**对比文件名称**：2004-08-05_US2004152258A_发明申请_US20040152258A1 Semiconductor device and method of manufacturing the same
**目标专利名称**：336互补后端制程(BEOL)电容器CN105074915B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：包括耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层的金属氧化物金属(MOM)电容器结构** | **未公开**。对比文件全文未提及金属氧化物金属(MOM)电容器。 | 目标专利的MOM电容器是利用互连层的导电叉指之间的横向电容性耦合形成的（见背景技术[0002]）。对比文件（例如[0005]）描述的是金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，其结构是介电膜夹在金属电极之间的垂直堆叠，工作原理是垂直极板耦合。两者结构和工作原理（横向耦合 vs. 垂直耦合）不同。本领域技术人员阅读对比文件后，无法直接或通过合理推理得出其中存在或隐含了利用互连层横向叉指形成的MOM电容器结构。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **B：所述MOM电容器结构包括所述互连堆叠的至少一个下互连层** | **未公开**。由于对比文件未公开MOM电容器结构，因此也未公开该结构包含互连堆叠的下互连层。 | 该技术特征是对技术特征A中MOM电容器结构的具体限定。由于对比文件未公开MOM电容器结构（特征A），因此该具体限定内容也未被公开。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出MOM电容器结构包含下互连层。 |
| **C：所述互连堆叠中的耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层** | **未公开**。对比文件未公开与MOM电容器结构耦合的第二上互连层。 | 该技术特征限定了与MOM电容器结构耦合的第二上互连层。由于对比文件未公开MOM电容器结构（特征A），因此也不存在与该结构耦合的第二上互连层。该耦合关系在对比文件中没有对应描述。 |
| **D：位于所述第一上互连层与所述第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层** | 第[0005]段：“...it has been proposed to use a metal-insulator-metal (MIM) capacitor formed of a dielectric film (insulating film) sandwiched between metal electrodes.” 第[0044]-[0048]段及图2-3描述了在硅衬底上的多层互连结构（例如，金属布线108, 109, 110）之上，依次形成TiN膜121（第三导电膜）、SiN膜122（第二介电膜）、TiN膜123（第二导电膜）、SiN膜124（第一介电膜）和TiN膜125（第一导电膜），以形成堆叠的电容器结构。 | **《直接公开》**。对比文件明确公开了在半导体器件（必然包含互连堆叠）中形成MIM电容器，该电容器由夹在金属电极之间的介电膜构成。具体实施方式中，这些MIM电容层（如介电膜122、124及其相邻的金属电极）是形成在由例如金属布线108、109、110等构成的互连结构之上的。这些金属布线层对应于目标专利中的互连层。虽然对比文件未明确使用“第一上互连层”和“第二上互连层”的术语，但其描述的MIM电容器层（如122,124）位于互连堆叠的金属布线层（如110）之上，并位于最终形成的上方的布线层（如129a, 129b）之下，实质上就是位于互连堆叠中的两个互连层（布线层）之间。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了位于互连层之间的MIM电容器层。 |
| **E：耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构** | **未公开**。对比文件未公开MOM电容器结构，因此也不存在耦合到MOM电容器结构的MIM电容器结构。 | 该技术特征限定了MIM电容器结构与MOM电容器结构之间的耦合关系。对比文件虽然公开了MIM电容器结构（见特征D的论述），但该MIM电容器结构是独立存在的堆叠电容器（例如图11中的电容器11和12），并未与任何MOM电容器结构相耦合。因此，该耦合关系未被对比文件公开。 |
| **F：所述MIM电容器结构包括第一电容器极板和第二电容器极板，所述第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分** | 第[0048]段及图2-3，图9：描述了电容器电极125a（第一电极）、123a（第二电极）、121a（第三电极）是由专门沉积的TiN膜121、123、125经图案化形成的。例如，电极125a是由TiN膜125（第一导电膜）图案化形成的。 | **未公开**。对比文件中MIM电容器的所有电极（如125a, 123a, 121a）都是通过专门沉积导电膜（TiN等）并图案化形成的独立结构。它们不是由互连堆叠中已有的、用于布线的互连层（如金属布线108, 109, 110）的一部分构成的。目标专利强调第一电容器极板“仅包括所述第一上互连层的一部分”，即利用互连层本身作为极板的一部分。对比文件没有描述或暗示使用互连层作为MIM电容器的极板。因此，该特征未被公开。 |
| **G：所述第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分** | 第[0048]段及图2-3，图9：描述了MIM电容器的电极（如125a, 123a）是由导电膜（TiN）构成的，介电膜（如SiN膜124, 122）是绝缘层。 | **未公开**。目标专利中“第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分”应结合说明书理解，其含义是第二极板由MIM电容器层（即包含介电质和/或导电材料的层）的一部分构成。对比文件中，MIM电容器的第二极板（例如电极123a）是独立的导电层（TiN膜），而“MIM电容器层”在目标专利的语境下可能指包含介电层和/或电极的复合结构。对比文件明确将电极（金属）和介电层（绝缘体）作为不同材料层分开形成和描述，第二极板是纯金属电极，并非“MIM电容器层”的一部分。因此，该特征未被公开。 |
| **H：进一步包括处于所述互连堆叠的所述第一上互连层和所述第二上互连层之间的附加MIM电容器结构，所述附加MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的第一电容器极板，所述MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板** | 第[0048]段、图8及图11：“...a capacitor structure having ... electrode 125a (first electrode)... electrode 123a (second electrode)... electrode 121a (third electrode)... a first dielectric film 124... a second dielectric film 122...” 以及图11的等效电路显示了两个并联的电容器11和12，其中电容器11由电极125a、介电膜124和电极123a构成；电容器12由电极123a、介电膜122和电极121a构成。 | **《直接公开》**。对比文件明确公开了堆叠的MIM电容器结构。如图11所示，存在两个MIM电容器（11和12）堆叠。具体地，第一MIM电容器（11）的第一极板是125a，介电层是124，第二极板是123a。附加的MIM电容器（12）的第一极板是123a，介电层是122，第二极板是121a。其中，第一MIM电容器（11）的第二极板（123a）正是附加MIM电容器（12）的第一极板。这与目标专利特征H的描述完全对应：“附加MIM电容器结构包括第一电容器极板（对应于121a）、介电层（对应于122）、以及所述MIM电容器结构的第一电容器极板（对应于125a？此处需澄清：目标专利描述存在歧义）。根据对比文件，共享的电极是123a。但核心的“堆叠且共享中间电极”的结构已被明确公开。本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了位于互连层之间的、具有共享电极的堆叠MIM电容器结构。 |
| **I：所述第二上互连层的第一部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的第一电容器极板，并且所述第二上互连层的第二部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第二电容器极板** | 第[0048]段及图9：“...wiring 129a (first conductive connection) and wiring 129b (second conductive connection) separately from each other. The electrode 121a and the electrode 125a are electrically connected by the wiring 129a.” 图9显示了布线129a连接电极121a和125a，布线129b连接电极123a。 | **《直接公开》**。对比文件图9和相应描述显示，在电容器结构上方形成了布线层（129a, 129b），这些布线层对应于目标专利中的上互连层。具体地，布线129b（可视为第二上互连层的一部分）连接到电极123a（附加MIM电容器结构12的第一极板）。布线129a（可视为第二上互连层的另一部分）连接到电极121a（附加MIM电容器结构12的第二极板）。这明确公开了第二上互连层的不同部分分别连接到附加MIM电容器结构的两个不同极板。 |
| **J：所述电容器被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中** | 第[0005]段：“Recent research and development of a large-scale integration circuit (LSI) has been focused on integrating an analog circuit such as an RF circuit and a logic circuit such as a CMOS circuit in a single chip.” | **《隐含公开》**。对比文件背景技术部分指出，其发明的MIM电容器用于集成了RF电路（射频电路）和CMOS逻辑电路的LSI（大规模集成电路）中。RF电路是无线通信设备（如蜂窝电话、PCS单元）的核心组件。本领域技术人员公知，包含RF和逻辑电路的LSI芯片可以并且通常被应用于各种电子设备中，包括目标专利所列的蜂窝电话、手持设备、娱乐单元等。虽然对比文件没有明确列举所有具体设备类型，但其公开的“用于集成RF和逻辑电路的LSI中的电容器”这一应用场景，使得本领域技术人员能够合理且直接地推断出该电容器可以被集成到这些具体的终端电子设备中。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
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