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对比文件列表
2003-02-28_JP2003059744A_发明专利_JP2003059744A Manufacturing method of inductor_+++A_G_I_J_h_k_l_o_q+++.docx
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2005-01-13_US2005006752A_发明申请_US20050006752A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_E_G_I_J_L_P_Q_c_f_k_o+++.docx
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2005-03-04_KR1020050020739A_发明公开_KR1020050020739A 다층 배선 회로 모듈 및 그 제조 방법_+++A_E_G_L_O_P_Q_b_c_d_f_i_j_k_n+++.docx
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2006-11-22_CN1868009A_发明公开_CN1868009A 数字用户线路调制解调器和变压器_+++A_B_F_G_K_c_d_h_i_j_l_o_p_q+++.docx
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2009-03-04_EP1519414A_发明公开_EP1519414A1 MULTILAYER WIRING CIRCUIT MODULE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME_+++A_B_F_G_Q_c_d_e_i_k_l_p+++.docx
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2009-07-01_KR1020090071370A_发明公开_KR1020090071370A 집적 패시브 장치들을 갖는 시스템-인-패키지와 그 제조 방법_+++A_E_Q_b_g_i_l_o_p+++.docx
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2009-07-02_US2009170242A_发明申请_US20090170242A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_C_D_E_G_I_J_L_N_O_Q_f+++.docx
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2011-04-14_US2011084386A_发明申请_US20110084386A1 Semiconductor Device and Method of Self-Confinement of Conductive Bump Material During Reflow Without Solder Mask_+++l_n_o_q+++.docx
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2011-06-29_CN102113116A_发明公开_CN102113116A 至少部分安置于非半导体衬底中的高品质因数变压器_+++A_B_G_I_J_L_P_Q_c_d_f_k_n+++.docx
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2011-10-26_JP4801046B_发明专利_JP4801046B2 Full deterrence type dual-chamber pacing mode_+++a_b_c_g_i_j_l_q+++.docx
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2011-12-15_JP2011530177A_发明专利_JP2011530177A High q transformer which is at least partially disposed within the non-semiconductor substrate_+++A_B_G_P_Q_c_h_i_j_k_l_n_o+++.docx
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2013-01-03_US2013001735A_发明申请_US20130001735A1 THERMALLY CONDUCTIVE SUBSTRATE FOR GALVANIC ISOLATION_+++A_B_C_F_I_L_g_j_q+++.docx
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US2007145568A1_Description_20260318_1905_+++A_B_G_L_P_Q_c_f_i_j_n_o+++.docx
2026-03-24 23:32
WO2005027156A2_Description_20260318_1905_+++A_B_C_E_F_G_H_I_K_O_Q_d_j_l+++.docx
2026-03-24 23:32
2011-04-14_US2011084386A_发明申请_US20110084386A1 Semiconductor Device and Method of Self-Confinement of Conductive Bump Material During Reflow Without Solder Mask_+++l_n_o_q+++.docx

对比文件名称:2011-04-14_US2011084386A_发明申请_US20110084386A1 Semiconductor Device and Method of Self-Confinement of Conductive Bump Material During Reflow Without Solder Mask

目标专利名称:329无基板分立耦合电感器结构CN104969312B

本次调用的模型名称:GPT-4o

### 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:包括:第一电感器绕组,其包括导电材料<br>**未被公开**对比文件涉及半导体芯片的互连结构,例如描述了“导电凸块材料”形成“互连结构”(第[0056]段),以及“由导电材料组成的接触焊盘或凸块焊盘”(第[0071]段)。**直接公开判断**:未被直接公开。对比文件公开的导电结构(如凸块、焊盘、导电柱)是用于半导体芯片与基板之间电互连的“互连结构”或“焊盘”,其功能是实现电气连接和机械固定。而目标专利的“第一电感器绕组”是一个具有特定形状(如螺旋形)以实现电感功能的线圈。本领域技术人员阅读对比文件后,无法毫无疑义地得出其中存在用作“电感器绕组”的导电结构。<br>**隐含公开判断**:未被隐含公开。对比文件全文均未提及任何用于电感功能的绕组或线圈结构。其导电结构的设计目的、形状和功能均与电感器绕组不同。本领域技术人员无法通过合理推断,从对比文件的互连凸块或焊盘中推导出“第一电感器绕组”的技术方案。
**技术特征B**:第二电感器绕组,其包括导电材料<br>**未被公开**同技术特征A的引用,对比文件描述了多个互连凸块或焊盘(例如第[0090]段描述的凸块材料阵列)。**直接公开判断**:未被直接公开。理由同技术特征A。对比文件中的多个互连凸块是各自独立、功能相同的互连点,用于连接不同的信号或电源/地,它们并非作为一对相互耦合的“电感器绕组”来设计和使用的。<br>**隐含公开判断**:未被隐含公开。对比文件中不存在第二个作为“电感器绕组”的导电结构。多个互连凸块的排列是为了提高I/O密度,而非为了实现两个电感器之间的磁耦合。无法从中推断出“第二电感器绕组”。
**技术特征C**:填充物,其横向位于所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组之间,<br>**未被公开**对比文件描述了在半导体管芯和基板之间沉积“填充物”或“密封剂”,例如“可选底部填充材料138”(第[0056]段)、“密封剂324”(第[0107]段)、“环氧树脂或环氧树脂粘合剂材料92”(第[0051]段)。**直接公开判断**:未被直接公开。对比文件中的填充物(如底部填充料、密封剂)位于半导体管芯和基板之间的整个区域,用于机械支撑、环境保护或减少应力,其位置和作用是填充芯片下方的空间。而目标专利的填充物是“横向位于”两个共面的电感器绕组“之间”,其核心作用是将两个绕组结构性地耦合在一起,形成一个独立的无基板器件。两者位置和作用均不相同。<br>**隐含公开判断**:未被隐含公开。对比文件的填充物存在于芯片与基板的垂直间隙中,而非两个并排的、共面的导电结构之间。本领域技术人员无法从对比文件中推理出存在一种专门位于两个横向排列的绕组之间、用于提供结构耦合的填充物。
**技术特征D**:所述填充物配置成提供所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组的结构耦合,<br>**未被公开**同技术特征C的引用。对比文件中填充物的作用包括“提供物理支撑和电气隔离”(第[0050]段)、“环境防护”(第[0050]段)。**直接公开判断**:未被直接公开。对比文件中填充物的作用是封装保护、机械支撑和电气隔离整个器件,并非专门用于实现两个特定导电结构(电感器绕组)之间的“结构耦合”。目标专利中“结构耦合”的含义是使两个绕组在没有基底基板的情况下结合成一个稳固的整体,这是该无基板电感器结构的核心特征。对比文件未公开此特定作用。<br>**隐含公开判断**:未被隐含公开。虽然填充物本身能提供一定的机械支撑,但对比文件并未揭示将其用于耦合两个横向并排的绕组以形成独立结构体的技术构思。无法合理推断出该特征。
**技术特征E**:其中所述第一电感器绕组、所述第二电感器绕组和所述填充物没有作为基底部分的基板。<br>**未被公开**对比文件明确使用了基底(基板),例如“基板或PCB 130”(第[0056]段)、“基板254”(第[0077]段)。所有互连结构和填充物均形成于或存在于基底之上/之间。**直接公开判断**:未被直接公开。这是目标专利最核心的创新点之一。对比文件中的整个半导体器件结构明确包含并依赖于作为基底部分的基板(如PCB、封装基板)。对比文件从未提及或暗示可以移除该基底,使得互连结构和填充物形成一个无基底的自支撑结构。<br>**隐含公开判断**:未被隐含公开。对比文件的技术方案旨在改进基板上的互连工艺,其存在的前提就是有基板。本领域技术人员阅读对比文件后,不可能推断出可以去除基板并仅靠填充物来维持两个绕组的结构完整性。这与对比文件教导的技术方向背道而驰。
**技术特征F**:其特征在于,所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组横向共面。<br>**未被公开**对比文件中的互连凸块阵列通常布置在同一平面上(例如第[0090]段,凸块材料在接触焊盘上对齐)。**直接公开判断**:未被直接公开。虽然对比文件的多个互连凸块可能位于同一层(共面),但它们是垂直方向的互连结构(连接芯片和基板),其“共面”是指它们的底部位于基板的同一表面。而目标专利的“横向共面”是指两个电感器绕组在同一水平面内并排布置,通过横向进行磁耦合。两者的空间关系和功能目的不同。<br>**隐含公开判断**:未被隐含公开。对比文件没有描述两个特定的、用作电感器的绕组结构。因此,也就谈不上这两个结构是“横向共面”布置的。无法从互连凸块的阵列布置中推断出此特征。
**技术特征G**:其特征在于,所述第一电感器绕组具有第一螺旋形状,并且所述第二电感器绕组具有第二螺旋形状。<br>**未被公开**对比文件中未描述任何导电结构具有螺旋形状。所描述的凸块、焊盘、导电柱等均为简单的圆形、矩形、梯形或柱状。**直接公开判断**:未被直接公开。螺旋形状是电感器绕组的典型特征,以实现所需的电感值。对比文件完全没有公开任何螺旋形状的导电结构。<br>**隐含公开判断**:未被隐含公开。对比文件通篇未提及“螺旋”、“线圈”、“电感”等概念。本领域技术人员无法从其中公开的互连结构形状推断出螺旋形状的电感器绕组。
**技术特征H**:其特征在于,所述第一电感器绕组和所述第二电感器绕组具有拉长的圆形形状。<br>**未被公开**对比文件中未描述“拉长的圆形形状”(如赛马场形状)的导电结构。**直接公开判断**:未被直接公开。对比文件未公开此特定形状。<br>**隐含公开判断**:未被隐含公开。无法从对比文件推断出此特征。
**技术特征I**:其特征在于,所述第一电感器绕组包括第一端子和第二端子,并且所述第二电感器绕组包括第三端子和第四端子。<br>**未被公开**对比文件中的“接触焊垫”或“凸块焊盘”(如第[0071]段的232)可以作为电气连接的端子。**直接公开判断**:未被直接公开。对比文件中的焊盘是用于连接凸块或引线的通用连接点,并非专门作为“电感器绕组”的输入/输出端子。目标专利的端子是电感器绕组的一部分,用于接入电路。<br>**隐含公开判断**:**可能隐含公开 (I)**。从最宽松的隐含公开标准看,任何导电结构要实现电气功能都需要连接点。对比文件中的导电结构(凸块/焊盘)必然有连接点(端子)。如果假设对比文件中存在电感器绕组(尽管实际上没有),那么这些绕组自然需要有端子。这是一种基于假设的、非常宽泛的推理。但严格来说,由于对比文件未公开电感器绕组本身,此特征实质上未被公开。为遵循宽松的隐含公开判断标准以避免遗漏,此处标注为可能隐含公开。
**技术特征J**:其特征在于,所述第一端子耦合至所述第一电感器绕组的第一端,并且所述第二端子耦合至所述第一电感器绕组的第二端。<br>**未被公开**对比文件中描述了导电凸块材料连接到接触焊盘(第[0072]段)。**直接公开判断**:未被直接公开。此特征描述了端子与绕组两端的具体连接关系。对比文件未公开电感器绕组,因此也不存在这种特定的连接关系。<br>**隐含公开判断**:未被隐含公开。即使认为对比文件隐含了端子(技术特征I),但端子具体连接到绕组哪一端,是技术细节,对比文件未提供任何信息,无法推断。
**技术特征K**:其特征在于,所述第一电感器绕组的厚度小于0.2毫米。<br>**未被公开**对比文件可能提及凸块或导电层的高度/厚度(例如第[0073]段“凸块236”),但未明确给出“小于0.2毫米”这一具体数值限制。**直接公开判断**:未被直接公开。对比文件未公开此具体数值特征。<br>**隐含公开判断**:未被隐含公开。对比文件未提供足够信息以推断出绕组厚度小于0.2毫米。半导体互连凸块的尺寸可能在此范围内,但这与电感器绕组的厚度是不同概念,无法直接等同或推断。
**技术特征L**:其特征在于,所述填充物为环氧树脂。<br>**隐含公开 (l)**第[0051]段:“…使用金硅共晶层或粘合材料,例如热环氧树脂或环氧树脂。” 第[0107]段:“密封剂324可以是聚合物复合材料,例如带有填料的环氧树脂…”**直接公开判断**:未被直接公开。对比文件公开了使用环氧树脂作为粘合剂或密封剂材料。<br>**隐含公开判断**:**隐含公开 (l)**。对比文件明确将环氧树脂作为一种填充/封装材料使用。虽然其应用场景(芯片粘合、模塑料)与目标专利(电感器绕组间耦合)不完全相同,但从材料本身而言,本领域技术人员可以理解环氧树脂是一种可用于电子器件中提供结构支撑和固定的常见材料。因此,可以认为对比文件隐含公开了“填充物为环氧树脂”这一材料选择。
**技术特征M**:其特征在于,所述电感器结构还包括:至少一个铁磁层,其位于与所述填充物相邻。<br>**未被公开**对比文件全文未提及“铁磁层”。**直接公开判断**:未被直接公开。<br>**隐含公开判断**:未被隐含公开。对比文件未提供任何关于铁磁层的内容。
**技术特征N**:其特征在于,所述电感器结构被集成在层叠封装(PoP)结构上。<br>**隐含公开 (n)**第[0135]段:“图21显示了封装叠层(PoP)405…”。该段描述了PoP结构。**直接公开判断**:未被直接公开。对比文件公开了PoP这种封装结构,但并未公开将“无基板耦合电感器结构”集成于其上。<br>**隐含公开判断**:**隐含公开 (n)**。根据非常宽松的隐含公开标准,对比文件公开了“PoP结构”这一集成平台。如果本领域技术人员考虑将电子元件(包括潜在的电感器)集成到先进封装中,PoP是一种已知的选择。因此,有可能通过推理认为电感器结构可以被集成在PoP上。但这是一种上位概念(封装类型)的公开,并未涉及目标专利电感器结构在PoP上的具体集成方式。
**技术特征O**:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板的表面上。<br>**隐含公开 (o)**例如,第[0056]段描述了凸块结构在基板(PCB)表面上形成和连接。**直接公开判断**:未被直接公开。对比文件公开了将互连结构(凸块)制作在基板表面,但这不是电感器结构。<br>**隐含公开判断**:**隐含公开 (o)**。同样基于宽松标准,对比文件公开了在基板表面制作和集成导电结构(凸块)的概念。本领域技术人员可以推理,其他无源器件(如电感器)也可以被集成在封装基板表面。但这是一种通用集成概念的公开。
**技术特征P**:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板内部。<br>**未被公开**对比文件未描述将任何类似电感器的结构嵌入到封装基板内部。**直接公开判断**:未被直接公开。<br>**隐含公开判断**:未被隐含公开。对比文件未提供将导电结构嵌入基板内部作为嵌入式元件的教导或暗示。
**技术特征Q**:其特征在于,所述电感器结构被纳入在电子设备中。<br>**隐含公开 (q)**第[0046]段:“电子设备50可以是蜂窝电话、个人数字助理(PDA)、数码摄像机(DVC)或其他电子通信设备…”。**直接公开判断**:未被直接公开。对比文件公开了包含半导体器件的电子设备,但未公开包含“无基板耦合电感器结构”的电子设备。<br>**隐含公开判断**:**隐含公开 (q)**。根据非常宽松的标准,对比文件公开了电子设备(如手机)包含半导体封装和元件。电感器是电子设备中常见的无源元件。因此,可以推理认为电感器结构可以被纳入电子设备中。但这是一种极其上位的、普遍的应用场景公开。

### 结论

综上所述,对比文件US20110084386A1主要涉及半导体芯片互连技术,其核心是改进凸块形成工艺以提高布线密度。该文件**未直接公开**目标专利(无基板分立耦合电感器结构)权利要求的任何技术特征,因为两者解决的技术问题(互连 vs. 电感器小型化/低成本)、采用的技术手段(凸块/焊盘/填充物在基板上 vs. 无基板的耦合绕组)和实现的功能(电气连接 vs. 磁耦合)存在根本区别。

在极其宽松的隐含公开判断标准下,仅有个别非常上位的特征(如材料选择L、封装平台N和O、最终应用Q)可能被认为被对比文件隐含的内容所涉及。但关键的区别技术特征,特别是“无基板”(E)、“电感器绕组”(A, B)及其“螺旋形状”(G)、“横向共面”(F)以及“填充物用于绕组间结构耦合”(C, D)等,均未被对比文件公开或暗示。

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