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对比文件列表
2001-09-07_JP2001244123A_发明专利_JP2001244123A Surface-mounted planar magnetic element and method of manufacturing_+++A_B_E_F_G_I_Q_c_d_k_m+++.docx
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2002-09-27_JP2002280878A_发明专利_JP2002280878A Electronic circuit unit_+++A_B_F_G_I_Q_h_o+++.docx
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2005-01-13_US2005006752A_发明申请_US20050006752A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_E_G_I_J_L_P_Q_c_f_k_o+++.docx
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2005-03-04_KR1020050020739A_发明公开_KR1020050020739A 다층 배선 회로 모듈 및 그 제조 방법_+++A_E_G_L_O_P_Q_b_c_d_f_i_j_k_n+++.docx
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2006-01-04_CN1716467A_发明公开_CN1716467A 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_J_c_h_q+++.docx
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2006-01-05_US2006001520A_发明申请_US20060001520A1 Thin film coil, method of manufacturing the same, coil structure, and method of manufacturing the same_+++A_B_C_F_G_I_j+++.docx
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2006-01-19_JP2006019506A_发明专利_JP2006019506A Thin film coil, its manufacturing method, coil structure, and its manufacturing method_+++A_B_F_G_J_M_c_i_q+++.docx
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2006-06-07_EP1665297A_发明公开_EP1665297A2 DSL MODEM AND TRANSFORMER_+++A_B_F_G_c_h_i_q+++.docx
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2006-10-01_TW200635456A_发明专利_TW200635456A 內埋元件的基板之製造方法 METHOD OF FABRICATING A DEVICE-CONTAINING SUBSTRATE_+++I_J_P_a_b_c_d_f_q+++.docx
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2006-11-22_CN1868009A_发明公开_CN1868009A 数字用户线路调制解调器和变压器_+++A_B_F_G_K_c_d_h_i_j_l_o_p_q+++.docx
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2007-01-04_US2007001794A_发明申请_US20070001794A1 Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_Q_h_i_j_p+++.docx
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2007-03-15_JP2007506263A_发明专利_JP2007506263A Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_I_Q_c_d_e_h_j_k_o+++.docx
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2007-11-21_JP4012526B_发明专利_JP4012526B2 Thin film coil and a method of manufacturing the same, as well as the coil structure and a method for manufacturing_+++A_B_C_D_F_G_I_M_j_q+++.docx
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2008-10-07_US7432794B_发明授权_US07432794B2 Variable integrated inductor_+++A_B_G_I_J_Q_f_h+++.docx
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2009-03-04_EP1519414A_发明公开_EP1519414A1 MULTILAYER WIRING CIRCUIT MODULE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME_+++A_B_F_G_Q_c_d_e_i_k_l_p+++.docx
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2009-03-26_US2009079529A_发明申请_US20090079529A1 INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING INDUCTIVE DEVICE AND FERROMAGNETIC MATERIAL_+++A_B_C_F_G_I_J_M_q+++.docx
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2009-05-21_JP2009111036A_发明专利_JP2009111036A Thin film transformer and its production process_+++A_B_C_D_G_I_K_f_j_m+++.docx
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2009-07-01_TW200929491A_发明专利_TW200929491A 具有整合式被動元件的系統級封裝及其方法 SYSTEM-IN-PACKAGE HAVING INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND METHOD THEREFOR_+++A_e_f_g_i_q+++.docx
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2009-07-02_US2009170242A_发明申请_US20090170242A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_C_D_E_G_I_J_L_N_O_Q_f+++.docx
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2009-09-09_CN100538927C_发明授权_CN100538927C 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_c_j_q+++.docx
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2010-02-04_US2010026368A_发明申请_US20100026368A1 HIGH Q TRANSFORMER DISPOSED AT LEAST PARTLY IN A NON-SEMICONDUCTOR SUBSTRATE_+++A_B_F_G_H_I_J_K_P_Q_n+++.docx
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2010-09-30_US2010244193A_发明申请_US20100244193A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_F_G_n_o_p_q+++.docx
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2011-03-03_US2011049687A_发明申请_US20110049687A1 ENCAPSULANT INTERPOSER SYSTEM WITH INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR_+++A_B_C_F_G_N_P_Q_d_i_j_o+++.docx
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2011-06-29_CN102113116A_发明公开_CN102113116A 至少部分安置于非半导体衬底中的高品质因数变压器_+++A_B_G_I_J_L_P_Q_c_d_f_k_n+++.docx
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2012-01-05_US2012002377A_发明申请_US20120002377A1 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_J_K_q+++.docx
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2012-01-26_WO2012012108A_发明申请_WO2012012108A2 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_K_O_Q_d_j+++.docx
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2012-03-22_US2012068301A_发明申请_US20120068301A1 MONOLITHIC MAGNETIC INDUCTION DEVICE_+++A_B_G_H_I_K_P_Q_f_j_m+++.docx
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2012-09-20_US2012235779A_发明申请_US20120235779A1 MICRO COIL APPARATUS AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR_+++A_B_G_H_I_J_c_f_k_m_q+++.docx
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2013-01-03_US2013001735A_发明申请_US20130001735A1 THERMALLY CONDUCTIVE SUBSTRATE FOR GALVANIC ISOLATION_+++A_B_C_F_I_L_g_j_q+++.docx
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2013-01-30_CN102906833A_发明公开_CN102906833A 电隔离变压器_+++A_B_C_F_G_K_d_i_j_q+++.docx
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JP2002110423A_Description_20260318_1906_+++A_B_C_F_K_M_d_g_h_i_j+++.docx
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TW201222782A_Description_20260318_1905_+++A_B_I_K_f_g_j_q+++.docx
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US2001024739A1_Description_20260318_1906_+++A_B_E_F_G_I_K_M_Q_c_d_j+++.docx
2026-03-24 23:32
US2007145568A1_Description_20260318_1905_+++A_B_G_L_P_Q_c_f_i_j_n_o+++.docx
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WO2005027156A2_Description_20260318_1905_+++A_B_C_E_F_G_H_I_K_O_Q_d_j_l+++.docx
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2009-07-01_TW200929491A_发明专利_TW200929491A 具有整合式被動元件的系統級封裝及其方法 SYSTEM-IN-PACKAGE HAVING INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND METHOD THEREFOR_+++A_e_f_g_i_q+++.docx

对比文件名称:2009-07-01_TW200929491A_发明专利_TW200929491A 具有整合式被動元件的系統級封裝及其方法 SYSTEM-IN-PACKAGE HAVING INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND METHOD THEREFOR

目标专利名称:329无基板分立耦合电感器结构CN104969312B

本次调用模型名称:DeepSeek-R1

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:包括:第一电感器绕组,其包括导电材料<br>《直接公开》图2a及对应说明:“沈積一傳導層34a至34g並將其圖案化於絕緣層32上。傳導層34形成各種整合式被動元件之終端,其包含電容器(34b)、電阻器(34e與34f)以及**電感器(34g)**。”对比文件明确公开了在其半导体元件中集成了电感器(34g)。该电感器由导电材料(传导体34g)构成,这构成了电感器绕组的基本要素。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了“第一电感器绕组,其包括导电材料”。
**技术特征B**:第二电感器绕组,其包括导电材料<br>《隐含公开》图2a及对应说明:“沈積一傳導層34a至34g並將其圖案化於絕緣層32上。傳導層34形成各種整合式被動元件之終端,其包含電容器(34b)、電阻器(34e與34f)以及**電感器(34g)**。”<br>说明书:“能夠依照單層或疊層螺旋式電感器構件將該電感器形成於晶圓28之上。”对比文件明确公开了可以形成电感器(34g),并且可以按照“螺旋式电感器构件”形成。虽然说明书仅以单数形式描述了一个电感器示例,但作为整合式被动元件的制造方法,本领域技术人员基于常识可以合理推断,根据电路设计需要,可以在同一基板上制作多个电感器,包括多个独立的电感器绕组。因此,对比文件隐含公开了存在“第二电感器绕组,其包括导电材料”的可能性。
**技术特征C**:填充物,其横向位于所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组之间<br>《未公开》说明书多处提及“鈍化層”(如32,40,46)及“封膠68”。例如:“將鈍化層40沈積於絕緣層32、傳導層34、電阻層36以及電介質層38之上。”“封膠68可包含一諸如環氧樹脂基塑模材料或者其他施加於鈍化層46、構件48、52、58與64以及隨選底部填充材料56與62之上。”对比文件公开了用于绝缘、钝化和封装的“钝化层”和“封胶”。然而,这些材料是覆盖在整个结构(包括所有元件)之上或作为层间介电层,并未描述有专门“横向位于”两个电感器绕组之间,并占据该特定空间的“填充物”。目标专利的填充物特指位于两个并排绕组之间以提供结构耦合的特定材料,其位置和作用是特定的。对比文件未公开此技术特征。
**技术特征D**:所述填充物配置成提供所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组的结构耦合<br>《未公开》同上由于对比文件未公开专门横向位于两个电感器绕组之间的填充物(技术特征C),因此自然也谈不上该填充物具有“提供结构耦合”的配置。对比文件中的钝化层和封胶主要提供电绝缘、机械支撑和环境保护,其作用与目标专利中用于在无基板情况下专门耦合两个绕组的填充物的作用不同。
**技术特征E**:其中所述第一电感器绕组、所述第二电感器绕组和所述填充物没有作为基底部分的基板。<br>《直接公开》图2c及对应说明:“圖2c顯示塑模複合物或封膠68至晶圓28之附加以及**基板30之移除**。...使用適合的製程來**移除基板30**。...在基板30移除之後,顯露出鈍化層32。”对比文件明确公开了在制造过程中,作为初始承载基板的“基板30”被完全移除。移除基板后,剩余的构件(包括可能形成的电感器等被动元件)不再具有原始的基底基板。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地确定,最终形成的包含电感器绕组的半导体元件“没有作为基底部分的基板”。
**技术特征F**:其特征在于,所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组横向共面<br>《隐含公开》图2a及对应说明:“沈積一傳導層34a至34g並將其圖案化於絕緣層32上。傳導層34形成各種整合式被動元件之終端,其包含電容器(34b)、電阻器(34e與34f)以及電感器(34g)。”对比文件公开了在同一传导体层(34a-g)中图案化形成包括电感器在内的各种被动元件。本领域技术人员可以合理推断,如果在该层中制作两个电感器绕组,它们必然位于同一层面,即“横向共面”。虽然对比文件未明确示出两个电感器,但基于其制造工艺(同一金属层图案化),多个电感器绕组共面是必然的工艺结果。
**技术特征G**:其特征在于,所述第一电感器绕组具有第一螺旋形状,并且所述第二电感器绕组具有第二螺旋形状<br>《隐含公开》说明书:“能夠依照**單層或疊層螺旋式電感器構件**將該電感器形成於晶圓28之上。一般而言,疊層螺旋式電感器提供較高的電感值/單位面積,而單層螺旋式電感器則提供較佳之Q值。”对比文件明确教导了电感器可以按照“螺旋式电感器构件”形成,并区分了单层和叠层螺旋。这表明对比文件中的电感器绕组可以采用螺旋形状。基于技术特征B的隐含公开(可能存在第二电感器绕组),本领域技术人员可以合理推断,这些电感器绕组可以采用螺旋形状。因此,对比文件隐含公开了第一和第二电感器绕组具有螺旋形状的技术方案。
**技术特征H**:其特征在于,所述第一电感器绕组和所述第二电感器绕组具有拉长的圆形形状<br>《未公开》无相关描述。对比文件未描述电感器绕组的具体平面形状为“拉长的圆形形状”(如赛马场形)。虽然公开了螺旋形状,但螺旋形状与拉长的圆形形状是不同的几何特征。本领域技术人员无法从对比文件公开的内容中推导出此特定形状。
**技术特征I**:其特征在于,所述第一电感器绕组包括第一端子和第二端子,并且所述第二电感器绕组包括第三端子和第四端子<br>《隐含公开》图2a及对应说明:“傳導層34形成各種整合式被動元件之終端”。图2d及对应说明:“凸塊74也配置以電連接至晶圓28內所形成的被動元件。”对比文件公开了被动元件(包括电感器)具有“终端”(即端子),用于电连接。结合技术特征B(隐含存在第二电感器绕组),本领域技术人员可以合理推断,每个电感器绕组必然具备至少两个端子以实现电信号的输入和输出,从而构成完整的电路元件。因此,对比文件隐含公开了第一电感器绕组具有第一端子和第二端子,第二电感器绕组具有第三端子和第四端子的技术方案。
**技术特征J**:其特征在于,所述第一端子耦合至所述第一电感器绕组的第一端,并且所述第二端子耦合至所述第一电感器绕组的第二端<br>《未公开》无相关描述。对比文件虽然隐含公开了电感器绕组具有端子(特征I),但未具体描述这些端子与绕组两端的连接关系。端子可以耦合至绕组的不同位置(如中间抽头等),不必然是绕组的两端。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地或合理地推断出“第一端子耦合至第一电感器绕组的第一端,第二端子耦合至第一电感器绕组的第二端”这一具体的连接配置。
**技术特征K**:其特征在于,所述第一电感器绕组的厚度小于0.2毫米<br>《未公开》无相关描述。对比文件完全没有提及电感器绕组或任何导电层的具体厚度数值。本领域技术人员无法从对比文件公开的内容中得出或推断出“厚度小于0.2毫米”这一具体的尺寸限定。
**技术特征L**:其特征在于,所述填充物为环氧树脂<br>《未公开》说明书:“封膠68可包含一諸如**環氧樹脂**基塑模材料或者其他施加於鈍化層46、構件48、52、58與64以及隨選底部填充材料56與62之上。”对比文件公开了“封胶68”可以包含环氧树脂基材料。然而,该“封胶68”是覆盖在整个结构顶部的封装材料,并非目标专利中特指的、横向位于两个电感器绕组之间的“填充物”(技术特征C、D)。材料相同但应用位置、结构和所起的作用不同。因此,对比文件未公开“横向位于绕组之间的填充物为环氧树脂”。
**技术特征M**:其特征在于,所述电感器结构还包括:至少一个铁磁层,其位于与所述填充物相邻<br>《未公开》无相关描述。对比文件全文未提及任何“铁磁层”或其类似物。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出此技术特征。
**技术特征N**:其特征在于,所述电感器结构被集成在层叠封装(PoP)结构上<br>《未公开》无相关描述。对比文件描述的系统级封装(SiP)结构未提及“层叠封装(PoP)”这一特定类型的封装结构。其描述的是将IC芯片、离散元件等安装在同一基板(后移除)的同一侧或背侧,而非典型的PoP的堆叠封装结构。
**技术特征O**:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板的表面上<br>《未公开》图3及对应说明:“凸塊72電與機械耦合至PCB 78。”对比文件公开了最终制成的半导体元件可以通过凸块72安装到外部PCB 78上。然而,目标专利的“集成在封装基板的表面上”指的是电感器结构作为封装基板(如目标专利图9中的封装基板902)表面的一部分,而非对比文件中作为已完成的、可表面贴装的SiP器件整体。两者结构层级和集成方式不同。对比文件未公开此特定集成方式。
**技术特征P**:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板内部<br>《未公开》无相关描述。对比文件的制造工艺是在基板30上形成被动元件层,然后移除基板30。最终结构本身是去基板的,其被动元件层并非集成在另一个“封装基板内部”。目标专利的“集成在封装基板内部”指的是电感器结构嵌入在多层封装基板(如目标专利图10中的1004)的腔体内部。对比文件未公开此技术特征。
**技术特征Q**:其特征在于,所述电感器结构被纳入在电子设备中<br>《隐含公开》说明书第【0002】段:“本發明通常有關於半導體元件...晶片不僅使用於極為精密的工業與商業電子設備中,尚且使用於諸如電視機、洗烘衣機、收音機以及電話的諸多家用與消費品中。”对比文件明确其发明涉及的半导体元件用于各种电子设备中。由于对比文件公开了包含电感器(特征A)的半导体元件,本领域技术人员可以毫无困难地合理推断,包含此类电感器结构的半导体元件最终会被纳入到电子设备中使用。因此,该技术特征被隐含公开。

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