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对比文件列表
2001-09-07_JP2001244123A_发明专利_JP2001244123A Surface-mounted planar magnetic element and method of manufacturing_+++A_B_E_F_G_I_Q_c_d_k_m+++.docx
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2002-09-27_JP2002280878A_发明专利_JP2002280878A Electronic circuit unit_+++A_B_F_G_I_Q_h_o+++.docx
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2005-01-13_US2005006752A_发明申请_US20050006752A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_E_G_I_J_L_P_Q_c_f_k_o+++.docx
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2005-03-04_KR1020050020739A_发明公开_KR1020050020739A 다층 배선 회로 모듈 및 그 제조 방법_+++A_E_G_L_O_P_Q_b_c_d_f_i_j_k_n+++.docx
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2006-01-04_CN1716467A_发明公开_CN1716467A 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_J_c_h_q+++.docx
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2006-01-05_US2006001520A_发明申请_US20060001520A1 Thin film coil, method of manufacturing the same, coil structure, and method of manufacturing the same_+++A_B_C_F_G_I_j+++.docx
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2006-01-19_JP2006019506A_发明专利_JP2006019506A Thin film coil, its manufacturing method, coil structure, and its manufacturing method_+++A_B_F_G_J_M_c_i_q+++.docx
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2006-06-07_EP1665297A_发明公开_EP1665297A2 DSL MODEM AND TRANSFORMER_+++A_B_F_G_c_h_i_q+++.docx
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2006-10-01_TW200635456A_发明专利_TW200635456A 內埋元件的基板之製造方法 METHOD OF FABRICATING A DEVICE-CONTAINING SUBSTRATE_+++I_J_P_a_b_c_d_f_q+++.docx
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2006-11-22_CN1868009A_发明公开_CN1868009A 数字用户线路调制解调器和变压器_+++A_B_F_G_K_c_d_h_i_j_l_o_p_q+++.docx
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2007-01-04_US2007001794A_发明申请_US20070001794A1 Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_Q_h_i_j_p+++.docx
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2007-03-15_JP2007506263A_发明专利_JP2007506263A Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_I_Q_c_d_e_h_j_k_o+++.docx
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2007-11-21_JP4012526B_发明专利_JP4012526B2 Thin film coil and a method of manufacturing the same, as well as the coil structure and a method for manufacturing_+++A_B_C_D_F_G_I_M_j_q+++.docx
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2008-10-07_US7432794B_发明授权_US07432794B2 Variable integrated inductor_+++A_B_G_I_J_Q_f_h+++.docx
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2009-03-04_EP1519414A_发明公开_EP1519414A1 MULTILAYER WIRING CIRCUIT MODULE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME_+++A_B_F_G_Q_c_d_e_i_k_l_p+++.docx
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2009-03-26_US2009079529A_发明申请_US20090079529A1 INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING INDUCTIVE DEVICE AND FERROMAGNETIC MATERIAL_+++A_B_C_F_G_I_J_M_q+++.docx
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2009-05-21_JP2009111036A_发明专利_JP2009111036A Thin film transformer and its production process_+++A_B_C_D_G_I_K_f_j_m+++.docx
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2009-07-01_TW200929491A_发明专利_TW200929491A 具有整合式被動元件的系統級封裝及其方法 SYSTEM-IN-PACKAGE HAVING INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND METHOD THEREFOR_+++A_e_f_g_i_q+++.docx
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2009-07-02_US2009170242A_发明申请_US20090170242A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_C_D_E_G_I_J_L_N_O_Q_f+++.docx
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2009-09-09_CN100538927C_发明授权_CN100538927C 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_c_j_q+++.docx
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2010-02-04_US2010026368A_发明申请_US20100026368A1 HIGH Q TRANSFORMER DISPOSED AT LEAST PARTLY IN A NON-SEMICONDUCTOR SUBSTRATE_+++A_B_F_G_H_I_J_K_P_Q_n+++.docx
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2010-09-30_US2010244193A_发明申请_US20100244193A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_F_G_n_o_p_q+++.docx
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2011-03-03_US2011049687A_发明申请_US20110049687A1 ENCAPSULANT INTERPOSER SYSTEM WITH INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR_+++A_B_C_F_G_N_P_Q_d_i_j_o+++.docx
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2011-06-29_CN102113116A_发明公开_CN102113116A 至少部分安置于非半导体衬底中的高品质因数变压器_+++A_B_G_I_J_L_P_Q_c_d_f_k_n+++.docx
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2012-01-05_US2012002377A_发明申请_US20120002377A1 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_J_K_q+++.docx
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2012-01-26_WO2012012108A_发明申请_WO2012012108A2 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_K_O_Q_d_j+++.docx
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2012-03-22_US2012068301A_发明申请_US20120068301A1 MONOLITHIC MAGNETIC INDUCTION DEVICE_+++A_B_G_H_I_K_P_Q_f_j_m+++.docx
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2012-09-20_US2012235779A_发明申请_US20120235779A1 MICRO COIL APPARATUS AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR_+++A_B_G_H_I_J_c_f_k_m_q+++.docx
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2013-01-03_US2013001735A_发明申请_US20130001735A1 THERMALLY CONDUCTIVE SUBSTRATE FOR GALVANIC ISOLATION_+++A_B_C_F_I_L_g_j_q+++.docx
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2013-01-30_CN102906833A_发明公开_CN102906833A 电隔离变压器_+++A_B_C_F_G_K_d_i_j_q+++.docx
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JP2002110423A_Description_20260318_1906_+++A_B_C_F_K_M_d_g_h_i_j+++.docx
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TW201222782A_Description_20260318_1905_+++A_B_I_K_f_g_j_q+++.docx
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US2001024739A1_Description_20260318_1906_+++A_B_E_F_G_I_K_M_Q_c_d_j+++.docx
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US2007145568A1_Description_20260318_1905_+++A_B_G_L_P_Q_c_f_i_j_n_o+++.docx
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WO2005027156A2_Description_20260318_1905_+++A_B_C_E_F_G_H_I_K_O_Q_d_j_l+++.docx
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2008-10-07_US7432794B_发明授权_US07432794B2 Variable integrated inductor_+++A_B_G_I_J_Q_f_h+++.docx

对比文件名称:2008-10-07_US7432794B_发明授权_US07432794B2 Variable integrated inductor

目标专利名称:329无基板分立耦合电感器结构CN104969312B

模型名称:DeepSeek

特征比对表格:

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
A《直接公开》第[0033]段:“In the preferred embodiment, the integrated inductors L1, L21 and L22 are implemented as metal traces on top of a semiconductor substrate (chip).” <br> 译文:在优选实施例中,集成电感器L1、L21和L22被实现为半导体衬底(芯片)顶部的金属走线。目标专利的特征A要求第一电感器绕组包括导电材料。对比文件明确公开了主电感器(primary inductor)L1是由金属走线(metal traces)实现的,金属是典型的导电材料。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了该技术特征。
B《直接公开》第[0033]段:“In the preferred embodiment, the integrated inductors L1, L21 and L22 are implemented as metal traces on top of a semiconductor substrate (chip).” <br> 译文:在优选实施例中,集成电感器L1、L21和L22被实现为半导体衬底(芯片)顶部的金属走线。目标专利的特征B要求第二电感器绕组包括导电材料。对比文件同样明确公开了副电感器(secondary inductors)L21和L22也是由金属走线实现的。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了该技术特征。
C《未公开》第[0033]段提及电感器由金属走线在半导体衬底上实现;第[0032]段提及副电感器与主电感器电磁耦合(electromagnetically coupled)。目标专利的特征C要求“填充物横向位于所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组之间”。该填充物在目标专利中是物理实体材料(如环氧树脂),用于提供结构支撑和耦合。对比文件公开了第一电感器(L1)和第二电感器(L21, L22)之间通过电磁场相互作用(电磁耦合),但并未公开任何物理实体材料横向位于它们之间作为填充物。二者作用机制完全不同(电磁耦合 vs. 物理结构填充耦合),因此对比文件既未直接公开也未隐含公开该技术特征。
D《未公开》第[0032]段:“The secondary inductors are not physically connected to the primary inductor but instead are electromagnetically coupled to the primary inductor.” <br> 译文:副电感器并未物理连接到主电感器,而是电磁耦合到主电感器。目标专利的特征D要求“所述填充物配置成提供所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组的结构耦合”。结构耦合在目标专利中指通过填充物这一实体材料将两个绕组物理连接在一起,以提供机械支撑和稳定性。对比文件明确说明副电感器与主电感器之间是“电磁耦合”,而非物理连接或结构耦合。对比文件未提及任何用于提供结构耦合的填充物。因此,对比文件未公开该技术特征。
E《未公开》第[0033]段:“… implemented as metal traces on top of a semiconductor substrate (chip).” <br> 译文:……被实现为半导体衬底(芯片)顶部的金属走线。目标专利的特征E强调“没有作为基底部分的基板”,这是其“无基板”分立结构的核心,指最终的电感器结构本身不包含作为支撑基底部分的基板(例如,在制造过程中或最终移除)。对比文件明确其电感器是形成在半导体衬底(semiconductor substrate)顶部,该衬底充当了基底部分。因此,对比文件的结构恰恰包含了作为基底部分的基板,与目标专利特征E相反。对比文件未公开该特征。
F《隐含公开》第[0033]段:“… implemented as metal traces on top of a semiconductor substrate (chip).” 结合附图9-13所示的电感器布局。目标专利的特征F要求“所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组横向共面”。对比文件公开了主电感器L1和副电感器L21、L22均是在同一半导体衬底顶部通过金属走线工艺实现的。从附图9-13(例如图10、11)的布局可以清晰地看出,主电感器(L1)与副电感器(L21, L22)的金属走线图案位于同一平面(芯片表面)上,并且是横向排列的关系。虽然对比文件文字未明确使用“横向共面”的表述,但本领域技术人员根据其制造工艺(在衬底顶部沉积金属形成图案)和附图所示布局,能够合理推断出这些电感器绕组是横向且共面的。因此,该特征被对比文件隐含公开。
G《直接公开》附图9-13及相应描述,例如第[0038]段:“… a single-turn figure 8 shaped primary inductor L1.”, 第[0041]段:“… a double-turn figure 8 shaped primary inductor L1…”。目标专利的特征G要求两个绕组具有螺旋形状。对比文件中的电感器,无论是主电感器L1(单匝或双匝8字形,如图9、12)还是副电感器(如图10、11中所示的螺旋状结构),其形状均为螺旋形(8字形是螺旋的一种特殊对称形式)。对比文件附图清晰展示了这些螺旋形状。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了具有螺旋形状的电感器绕组。
H《隐含公开》第[0038]段及附图9描述:“… a single-turn figure 8 shaped primary inductor L1… with an upper loop 902 and a lower loop 904.” <br> 译文:……单匝8字形主电感器L1……具有上环路902和下环路904。目标专利的特征H要求“拉长的圆形形状”。对比文件公开的主电感器L1为“8字形(figure 8 shaped)”,该形状由两个大致圆形或椭圆形的环路(902, 904)连接而成,整体呈现拉长的形态,符合“拉长的圆形形状”的描述。虽然“8字形”是更具体的形状描述,但其本质上属于拉长圆形的一种具体实现方式。本领域技术人员可以从对比文件公开的“8字形”形状合理推断出其具有“拉长的圆形”特征。因此,该特征被隐含公开。
I《直接公开》附图7、8、10、11所示的电路示意图,其中电感器L1、L21、L22均具有两个端子供电路连接。目标专利的特征I要求各绕组包括端子。在对比文件的电路图(如附图7、8)和结构示意图(如附图10、11)中,可以明确看到主电感器L1具有两个端子用于接入电路,副电感器L21和L22也各自具有两个端子用于相互连接并连接至开关(1002)。端子是电感器实现电连接的必然组成部分。因此,对比文件直接公开了各电感器绕组包括端子的技术特征。
J《直接公开》附图7、8、10、11所示的电路示意图,其中电感器L1、L21、L22的端子均连接在各自绕组的端部。目标专利的特征J限定了端子与绕组两端的连接关系。对比文件的电路示意图(如附图7、8、10、11)清晰地显示,电感器符号(代表绕组)的两个端子分别连接在该绕组图形的两端。这是电路图中电感器元件的标准表示方法,表明端子耦合至绕组的端部。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件得出该技术特征。
K《未公开》无相关内容。目标专利的特征K限定“所述第一电感器绕组的厚度小于0.2毫米”。这是对电感器结构物理尺寸的具体量化限定。对比文件虽然描述了电感器由金属走线形成,但完全没有提及任何关于金属走线厚度、特别是“小于0.2毫米”这一具体数值的信息。对比文件关注的是电感值切换功能,而非结构的薄型化。因此,对比文件未公开该技术特征。
L《未公开》无相关内容。目标专利的特征L限定“所述填充物为环氧树脂”。如上文对特征C和D的分析,对比文件未公开任何位于电感器绕组之间的填充物,更未提及该填充物是环氧树脂。因此,该特征未被公开。
M《未公开》无相关内容。目标专利的特征M要求“至少一个铁磁层,其位于与所述填充物相邻”。对比文件全文未提及使用铁磁层(ferromagnetic layer)。其电感器性能提升依赖于几何布局和电磁耦合,而非磁性材料。因此,该特征未被公开。
N《未公开》无相关内容。目标专利的特征N限定“所述电感器结构被集成在层叠封装(PoP)结构上”。对比文件描述的电感器是集成在半导体芯片(chip)上,用于例如VCO等电路(见第[0031]段),并未提及任何关于层叠封装(PoP)结构的内容。因此,该特征未被公开。
O《未公开》无相关内容。目标专利的特征O限定“所述电感器结构被集成在封装基板的表面上”。对比文件描述的电感器是集成在“半导体衬底(芯片)”上(第[0033]段),这是半导体制造中的晶圆/芯片,而非封装完成后的“封装基板”。二者属于不同层级的结构。因此,该特征未被公开。
P《未公开》无相关内容。目标专利的特征P限定“所述电感器结构被集成在封装基板内部”。同特征O,对比文件的集成环境是半导体芯片,不是封装基板,更未提及集成于其内部。因此,该特征未被公开。
Q《直接公开》第[0003]段:“… can be used in a multi-band RF radio transceiver (e.g., wireless communication devices, such as mobile telephones, pagers, laptop computers, personal digital assistants (PDAs) and the like).” <br> 译文:……可用于多频带射频无线电收发器(例如,无线通信设备,诸如移动电话、寻呼机、膝上型计算机、个人数字助理(PDA)等)。目标专利的特征Q限定“所述电感器结构被纳入在电子设备中”。对比文件明确其可变集成电感器可用于无线通信设备(如移动电话、膝上型计算机、PDA等),这些都属于电子设备。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了将该电感器结构纳入电子设备的技术特征。

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