对比文件的名称：2011-06-29_CN102113116A_发明公开_CN102113116A 至少部分安置于非半导体衬底中的高品质因数变压器
目标专利的名称：329无基板分立耦合电感器结构CN104969312B
本次调用的模型名称：GPT-4
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A《直接公开》**<br>包括：第一电感器绕组，其包括导电材料 | 说明书第[0047]段：“主要级及次要级的第二部分安置于非半导体衬底143中。...较厚的导体156及157分别为主要级及次要级的第二部分的导体。...较薄的导体158及159实现于RF收发器集成电路103中的金属层中。” 图8展示了变压器128的主要级和次要级导体。 | 对比文件明确公开了变压器结构，其包含两个电感绕组，分别称为“主要级”和“次要级”。这些绕组由导电材料（如铜）构成（参见图8及描述）。本领域技术人员能够毫无疑义地确定，该变压器必然包含第一电感器绕组（主要级），其由导电材料构成。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B《直接公开》**<br>第二电感器绕组，其包括导电材料 | 同上，说明书第[0047]段及图8。 | 对比文件明确公开了变压器的“次要级”作为第二个电感器绕组，其同样由导电材料（如铜）构成。这与目标专利中的“第二电感器绕组”对应。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C《隐含公开》**<br>填充物，其横向位于所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组之间 | 说明书第[0036]段：“非半导体衬底143为层压结构且包括60微米厚的环氧树脂电介质层144。...非半导体衬底143进一步包括两个其它40微米厚电介质层145及146以及四个15微米厚铜互连件147到150。” 图7展示了电介质层144、145、146位于金属互连件（导体）之间。 | 对比文件中的变压器绕组（主要级和次要级导体）嵌入在非半导体衬底（如BGA封装衬底）的电介质材料层中。这些电介质层（如环氧树脂层）位于各金属导体层（即各绕组或绕组部分）之间，起到绝缘和支撑作用。虽然对比文件未明确使用“填充物”一词，也未强调该材料“横向位于”两个绕组之间以提供结构耦合，但根据其结构描述和图7，本领域技术人员能够理解，为了形成多层互连结构并将绕组导体固定在其中，必然存在填充于导体之间和周围的电介质材料（如环氧树脂），这些材料在物理位置上横向位于各绕组导体之间。因此，技术特征C被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征D《隐含公开》**<br>所述填充物配置成提供所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组的结构耦合 | 说明书第[0036]段描述了非半导体衬底143为包括环氧树脂电介质层的层压结构。说明书第[0005]段指出变压器部分安置于非半导体衬底中。 | 对比文件中的变压器绕组（或部分绕组）是“安置于”或“实现于”非半导体衬底中的。该衬底由多层电介质（如环氧树脂）和金属构成，其本身作为一个整体结构，必然为其内部嵌入的金属绕组（主要级和次要级）提供物理支撑和固定，即提供结构耦合，使它们保持相对位置以形成变压器功能。虽然对比文件未明确描述电介质材料“配置成提供结构耦合”，但其作为封装衬底的基础材料，本领域技术人员可以合理推断其必然起到支撑和固定内部导体的结构性作用。因此，技术特征D被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征E《未公开》**<br>其中所述第一电感器绕组、所述第二电感器绕组和所述填充物没有作为基底部分的基板。 | 说明书第[0005]段：“新颖变压器的至少一部分安置于所述非半导体衬底中。” 第[0036]段详细描述了非半导体衬底143的层压结构。 | 目标专利的核心特征之一是“无基板”，即整个电感器结构没有作为基底部分的基板（如制造完成后移除基板）。对比文件中的变压器是“安置于”或“集成在”一个明确的“非半导体衬底”（如BGA封装衬底）之中或之上的，该衬底（例如由环氧树脂等材料构成的层压板）在整个器件中明确充当基底、载体或封装基板的角色。对比文件完全没有提及移除该衬底或使其不存在。因此，对比文件未公开“没有作为基底部分的基板”这一特征。 |
| **技术特征F《隐含公开》**<br>其特征在于，所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组横向共面。 | 说明书第[0047]段及图8、图9：“较厚的导体156及157分别为主要级及次要级的第二部分的导体。导体156及157实现于金属层147(M1)中...”。图9显示导体156和157在同一平面（M1层）上。 | 对比文件图8和图9所示的变压器实施例中，主要级的第二部分（导体156）和次要级的第二部分（导体157）被描绘为在同一金属层（M1）中并排设置。虽然对比文件文字未明确使用“横向共面”一词，但从附图9可以明确看出两个导体在同一平面上且横向排列。本领域技术人员能够从该实施例中合理推断出，两个电感器绕组（至少其部分）可以以横向共面的方式布置。因此，技术特征F被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征G《直接公开》**<br>其特征在于，所述第一电感器绕组具有第一螺旋形状，并且所述第二电感器绕组具有第二螺旋形状。 | 说明书第[0047]段：“存在如所说明的导体156及157中的每一者的至少一匝...”。图8、图9、图10清晰地展示了主要级和次要级导体均为螺旋形状（至少一匝）。 | 对比文件的附图8、9、10以及文字描述“至少一匝”明确无误地显示了变压器的主要级和次要级导体（即第一和第二电感器绕组）均为螺旋形状。因此，技术特征G被对比文件直接公开。 |
| **技术特征H《未公开》**<br>其特征在于，所述第一电感器绕组和所述第二电感器绕组具有拉长的圆形形状。 | 说明书及附图中未提及或展示“拉长的圆形形状”（如赛马场形状）。图8、9、10等所示的螺旋形状为近似圆形或方形的螺旋。 | 对比文件公开的绕组形状是普通的螺旋形（圆形或方形），并未描述或暗示其为“拉长的圆形形状”。该特定形状是目标专利中提及的一种可选实施例。因此，技术特征H未被对比文件公开。 |
| **技术特征I《直接公开》**<br>其特征在于，所述第一电感器绕组包括第一端子和第二端子，并且所述第二电感器绕组包括第三端子和第四端子。 | 说明书第[0034]-[0035]段：“主要级131包括从节点P1延伸到节点P2的第一部分...节点P3...”、“次要级132还包括第一部分及第二部分...从节点S1延伸到节点S2...延伸到节点S3”。图6明确标注了节点P1, P2, P3, S1, S2, S3。 | 对比文件中的变压器主要级具有明确的电气节点/端子P1、P2、P3，次要级具有节点/端子S1、S2、S3。这些节点即为绕组接入电路的端子。例如，P1和P3可视为主要绕组的两个端子，S1和S3可视为次要绕组的两个端子。因此，技术特征I被对比文件直接公开。 |
| **技术特征J《直接公开》**<br>其特征在于，所述第一端子耦合至所述第一电感器绕组的第一端，并且所述第二端子耦合至所述第一电感器绕组的第二端。 | 说明书第[0034]段及图6：“主要级131包括从节点P1延伸到节点P2的第一部分...”、“节点P3连接到RF收发器集成电路103的端子135”。 | 对比文件明确说明了主要级（第一电感器绕组）从节点P1开始，经过P2，结束于节点P3。节点P1和P3即为该绕组的两端，并分别耦合（连接）至电路（如混频器输出）。这直接公开了绕组端子耦合至绕组端部的技术特征。技术特征J被直接公开。 |
| **技术特征K《隐含公开》**<br>其特征在于，所述第一电感器绕组的厚度小于0.2毫米。 | 说明书第[0036]段：“四个15微米厚铜互连件147到150”。这些互连件用于形成绕组导体。 | 对比文件公开了形成绕组导体的铜互连件厚度为15微米（即0.015毫米），这远小于0.2毫米。虽然这是导体厚度，且目标专利可能指整个绕组结构的厚度，但在最宽松的隐含公开判断标准下，本领域技术人员可以从对比文件公开的“15微米厚铜互连件”这一具体数值，合理推断出其所构成的第一电感器绕组（导体部分）的厚度完全有可能小于0.2毫米。因此，技术特征K被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征L《直接公开》**<br>其特征在于，所述填充物为环氧树脂。 | 说明书第[0036]段：“非半导体衬底143为层压结构且包括60微米厚的环氧树脂电介质层144。...电介质层145及146...”。 | 对比文件明确记载了其非半导体衬底中包含“环氧树脂电介质层”。如前所述，该电介质层在结构中起到填充、绝缘和支撑作用，相当于目标专利中的“填充物”。因此，技术特征L被对比文件直接公开。 |
| **技术特征M《未公开》**<br>其特征在于，所述电感器结构还包括：至少一个铁磁层，其位于与所述填充物相邻。 | 对比文件全文未提及在变压器结构中使用或设置任何铁磁层材料。 | 目标专利中提到的“铁磁层”是用于提高电感器性能（如Q因子、磁屏蔽）的附加特征。对比文件中的变压器未包含此特征，其提高品质因数的手段主要依赖于使用低电阻封装金属化和将部分结构置于低寄生电容的衬底中。因此，技术特征M未被对比文件公开。 |
| **技术特征N《隐含公开》**<br>其特征在于，所述电感器结构被集成在层叠封装(PoP)结构上。 | 说明书第[0005]段：“所述非半导体衬底可(例如)为球栅阵列(BGA)集成电路封装的接合球所附接到的衬底。” 第[0037]段：“衬底143...为球栅阵列(BGA)集成电路封装的衬底。” | 对比文件明确其变压器集成在“BGA集成电路封装”的衬底中。在电子封装领域，BGA封装是构成层叠封装（PoP）结构的常见组件之一。PoP结构通常涉及将一个封装堆叠在另一个封装之上。虽然对比文件未明确说明其用于PoP，但本领域技术人员知晓，集成了变压器等无源元件的BGA封装完全有可能作为下层或上层封装被用于构建PoP结构。因此，从宽松的隐含公开标准判断，技术特征N有可能被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征O《未公开》**<br>其特征在于，所述电感器结构被集成在封装基板的表面上。 | 对比文件中的变压器是“安置于”非半导体衬底（即封装基板）“中”（参见第[0005]、[0036]段），例如在内部金属层（M1）中。附图7也显示导体位于衬底内部。 | 目标专利的该特征要求电感器结构位于封装基板的“表面上”。对比文件明确且一致地描述其变压器部分或全部位于封装基板（衬底）的“内部”（即嵌入在电介质层之间），而非裸露在表面上。因此，技术特征O未被对比文件公开。 |
| **技术特征P《直接公开》**<br>其特征在于，所述电感器结构被集成在封装基板内部。 | 说明书第[0005]段：“新颖变压器的至少一部分安置于所述非半导体衬底中。” 第[0036]段详细描述了变压器部分在衬底内部的结构。图7为横截面图，清晰显示导体在衬底内部。 | 对比文件的核心构思之一就是将变压器的全部或一部分集成在“非半导体衬底”（即封装基板）内部，以节省芯片面积并提高性能。这直接公开了技术特征P。 |
| **技术特征Q《直接公开》**<br>其特征在于，所述电感器结构被纳入在电子设备中。 | 说明书第[0004]段：“所述新颖变压器用于将混频器的差分输出耦合到蜂窝式电话内的RF收发器集成电路裸片中的驱动放大器的单端输入。” 图4展示了移动通信装置100。 | 对比文件明确其变压器应用于“蜂窝式电话”或“移动通信装置”中，这属于典型的电子设备。因此，技术特征Q被对比文件直接公开。 |
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