目标专利名称：互补后端制程(BEOL)电容器CN105074915B
对比文件名称：2006-08-22_US7095073B_发明授权_US07095073B2 High K artificial lattices for capacitor applications to use in Cu or Al BEOL
本次调用模型名称：DeepSeek最新版本模型
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层的金属氧化物金属(MOM)电容器结构，<br>**判断结果：未公开** | 无 | 对比文件全文均未提及或描述任何金属氧化物金属（MOM）电容器结构。对比文件的核心发明点在于制造具有高K人工超晶格介电层的金属-绝缘体-金属（MIM）电容器（参见发明背景[0008]及发明内容[0012]）。对比文件虽然提及了现有技术中关于MOM电容器的专利（US 6,117,747）作为背景（参见[0008]），但其本身描述的具体实施方式中只涉及MIM电容器的形成。因此，本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出存在MOM电容器结构，更无法得出其耦合到互连堆叠的第一上互连层。 |
| **技术特征B**：所述MOM电容器结构包括所述互连堆叠的至少一个下互连层<br>**判断结果：未公开** | 无 | 由于对比文件未公开技术特征A所述的MOM电容器结构，因此自然也未公开该MOM电容器结构包含至少一个下互连层的特征。 |
| **技术特征C**：所述互连堆叠中的耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层<br>**判断结果：未公开** | 无 | 由于对比文件未公开技术特征A所述的MOM电容器结构，因此自然也未公开存在一个耦合到该MOM电容器结构的第二上互连层。 |
| **技术特征D**：位于所述第一上互连层与所述第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层<br>**判断结果：未公开** | 图2C及相关描述：“Bottom metal electrode (M) is 25, with insulating super lattice (I) 27 (arrow), and top metal electrode (M) 290, together form the MIM, metal-insulator-metal capacitor.”（底部金属电极(M)是25，绝缘超晶格(I) 27 (箭头)，以及顶部金属电极(M) 290，共同形成MIM，金属-绝缘体-金属电容器。） | 对比文件确实公开了MIM电容器，其包含介电层（绝缘超晶格27）位于底部金属电极25和顶部金属电极290之间（参见图2C及[0044]）。然而，目标专利权利要求中的技术特征D明确限定MIM电容器层“位于所述第一上互连层与所述第二上互连层之间”。在目标专利中（参见说明书[0026]-[0027]及图2），第一和第二上互连层（如M9, M10）是互连堆叠中常规的导线层，MIM电容器层被置于这两个互连层之间，并且其中一个互连层（第一上互连层）直接充当了MIM电容器的一个极板。对比文件中，底部电极25和顶部电极290是通过双镶嵌工艺形成的“inlaid metal electrodes”（镶嵌金属电极，参见[0044]），它们被描述为“bottom capacitor metal electrode”和“top metal electrode”，并未被明确描述或定义为互连堆叠中的“上互连层”。本领域技术人员阅读对比文件时，无法毫无疑义地确定电极25和290就是互连堆叠中的特定“上互连层”（如M9和M10），也无法确定它们之间必然存在“第一上互连层”和“第二上互连层”的层级关系。因此，技术特征D未被对比文件直接公开。同时，对比文件也未提供足够的信息让本领域技术人员能够合理推断出“位于第一上互连层与第二上互连层之间的至少一个MIM电容器层”这一具体布置。 |
| **技术特征E**：耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构，<br>**判断结果：未公开** | 无 | 对比文件虽然公开了MIM电容器结构（如图2C所示），但由于其未公开技术特征A所述的MOM电容器结构，因此自然也未曾公开将MIM电容器结构与一个MOM电容器结构相耦合的特征。 |
| **技术特征F**：所述MIM电容器结构包括第一电容器极板和第二电容器极板，所述第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分，<br>**判断结果：未公开** | 图2A及描述：“Next, a bottom capacitor metal electrode 25 (M) for MIM, metal-insulator-metal capacitor, is formed over 24. This bottom capacitor metal electrode 25 (M) is comprised of copper inlaid metal, for a bottom capacitor plate and is formed by a dual damascene, trench/via process...”（接着，形成用于MIM电容器的底部金属电极25 (M)。该底部金属电极25 (M)由镶嵌铜金属构成，作为底部电容器极板，并通过双镶嵌工艺形成...）；图2C及描述：“Bottom metal electrode (M) is 25... top metal electrode (M) 290”（底部金属电极(M)是25...顶部金属电极(M) 290） | 目标专利的核心创新点之一在于，MIM电容器结构的一个极板（第一电容器极板）由互连堆叠中已有的第一上互连层（如M9）的一部分直接充当（参见说明书[0026]-[0027]，[0040]及图2），从而简化工艺。对比文件中的MIM电容器具有独立的底部电极25和顶部电极290，它们都是通过双镶嵌工艺专门形成的金属层（参见[0042], [0044]）。电极25和290并未被描述为是互连堆叠中常规的、用于布线的“上互连层”的一部分。因此，对比文件没有公开“第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分”这一技术特征。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该特定结构。 |
| **技术特征G**：所述第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分。<br>**判断结果：未公开** | 图2C及相关描述：“top metal electrode (M) 290”（顶部金属电极(M) 290） | 在目标专利中（参见说明书[0027]及图2），第二电容器极板是“所述至少一个MIM电容器层的至少一部分”，例如图2中的顶部极板252是沉积在MIM电容器层（介电层254）上的一个独立层。在对比文件中，MIM电容器的第二极板（顶部极板）是独立的金属电极290（参见[0044]），它并非由“MIM电容器层”（即介电层27）的一部分构成。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括处于所述互连堆叠的所述第一上互连层和所述第二上互连层之间的附加MIM电容器结构，所述附加MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的第一电容器极板，所述MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板。<br>**判断结果：未公开** | 无 | 该特征描述了如图4所示的两个MIM电容器结构堆叠且共享一个极板的复杂结构。对比文件全文仅描述了一个单一的MIM电容器结构（如图2C所示），没有公开任何附加的、与第一个MIM电容器结构堆叠并共享极板的MIM电容器结构。因此，该特征既未被直接公开，也无法从对比文件中隐含推导出。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述第二上互连层的第一部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的第一电容器极板，并且所述第二上互连层的第二部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第二电容器极板。<br>**判断结果：未公开** | 无 | 由于对比文件未公开技术特征H所述的附加MIM电容器结构，因此自然也未曾公开第二上互连层与该附加结构两个极板的特定耦合关系。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述电容器被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。<br>**判断结果：隐含公开** | 发明内容[0012]：“For future applications in RF integrated circuits in the back end of line, BEOL, the present invention describes a method of fabricating high dielectric constant MIM, metal-insulator-metal capacitors... These high dielectric constant MIM capacitor met all of the stringent requirements needed for both for both RF and analog circuit applications.”（对于后端制程（BEOL）中射频集成电路的未来应用，本发明描述了一种制造高介电常数MIM电容器的方法...这些高介电常数MIM电容器满足射频和模拟电路应用的所有严格要求。） | 对比文件明确指出其发明的高K MIM电容器旨在用于“RF integrated circuits”（射频集成电路）和“analog circuit applications”（模拟电路应用）。本领域技术人员公知，射频和模拟集成电路是构成蜂窝电话、手持通信设备、娱乐单元、导航设备等众多电子产品的核心部件。因此，虽然对比文件没有明确列出技术特征J中的所有具体设备，但本领域技术人员根据对比文件所公开的应用领域（RF和模拟电路），可以毫无困难地合理推断出，包含此类MIM电容器的集成电路可以被集成到这些常见的电子设备中。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
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