacturing method_+++A_B_F_G_J_M_c_i_q+++.docx
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2006-06-07_EP1665297A_发明公开_EP1665297A2 DSL MODEM AND TRANSFORMER_+++A_B_F_G_c_h_i_q+++.docx
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2006-06-15_US2006125083A_发明申请_US20060125083A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_P_Q_c_d+++.docx
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2006-10-01_TW200635456A_发明专利_TW200635456A 內埋元件的基板之製造方法 METHOD OF FABRICATING A DEVICE-CONTAINING SUBSTRATE_+++I_J_P_a_b_c_d_f_q+++.docx
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2006-11-22_CN1868009A_发明公开_CN1868009A 数字用户线路调制解调器和变压器_+++A_B_F_G_K_c_d_h_i_j_l_o_p_q+++.docx
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2007-01-04_US2007001794A_发明申请_US20070001794A1 Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_Q_h_i_j_p+++.docx
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2007-03-15_JP2007506263A_发明专利_JP2007506263A Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_I_Q_c_d_e_h_j_k_o+++.docx
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2007-11-21_JP4012526B_发明专利_JP4012526B2 Thin film coil and a method of manufacturing the same, as well as the coil structure and a method for manufacturing_+++A_B_C_D_F_G_I_M_j_q+++.docx
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2008-01-03_US2008001698A_发明申请_US20080001698A1 Integrated inductors_+++A_B_C_I_J_M_P_Q_d_n_o+++.docx
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2008-07-23_JP4122913B_发明专利_JP4122913B2 Hydrogen use internal combustion engine and method of operation thereof_+++A_a+++.docx
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2008-10-07_US7432794B_发明授权_US07432794B2 Variable integrated inductor_+++A_B_G_I_J_Q_f_h+++.docx
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2009-03-04_EP1519414A_发明公开_EP1519414A1 MULTILAYER WIRING CIRCUIT MODULE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME_+++A_B_F_G_Q_c_d_e_i_k_l_p+++.docx
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2009-03-26_US2009079529A_发明申请_US20090079529A1 INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING INDUCTIVE DEVICE AND FERROMAGNETIC MATERIAL_+++A_B_C_F_G_I_J_M_q+++.docx
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2009-05-21_JP2009111036A_发明专利_JP2009111036A Thin film transformer and its production process_+++A_B_C_D_G_I_K_f_j_m+++.docx
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2009-07-01_KR1020090071370A_发明公开_KR1020090071370A 집적 패시브 장치들을 갖는 시스템-인-패키지와 그 제조 방법_+++A_E_Q_b_g_i_l_o_p+++.docx
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2009-07-01_TW200929491A_发明专利_TW200929491A 具有整合式被動元件的系統級封裝及其方法 SYSTEM-IN-PACKAGE HAVING INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND METHOD THEREFOR_+++A_e_f_g_i_q+++.docx
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2009-07-02_US2009170242A_发明申请_US20090170242A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_C_D_E_G_I_J_L_N_O_Q_f+++.docx
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2009-09-09_CN100538927C_发明授权_CN100538927C 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_c_j_q+++.docx
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2010-02-04_US2010026368A_发明申请_US20100026368A1 HIGH Q TRANSFORMER DISPOSED AT LEAST PARTLY IN A NON-SEMICONDUCTOR SUBSTRATE_+++A_B_F_G_H_I_J_K_P_Q_n+++.docx
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2010-09-30_US2010244193A_发明申请_US20100244193A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_F_G_n_o_p_q+++.docx
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2011-02-10_KR1020110013753A_发明公开_KR1020110013753A 저굴절층 형성용 조성물, 이를 이용한 반사 방지 필름, 편광판 및 표시 장치_+++A_a+++.docx
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2011-03-03_US2011049687A_发明申请_US20110049687A1 ENCAPSULANT INTERPOSER SYSTEM WITH INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR_+++A_B_C_F_G_N_P_Q_d_i_j_o+++.docx
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2011-05-19_US2011115597A_发明申请_US20110115597A1 TRANSFORMER DEVICES_+++A_B_K_c_d_g_i_j_n_o_p_q+++.docx
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2011-06-07_US7956603B_发明授权_US07956603B2 Sensor inductors, sensors for monitoring movements and positioning, apparatus, systems and methods therefore_+++A_B_G_I_c_m_q+++.docx
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2011-06-29_CN102113116A_发明公开_CN102113116A 至少部分安置于非半导体衬底中的高品质因数变压器_+++A_B_G_I_J_L_P_Q_c_d_f_k_n+++.docx
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2011-10-26_JP4801046B_发明专利_JP4801046B2 Full deterrence type dual-chamber pacing mode_+++a_b_c_g_i_j_l_q+++.docx
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2011-12-15_JP2011530177A_发明专利_JP2011530177A High q transformer which is at least partially disposed within the non-semiconductor substrate_+++A_B_G_P_Q_c_h_i_j_k_l_n_o+++.docx
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2012-01-05_US2012002377A_发明申请_US20120002377A1 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_J_K_q+++.docx
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2012-01-26_WO2012012108A_发明申请_WO2012012108A2 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_K_O_Q_d_j+++.docx
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2012-03-22_US2012068301A_发明申请_US20120068301A1 MONOLITHIC MAGNETIC INDUCTION DEVICE_+++A_B_G_H_I_K_P_Q_f_j_m+++.docx
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2012-05-10_JP2012089700A_发明专利_JP2012089700A Planar coil, method of manufacturing the same, and composite planar coil for actuator_+++A_B_C_E_G_Q_d_i+++.docx
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2012-09-20_US2012235779A_发明申请_US20120235779A1 MICRO COIL APPARATUS AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR_+++A_B_G_H_I_J_c_f_k_m_q+++.docx
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2013-01-03_US2013001735A_发明申请_US20130001735A1 THERMALLY CONDUCTIVE SUBSTRATE FOR GALVANIC ISOLATION_+++A_B_C_F_I_L_g_j_q+++.docx
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2013-01-30_CN102906833A_发明公开_CN102906833A 电隔离变压器_+++A_B_C_F_G_K_d_i_j_q+++.docx
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JP2002110423A_Description_20260318_1906_+++A_B_C_F_K_M_d_g_h_i_j+++.docx
2026-03-24 23:32
TW201222782A_Description_20260318_1905_+++A_B_I_K_f_g_j_q+++.docx
2026-03-24 23:32
US2001024739A1_Description_20260318_1906_+++A_B_E_F_G_I_K_M_Q_c_d_j+++.docx
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US2007145568A1_Description_20260318_1905_+++A_B_G_L_P_Q_c_f_i_j_n_o+++.docx
2026-03-24 23:32
WO2005027156A2_Description_20260318_1905_+++A_B_C_E_F_G_H_I_K_O_Q_d_j_l+++.docx
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2007-03-15_JP2007506263A_发明专利_JP2007506263A Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_I_Q_c_d_e_h_j_k_o+++.docx

本次调用的模型名称:GPT-4。

目标专利名称:329无基板分立耦合电感器结构CN104969312B

对比文件名称:2007-03-15_JP2007506263A_发明专利_JP2007506263A Dsl modem and transformer

### 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
技术特征A《直接公开》[0056] それぞれの回路は薄い回路板41の上にエッチングされ、およそ0.075mm幅と0.05mm高さの銅の回路45を回路板41上に持つ。<br>(译文:各个电路在薄电路板41上被蚀刻,在电路板41上具有约0.075mm宽、0.05mm高的铜电路45。)对比文件明确公开了由导电材料(铜)构成的回路(即绕组)。该铜回路在对比文件中作为变压器的一次和二次绕组,其作用与目标专利中作为电感器绕组的作用相同,都是提供电感。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了由导电材料构成的第一电感器绕组。
技术特征B《直接公开》[0056] それぞれの回路は薄い回路板41の上にエッチングされ、およそ0.075mm幅と0.05mm高さの銅の回路45を回路板41上に持つ。<br>(译文:各个电路在薄电路板41上被蚀刻,在电路板41上具有约0.075mm宽、0.05mm高的铜电路45。)对比文件明确公开了由导电材料(铜)构成的回路(即绕组)。该文件中存在两个这样的回路,分别作为一次绕组和二次绕组。其作用与目标专利中作为电感器绕组的作用相同。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了由导电材料构成的第二电感器绕组。
技术特征C《隐含公开》[0056] 一次回路42と二次回路44の間の距離は(最短距離で測って)0.075mmである。<br>[0060] それぞれの層71、72、73、74は見易さのために隙間を空けて描かれている。<br>[0061] ...それぞれのモジュール77の間隔は0.2mmであり、下の回路と上の回路を絶縁するためのPCBの層が張られている。<br>(译文:[0056]一次电路42与二次电路44之间的距离(按最短距离测量)为0.075mm。<br>[0060] 各层71、72、73、74为了易于观察而留有间隙地描绘。<br>[0061] ...各模块77的间隔为0.2mm,并铺设有用于绝缘下方和上方电路的PCB层。)对比文件公开了一次绕组和二次绕组是分离的,并且它们之间存在间隔。在多层实施例中,层与层之间设置有绝缘的PCB层。这些绝缘层(PCB材料)物理上位于绕组之间,起到电绝缘和机械支撑的作用。虽然对比文件未明确使用“填充物”一词,但根据其描述的绝缘层位于绕组之间并起到支撑结构的作用,本领域技术人员可以合理推断,在制造过程中,这些绝缘材料(如PCB基材)必然填充在绕组之间的空间,以提供物理分离和支撑。这与目标专利中填充物的位置和作用(位于绕组之间)实质上是相同的。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
技术特征D《隐含公开》[0061] ...それぞれのモジュール77の間隔は0.2mmであり、下の回路と上の回路を絶縁するためのPCBの層が張られている。<br>(译文:[0061] ...各模块77的间隔为0.2mm,并铺设有用于绝缘下方和上方电路的PCB层。)对比文件描述了多层结构,其中绝缘的PCB层铺设在各模块(包含绕组)之间。该PCB层将上下层的电路(绕组)隔开并固定在一起,从而形成整体的多层变压器结构。这种通过绝缘层将多个绕组层堆叠并固定的方式,实际上为整个器件提供了结构上的耦合、稳定性和刚性。虽然对比文件未明确说明其作用是“提供结构耦合”,但根据其结构描述,本领域技术人员可以合理推断,位于绕组之间的绝缘层(PCB)起到了将各个绕组层物理连接并整合为一个稳固整体的作用,即提供了结构耦合。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
技术特征E《隐含公开》[0024] 本発明の特徴は強磁性物質を持たないことであり、非常に大きな縦横比のトランスを作る。<br>[0061] ...これは20mm×20mmの大きさを持ち0.2mmの厚み(圧縮前)を持つ。 つまり、(高さに対して)大きな縦横比を持つ。 ...PCBトランス70の写真が図17に示され、「擬平面」の形が見られる。 サイズが小さいことはすぐに見て取れる。 とくに高さは小さい。<br>(译文:[0024] 本发明的特征在于不具有强磁性物质,制造纵横比非常大的变压器。<br>[0061] ...这具有20mm×20mm的大小和0.2mm的厚度(压缩前)。也就是说,具有大的纵横比(相对于高度)。...PCB变压器70的照片如图17所示,可见“拟平面”的形状。尺寸小一目了然。特别是高度小。)目标专利的“没有作为基底部分的基板”意指最终的电感器结构没有起主要支撑作用的单独基板(如说明书所述基板被移除)。对比文件中的变压器制造在薄PCB(电路板)上,但该PCB是整个多层结构的一部分,并且对比文件强调其“拟平面”、高纵横比、尺寸小、特别是高度小的特征。这种结构暗示其整体上是一个扁平的集成模块,而非具有一个显著的、厚重的独立基底。从非常宽松的隐含公开标准判断,本领域技术人员有可能从对比文件描述的“拟平面”、高纵横比的薄型结构中,推理出其可以是一种没有传统厚重基底支撑的结构。尽管对比文件未明确说明“没有作为基底部分的基板”,但其追求轻薄化的结构与目标专利“无基板”的构思方向一致,因此有可能隐含公开。
技术特征F《直接公开》[0014] 一次回路と二次回路は実質的に平行で同一平面に置かれた...<br>[0027] ...一次回路と二次回路は実質的に平行であり、実質的に同一平面内にある。<br>(译文:[0014] 一次电路和二次电路实质上平行且置于同一平面...<br>[0027] ...一次电路和二次电路实质上平行,并且实质上位于同一平面内。)对比文件多次明确指出其变压器的一次绕组和二次绕组是实质上平行且共面的。这直接对应于目标专利中“横向共面”的特征。两者作用相同,都是实现绕组之间的横向(同平面)耦合。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
技术特征G《直接公开》[0018] ...それぞれの回路は連続的な導電体で形成され、螺旋状のワイヤーの形を持ち...<br>[0028] 好ましくは、一次回路と二次回路は実質的に平行な螺旋形をした導電物質であって...<br>(译文:[0018] ...各个电路由连续的导体形成,具有螺旋状导线的形状...<br>[0028] 优选地,一次电路和二次电路是由实质上平行的螺旋形的导电物质构成...)对比文件明确描述其一次和二次绕组为“螺旋形”。这完全对应于目标专利的“螺旋形状”。两者作用相同,都是通过螺旋形状来获得所需的电感。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
技术特征H《隐含公开》[0018] ...その回路は円状や楕円状や正方形や長方形や卵状でも、定形でないものでも構わない。<br>[0028] 螺旋は実質的に円形や楕円形や正方形や長方形や卵形や不定形であってもよい。<br>(译文:[0018] ...该电路可以是圆形、椭圆形、正方形、长方形、蛋形,也可以是不定形的。<br>[0028] 螺旋实质上可以是圆形、椭圆形、正方形、长方形、蛋形或不定形。)对比文件公开了螺旋绕组的形状可以是多种,包括“椭圆形”和“蛋形”。目标专利中的“拉长的圆形形状”通常可理解为类似跑道形或椭圆形。在非常宽松的隐含公开判断标准下,对比文件公开的“椭圆形”或“蛋形”可以被本领域技术人员认为是“拉长的圆形形状”的一种具体示例或等同形式。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
技术特征I《直接公开》[0060] ...それぞれの端子75、76に接続されている。<br>(译文:[0060] ...连接到各个端子75、76。)对比文件明确示出并描述了变压器具有端子(75, 76),用于外部电气连接。这些端子必然属于一次绕组和二次绕组。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地确定,第一绕组(一次)和第二绕组(二次)都包括端子。该特征被直接公开。
技术特征J《隐含公开》[0060] ...全ての一次回路と二次回路がそれぞれ直列に接続され、それぞれの端子75、76に接続されている。<br>(译文:[0060] ...所有的一次电路和二次电路分别串联连接,并连接到各个端子75、76。)对比文件公开了所有一次绕组串联后连接到端子,所有二次绕组串联后连接到端子。要使串联连接成立,每个绕组的两个端部必然分别连接到电路中的前一个绕组和后一个绕组(或端子)。因此,可以合理推断,对于每个独立的绕组(例如第一电感器绕组),其第一端和第二端分别耦合(连接)到相应的端子(或连接点)。虽然连接的具体路径可能涉及串联中的其他绕组,但每个绕组具有两个端部并分别被耦合以实现电气功能是隐含在内的。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
技术特征K《隐含公开》[0056] それぞれの回路は薄い回路板41の上にエッチングされ、およそ0.075mm幅と0.05mm高さの銅の回路45を回路板41上に持つ。<br>[0061] ...これは20mm×20mmの大きさを持ち0.2mmの厚み(圧縮前)を持つ。<br>(译文:[0056] 各个电路在薄电路板41上被蚀刻,在电路板41上具有约0.075mm宽、0.05mm高的铜电路45。<br>[0061] ...这具有20mm×20mm的大小和0.2mm的厚度(压缩前)。)对比文件公开了构成绕组的铜导体的高度为0.05mm,以及整个PCB模块(包含绕组和基材)的厚度为0.2mm(压缩前)。目标专利中“第一电感器绕组的厚度”可以指导体本身的厚度。对比文件公开的导体厚度(0.05mm)远小于0.2mm。即使将“厚度”理解为包含绝缘层的模块厚度(0.2mm),该值也等于(而非小于)0.2mm。在宽松的隐含公开判断标准下,本领域技术人员从对比文件公开的0.05mm导体厚度和0.2mm模块厚度,有可能推理出可以制造出绕组厚度小于0.2mm的结构,特别是导体厚度本身已满足该条件。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
技术特征L《未公开》未发现相关内容。对比文件描述了绕组之间或层之间使用绝缘层(如PCB材料),但并未具体公开该绝缘材料是“环氧树脂”。环氧树脂只是众多可能的绝缘或填充材料中的一种。本领域技术人员不能从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出其填充物必然是环氧树脂。因此,该技术特征未被对比文件公开。
技术特征M《未公开》[0024] 本発明の特徴は強磁性物質を持たないことであり...<br>[0037] 有利には、回線インターフェイストランスは強磁性体の芯を持たないほうがよい。<br>(译文:[0024] 本发明的特征在于不具有强磁性物质...<br>[0037] 有利的是,线路接口变压器优选不具有强磁性体芯。)对比文件的核心创新点之一就是其变压器“不具有强磁性物质”或“不具有强磁性体芯”。这与目标专利要求保护“至少一个铁磁层”的技术特征完全相反。因此,该技术特征未被对比文件公开。
技术特征N《未公开》未发现相关内容。对比文件描述了变压器可用于DSL调制解调器,并可能以PCB形式制造,但并未提及该变压器被“集成在层叠封装(PoP)结构上”。PoP是一种特定的三维封装技术。本领域技术人员不能从对比文件中得出或合理推断出该变压器应用于PoP结构。因此,该技术特征未被对比文件公开。
技术特征O《隐含公开》[0061] ...プリント回路基板の形で示されている。<br>(译文:[0061] ...以印刷电路板的形式示出。)对比文件明确其变压器可以以“印刷电路板(PCB)的形式”制造。在电子封装领域,PCB常作为封装基板或封装基板的一部分。将变压器制作在PCB上,可以理解为将其集成在一种封装基板的表面(PCB表面布线层)。虽然对比文件未使用“封装基板的表面”这一表述,但根据其公开的PCB形式,本领域技术人员有可能合理推断该变压器可以位于封装基板(PCB)的表面上。因此,在非常宽松的标准下,该技术特征被隐含公开。
技术特征P《未公开》未发现相关内容。对比文件描述了变压器以多层PCB的形式制造,这可以理解为多个PCB层堆叠而成。但“集成在封装基板内部”通常指将器件嵌入在基板介质层内部。对比文件的多层PCB结构是层压堆叠,每一层的绕组是制作在PCB表面(尽管随后被层压),并未明确描述为将整个变压器结构嵌入到单一封装基板的内部介质中。本领域技术人员不能从对比文件中明确或合理地推断出“集成在封装基板内部”这一特定集成方式。因此,该技术特征未被公开。
技术特征Q《直接公开》[0003] ...DSLモデムと、そのモデムの中で使われるトランスと...<br>[0026] DSLモデムは、データを送受信する電話線ソケットや他の線のソケットに接続される形の適切なモデムであれば何でも構わない。 例えば、パーソナルコンピュータに挿入されるために売られているものや、電話とパーソナルコンピュータと共に使われるためのアダプタでもよい。<br>(译文:[0003] ...DSL调制解调器、以及在该调制解调器中使用的变压器...<br>[0026] DSL调制解调器可以是任何适当形式的、用于连接电话线插座或其他线路插座以发送接收数据的调制解调器。例如,可以是为插入个人计算机而销售的,或是与电话和个人计算机一起使用的适配器。)对比文件明确其变压器用于DSL调制解调器中,而DSL调制解调器是一种电子设备(如用于个人计算机的适配器)。因此,包含该变压器的电感器结构必然被纳入电子设备中。该技术特征被对比文件直接公开。

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