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对比文件列表
2001-09-07_JP2001244123A_发明专利_JP2001244123A Surface-mounted planar magnetic element and method of manufacturing_+++A_B_E_F_G_I_Q_c_d_k_m+++.docx
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2002-09-27_JP2002280878A_发明专利_JP2002280878A Electronic circuit unit_+++A_B_F_G_I_Q_h_o+++.docx
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2003-02-28_JP2003059744A_发明专利_JP2003059744A Manufacturing method of inductor_+++A_G_I_J_h_k_l_o_q+++.docx
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2004-02-05_JP2004039867A_发明专利_JP2004039867A Multilayer wiring circuit module and its manufacturing method_+++A_Q_b_g_i_j_n_o_p+++.docx
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2005-01-13_US2005006752A_发明申请_US20050006752A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_E_G_I_J_L_P_Q_c_f_k_o+++.docx
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2005-03-04_KR1020050020739A_发明公开_KR1020050020739A 다층 배선 회로 모듈 및 그 제조 방법_+++A_E_G_L_O_P_Q_b_c_d_f_i_j_k_n+++.docx
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2005-09-02_JP2005230076A_发明专利_JP2005230076A Hair dryer_+++g_i_q+++.docx
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2006-01-04_CN1716467A_发明公开_CN1716467A 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_J_c_h_q+++.docx
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2006-01-05_US2006001520A_发明申请_US20060001520A1 Thin film coil, method of manufacturing the same, coil structure, and method of manufacturing the same_+++A_B_C_F_G_I_j+++.docx
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2006-01-19_JP2006019506A_发明专利_JP2006019506A Thin film coil, its manufacturing method, coil structure, and its manufacturing method_+++A_B_F_G_J_M_c_i_q+++.docx
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2006-06-07_EP1665297A_发明公开_EP1665297A2 DSL MODEM AND TRANSFORMER_+++A_B_F_G_c_h_i_q+++.docx
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2006-10-01_TW200635456A_发明专利_TW200635456A 內埋元件的基板之製造方法 METHOD OF FABRICATING A DEVICE-CONTAINING SUBSTRATE_+++I_J_P_a_b_c_d_f_q+++.docx
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2006-11-22_CN1868009A_发明公开_CN1868009A 数字用户线路调制解调器和变压器_+++A_B_F_G_K_c_d_h_i_j_l_o_p_q+++.docx
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2007-01-04_US2007001794A_发明申请_US20070001794A1 Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_Q_h_i_j_p+++.docx
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2007-03-15_JP2007506263A_发明专利_JP2007506263A Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_I_Q_c_d_e_h_j_k_o+++.docx
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2007-11-21_JP4012526B_发明专利_JP4012526B2 Thin film coil and a method of manufacturing the same, as well as the coil structure and a method for manufacturing_+++A_B_C_D_F_G_I_M_j_q+++.docx
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2008-01-03_US2008001698A_发明申请_US20080001698A1 Integrated inductors_+++A_B_C_I_J_M_P_Q_d_n_o+++.docx
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2008-10-07_US7432794B_发明授权_US07432794B2 Variable integrated inductor_+++A_B_G_I_J_Q_f_h+++.docx
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2009-03-04_EP1519414A_发明公开_EP1519414A1 MULTILAYER WIRING CIRCUIT MODULE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME_+++A_B_F_G_Q_c_d_e_i_k_l_p+++.docx
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2009-03-26_US2009079529A_发明申请_US20090079529A1 INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING INDUCTIVE DEVICE AND FERROMAGNETIC MATERIAL_+++A_B_C_F_G_I_J_M_q+++.docx
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2009-05-21_JP2009111036A_发明专利_JP2009111036A Thin film transformer and its production process_+++A_B_C_D_G_I_K_f_j_m+++.docx
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2009-07-01_KR1020090071370A_发明公开_KR1020090071370A 집적 패시브 장치들을 갖는 시스템-인-패키지와 그 제조 방법_+++A_E_Q_b_g_i_l_o_p+++.docx
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2009-07-01_TW200929491A_发明专利_TW200929491A 具有整合式被動元件的系統級封裝及其方法 SYSTEM-IN-PACKAGE HAVING INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND METHOD THEREFOR_+++A_e_f_g_i_q+++.docx
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2009-07-02_US2009170242A_发明申请_US20090170242A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_C_D_E_G_I_J_L_N_O_Q_f+++.docx
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2009-09-09_CN100538927C_发明授权_CN100538927C 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_c_j_q+++.docx
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2010-02-04_US2010026368A_发明申请_US20100026368A1 HIGH Q TRANSFORMER DISPOSED AT LEAST PARTLY IN A NON-SEMICONDUCTOR SUBSTRATE_+++A_B_F_G_H_I_J_K_P_Q_n+++.docx
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2011-03-03_US2011049687A_发明申请_US20110049687A1 ENCAPSULANT INTERPOSER SYSTEM WITH INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR_+++A_B_C_F_G_N_P_Q_d_i_j_o+++.docx
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2011-05-19_US2011115597A_发明申请_US20110115597A1 TRANSFORMER DEVICES_+++A_B_K_c_d_g_i_j_n_o_p_q+++.docx
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2011-06-07_US7956603B_发明授权_US07956603B2 Sensor inductors, sensors for monitoring movements and positioning, apparatus, systems and methods therefore_+++A_B_G_I_c_m_q+++.docx
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2011-06-29_CN102113116A_发明公开_CN102113116A 至少部分安置于非半导体衬底中的高品质因数变压器_+++A_B_G_I_J_L_P_Q_c_d_f_k_n+++.docx
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2011-10-26_JP4801046B_发明专利_JP4801046B2 Full deterrence type dual-chamber pacing mode_+++a_b_c_g_i_j_l_q+++.docx
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2011-12-15_JP2011530177A_发明专利_JP2011530177A High q transformer which is at least partially disposed within the non-semiconductor substrate_+++A_B_G_P_Q_c_h_i_j_k_l_n_o+++.docx
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2012-01-05_US2012002377A_发明申请_US20120002377A1 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_J_K_q+++.docx
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2012-01-26_WO2012012108A_发明申请_WO2012012108A2 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_K_O_Q_d_j+++.docx
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2012-03-22_US2012068301A_发明申请_US20120068301A1 MONOLITHIC MAGNETIC INDUCTION DEVICE_+++A_B_G_H_I_K_P_Q_f_j_m+++.docx
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2012-05-10_JP2012089700A_发明专利_JP2012089700A Planar coil, method of manufacturing the same, and composite planar coil for actuator_+++A_B_C_E_G_Q_d_i+++.docx
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2012-09-20_US2012235779A_发明申请_US20120235779A1 MICRO COIL APPARATUS AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR_+++A_B_G_H_I_J_c_f_k_m_q+++.docx
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2013-01-03_US2013001735A_发明申请_US20130001735A1 THERMALLY CONDUCTIVE SUBSTRATE FOR GALVANIC ISOLATION_+++A_B_C_F_I_L_g_j_q+++.docx
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2013-01-30_CN102906833A_发明公开_CN102906833A 电隔离变压器_+++A_B_C_F_G_K_d_i_j_q+++.docx
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2005-01-13_US2005006752A_发明申请_US20050006752A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_E_G_I_J_L_P_Q_c_f_k_o+++.docx

对比文件名称:2005-01-13_US2005006752A_发明申请_US20050006752A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof

目标专利名称:329无基板分立耦合电感器结构CN104969312B

本次调用模型名称:DeepSeek最新版本模型

### 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**特征A**:包括:第一电感器绕组,其包括导电材料《直接公开》说明书第0038段:“Within the multi-layer wiring circuit portion 2, capacitor elements 14, resistor elements 15 and/or **inductor elements of the spiral type** are formed as film by the thin film technology or the thick film technology.”对比文件明确公开了“螺旋型电感元件(inductor elements of the spiral type)”,该电感元件作为无源元件集成在多层布线电路部分中。电感元件必然由导电材料(如金属)构成以实现其电感功能。这与目标专利中“第一电感器绕组,其包括导电材料”的技术特征相同,因此该特征被对比文件直接公开。
**特征B**:第二电感器绕组,其包括导电材料《直接公开》说明书第0038段:“Within the multi-layer wiring circuit portion 2, capacitor elements 14, resistor elements 15 and/or **inductor elements of the spiral type** are formed as film by the thin film technology or the thick film technology.”对比文件提到“电感元件(inductor elements)”为复数形式,结合其描述的电路模块包含多个芯片和元件,本领域技术人员可以毫无疑义地理解,在多层布线电路部分中可以形成多个电感元件,即至少包括第一电感器和第二电感器。每个电感元件(绕组)必然包含导电材料。因此,对比文件直接公开了“第二电感器绕组,其包括导电材料”这一技术特征。
**特征C**:填充物,其横向位于所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组之间,《隐含公开》说明书第0032段:“...a **sealing resin layer 7** for sealing these semiconductor chips 6A, 6B.” 说明书第0061段:“The sealing resin layer 7 is molded by transfer mold method or printing method, etc. by using resin material having small thermal hardening contraction percentage, such as, for example, **epoxy system resin**, etc...”对比文件公开了使用环氧树脂等树脂材料形成的密封树脂层(sealing resin layer 7),用于密封半导体芯片。该树脂层作为填充物,覆盖并填充于被密封元件(包括可能存在的电感元件)周围及之间。虽然对比文件未明确说明该树脂层“横向位于两个电感器绕组之间”,但根据其制造方法(如转移成型),树脂材料会流动并填充所有元件间的空隙。本领域技术人员能够合理推断,当两个电感元件并排设置时,用于密封的树脂材料必然会填充并位于它们之间的横向空间。因此,该特征被对比文件隐含公开。
**特征D**:所述填充物配置成提供所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组的结构耦合,《未被公开》说明书第0032段:“...a **sealing resin layer 7** for sealing these semiconductor chips 6A, 6B.”在对比文件中,密封树脂层(sealing resin layer 7)的主要作用是“密封(sealing)”半导体芯片,提供环境保护和机械保护。其并未被描述为专门用于将两个电感器绕组“结构耦合”在一起,以提供耦合电感器所需的特定机械稳定性和能量耦合路径。在目标专利中,填充物(如环氧树脂)被明确配置为提供结构耦合,这是实现无基板分立耦合电感器机械完整性和性能的关键。对比文件未公开填充物的这一特定作用和配置。因此,该特征未被公开。
**特征E**:其中所述第一电感器绕组、所述第二电感器绕组和所述填充物没有作为基底部分的基板。《直接公开》说明书第0036段:“The multi-layer wiring circuit portion 2 is **peeled off from the base substrate 20 through the peeling layer 21** after undergone a predetermined step or steps.” 说明书第0064段:“...a step of **peeling circuit module 1 from the base substrate 20** is implemented.”对比文件详细描述了其制造方法:首先在带有剥离层的基板(base substrate 20)上形成多层布线电路部分(包含电感等元件),然后在制造步骤的最后,将整个电路模块(包括其中的电感元件和密封树脂)从基板20上剥离(peeled off)。剥离后,最终的电路模块1不再包含作为其结构基底部分的初始基板20。这与目标专利中“没有作为基底部分的基板”的技术特征完全对应。因此,该特征被对比文件直接公开。
**特征F**:其特征在于,所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组横向共面。《隐含公开》说明书第0037段:“...the multi-layer wiring circuit portion 2 is adapted as described later so that first unit wiring layer 8 is formed on base substrate 20 having flat surface and unit wiring layers of the upper layer are formed in order in the state where **principal surfaces of the respective unit wiring layers including this first unit wiring layer 8 are flattened**.” 说明书第0038段:“...the capacitor elements 14, the resistor elements 15 and/or the inductor elements 16 ... are formed.”对比文件公开了在平坦化的单元布线层(unit wiring layers)上形成包括电感元件在内的无源元件。这些单元布线层是平面化的层状结构。本领域技术人员可以合理推断,当多个电感元件(如电感器16)作为布线图案的一部分形成在同一单元布线层内时,它们将处于同一平面,即“横向共面”。虽然对比文件未明确使用“横向共面”一词,但根据其制造工艺(在平坦表面依次形成平面化布线层)和元件集成方式,多个电感元件被制造在同一布线层并共享同一平面是必然的技术事实。因此,该特征被对比文件隐含公开。
**特征G**:其特征在于,所述第一电感器绕组具有第一螺旋形状,并且所述第二电感器绕组具有第二螺旋形状。《直接公开》说明书第0038段:“... **inductor elements 16 of the spiral type** are formed as film...”对比文件明确公开了电感元件是“螺旋型(Spiral type)”的。螺旋形状是电感绕组的典型形状。当存在多个电感元件时,每个都可以具有螺旋形状。因此,对比文件直接公开了第一电感器绕组和第二电感器绕组各自具有螺旋形状的技术特征。
**特征H**:其特征在于,所述第一电感器绕组和所述第二电感器绕组具有拉长的圆形形状。《未被公开》无相关描述。对比文件仅公开了电感元件是“螺旋型(spiral type)”,但并未具体描述其螺旋形状是“拉长的圆形形状”(例如赛马场形状)。螺旋形状可以是圆形、方形、六边形等多种几何形状。因此,对比文件未公开绕组具有特定“拉长的圆形形状”这一技术特征。
**特征I**:其特征在于,所述第一电感器绕组包括第一端子和第二端子,并且所述第二电感器绕组包括第三端子和第四端子。《直接公开》说明书第0038段:“... inductor elements 16 of the spiral type are formed...”任何能够实现电连接和电感功能的分立电感元件或集成电感结构都必须具有至少两个端子(输入端和输出端)以接入电路。这是电感器本身固有的、公知的特征。对比文件公开了“电感元件(inductor elements)”,本领域技术人员能够毫无疑义地理解,这些电感元件必然包括用于电连接的端子。因此,该特征被直接公开。
**特征J**:其特征在于,所述第一端子耦合至所述第一电感器绕组的第一端,并且所述第二端子耦合至所述第一电感器绕组的第二端。《直接公开》说明书第0038段:“... inductor elements 16 of the spiral type are formed...”如特征I所述,端子必然耦合至电感绕组的两端以实现其电气功能。这是电感元件结构的必然组成部分和公知常识。对比文件公开了电感元件,就意味着公开了其端子与绕组两端的连接关系。因此,该特征被直接公开。
**特征K**:其特征在于,所述第一电感器绕组的厚度小于0.2毫米。《隐含公开》说明书第0043段:“... the first layer unit wiring layer 8 to the fifth layer unit wiring layer which constitute the multi-layer wiring circuit portion 2 are formed in the state where thickness thereof is, e.g., **about 5 μm**, and the entire thickness of the multi-layer wiring circuit portion 2 can be held down to **about several ten μm**.”对比文件公开了构成多层布线电路部分的单元布线层的厚度非常薄,例如约5微米(μm),整个电路部分厚度为几十微米。电感元件(16)是作为这些薄型布线层的一部分形成的(通过薄膜或厚膜技术)。本领域技术人员可以合理推断,形成在该薄层结构中的电感器绕组的厚度将与布线层的厚度相当,即远小于0.2毫米(200微米)。虽然未明确给出电感绕组的具体厚度数值,但根据其形成的工艺环境和结构层级,可以毫无困难地推断出其厚度满足“小于0.2毫米”的条件。因此,该特征被隐含公开。
**特征L**:其特征在于,所述填充物为环氧树脂。《直接公开》说明书第0061段:“... by using resin material ... such as, for example, **epoxy system resin**, etc...”对比文件在描述密封树脂层(sealing resin layer 7)时,明确列举了其材料可以是“环氧树脂(epoxy system resin)”。这与目标专利中填充物为环氧树脂的特征完全相同。因此,该特征被对比文件直接公开。
**特征M**:其特征在于,所述电感器结构还包括:至少一个铁磁层,其位于与所述填充物相邻。《未被公开》无相关描述。对比文件全文均未提及任何铁磁层材料的使用,也未描述在电感元件或密封树脂层附近设置铁磁层以增强性能。因此,该特征未被对比文件公开。
**特征N**:其特征在于,所述电感器结构被集成在层叠封装(PoP)结构上。《未被公开》说明书第0032段:“The circuit module 1 ... is composed of a multi-layer interconnection (wiring) circuit portion ... mounted ... on a mother board 3, plural ... semiconductor chips (LSI) 6A, 6B mounted ... on a second principal surface 2b of the multi-layer wiring circuit portion 2, and a sealing resin layer 7 for sealing these semiconductor chips...”对比文件描述的是一个多层互连电路模块,其中半导体芯片(6A, 6B)通过凸点(5)直接安装在多层布线电路部分(2)的第二主表面上,然后被密封。这描述的是一个典型的倒装芯片封装或系统级封装(SiP)结构,并非明确的三维堆叠的“层叠封装(PoP)”结构。PoP结构通常指两个或以上已完成封装的器件垂直堆叠。因此,该特征未被对比文件公开。
**特征O**:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板的表面上。《隐含公开》说明书第0033段:“... suitable electronic parts (components) and/or element parts are also mounted on the second principal surface 2b of the multi-layer wiring circuit portion although not shown.” 说明书第0038段:“... inductor elements 16 of the spiral type are formed as film...”对比文件的多层布线电路部分(2)在功能上相当于一个封装基板(或中介层)。其公开了可以在该电路部分的表面(第二主表面2b)上安装电子部件。同时,电感元件(16)也可以作为形成的无源元件存在于该电路部分内部或表面。本领域技术人员可以合理推断,根据设计需要,电感器结构(作为形成的元件)可以被布置(集成)在该封装基板(即多层布线电路部分)的表面上。因此,该特征被隐含公开。
**特征P**:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板内部。《直接公开》说明书第0038段:“**Within the multi-layer wiring circuit portion 2**, capacitor elements 14, resistor elements 15 and/or inductor elements 16 of the spiral type are formed as film...”对比文件明确无误地指出,螺旋型电感元件(16)是“在多层布线电路部分2内部(Within the multi-layer wiring circuit portion 2)”形成的。该多层布线电路部分在模块中充当封装基板或中介层的角色。因此,该特征被对比文件直接公开。
**特征Q**:其特征在于,所述电感器结构被纳入在电子设备中。《直接公开》说明书第0003段:“In various digital electronic equipments, e.g., **personal computer, mobile telephone, video equipment and/or audio equipment**, etc., there is provided multi-chip circuit module...”对比文件开篇即说明其涉及的多芯片电路模块用于各种数字电子设备,如个人电脑、移动电话、视频/音频设备等。因此,包含在该电路模块中的电感器结构,自然也被纳入了这些电子设备中。这与目标专利的特征相同,因此被直接公开。

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