本次调用的模型名称：DeepSeek最新版本模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层的金属氧化物金属(MOM)电容器结构，<br>**《直接公开》** | 对比文件第16页第1-5行：“The complementary gold oxide semiconductor 312 is used as a front-end process capacitor, ... The tungsten contact (CA) layer 712 between the fourth metal and the polysilicon provides a contact interface to the polysilicon contact 7〇5 and the third It is transmitted between the wiring layer 705, the BEOL CMIM 314 and the CVNCAP 316 capacitor structure.” 以及图7、图8(a)所示结构。 | 对比文件公开了互补金属氧化物半导体（CMOS）电容312作为前端工艺电容器。该CMOS电容312通过接触层712与后续的互连层（即后端制程BEOL中的互连层）电连接，构成了耦合关系。结合附图7和8(a)可以明确看出，电容结构312（即MOM电容器）与上层的互连层（例如M1-M8）相连，即耦合到了互连堆叠的上互连层。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B**：所述MOM电容器结构包括所述互连堆叠的至少一个下互连层<br>**《直接公开》** | 对比文件第16页第1-3行：“The complementary gold oxide semiconductor 312 is used as a front-end process capacitor, and includes a first solid substrate layer 7〇2; a second germanium layer 7〇3, and the germanium layer includes a source 704, a drain 706, and a gate 7〇8. And a third conductive polysilicon contact layer 705' comprising separate contact regions at the source 7〇4, the drain 7〇6 and the gate 7(10).” | 对比文件明确指出CMOS电容312（即MOM电容器）包括第一衬底层702、第二层703（具有源极704、漏极706和栅极708）以及第三导电多晶硅接触层705。这些层（特别是多晶硅接触层705）属于集成电路制造中的下层互连结构，位于后端金属互连层（如M1-M8）之下。因此，MOM电容器结构包含了互连堆叠中至少一个下互连层（如多晶硅接触层），该特征被直接公开。 |
| **技术特征C**：所述互连堆叠中的耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层<br>**《直接公开》** | 对比文件第16页第3-5行：“... the BEOL CMIM 314 and the CVNCAP 316 capacitor structure.” 以及图7、图8(a)所示结构，其中CMOS电容312通过接触层712与后续的金属层（M1-M8）连接。 | 对比文件公开了互连堆叠包含多个金属层（M1至M8），这些金属层属于后端制程（BEOL）的互连层。CMOS电容312（MOM电容器）通过接触层712与这些金属层电连接。根据附图7和8(a)以及电路连接关系（例如第一埠801和第二埠802分别连接至不同极板），可以确定存在与MOM电容器结构耦合的互连层，这些互连层中的上层（例如M7、M8）可以视为“第二上互连层”。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征D**：位于所述第一上互连层与所述第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层<br>**《直接公开》** | 对比文件第17页第8-10行：“Metal-insulating layer · Metal capacitor 314 is also a part of the _ , & 疋 posterior process (BEOL), and has The top plate 752 interfaces with the bottom plate 754 and the dielectric layer 756 therebetween, and the metal 'insulating layer gold and the top CVNCAP top metal layer 732.” | 对比文件明确公开了金属-绝缘层-金属电容器（CMIM 314），其具有顶板752、底板754以及位于其间的介电层756。该CMIM电容器314是后端制程（BEOL）的一部分，并且其位置位于互连堆叠的上层金属层（例如与CVNCAP的顶部金属层732相关联）。在多层互连结构中，MIM电容器层自然地会位于两个用作其极板的导电层（可对应于第一和第二上互连层）之间。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征E**：耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构，<br>**《直接公开》** | 对比文件第13页第1-3行：“... the multi-capacitance circuit component 310 includes a metal oxide tantalum capacitor or a complementary metal oxide semiconductor 312, a metal-insulator layer_metal capacitor 314, and a vertical native capacitor 316 connected in parallel.” 以及图3、图7、图8(b)。 | 对比文件的多电容器电路元件310明确包含了CMOS电容312（MOM）、CMIM电容314（MIM）和CVNCAP电容316，并且它们是并联连接的（图8(b)电路图清楚显示了并联关系）。并联意味着各个电容器结构在电路上是耦合在一起的。因此，MIM电容器结构（CMIM 314）被耦合到了MOM电容器结构（CMOS 312），该特征被直接公开。 |
| **技术特征F**：所述MIM电容器结构包括第一电容器极板和第二电容器极板，所述第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分，<br>**《未公开》** | 对比文件第17页第8-10行描述了MIM电容器314具有顶板752和底板754，但未明确指出其中任何一个极板是“仅包括第一上互连层的一部分”。图7显示CMIM 314的极板（752，754）似乎是独立的层。 | 目标专利强调MIM电容器的一个极板“仅包括第一上互连层的一部分”，即该极板由上互连层的金属线路本身构成，而非一个独立的、额外的金属板。对比文件公开的CMIM 314具有独立的顶板752和底板754，并未描述或暗示其底板或顶板是由某个上互连层（如M9）的金属线路的一部分所构成。本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出该特定结构。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征G**：所述第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分。<br>**《隐含公开》** | 对比文件第17页第8-10行：“Metal-insulating layer · Metal capacitor 314 ... has The top plate 752 interfaces with the bottom plate 754 and the dielectric layer 756 therebetween...” | 对比文件明确公开了MIM电容器（CMIM 314）包含顶板752、底板754和介电层756。其中，顶板752和底板754共同构成了MIM电容器结构的两个极板。因此，MIM电容器结构的第二电容器极板（无论是顶板还是底板）必然“包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分”。这里的“MIM电容器层”可以理解为构成MIM电容器的导电层（极板）和介电层。该特征是MIM电容器定义的必然组成部分，本领域技术人员可以从对比文件的描述中直接且合理地推断出来。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括处于所述互连堆叠的所述第一上互连层和所述第二上互连层之间的附加MIM电容器结构，所述附加MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的第一电容器极板，所述MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板。<br>**《未公开》** | 对比文件全文未描述存在两个MIM电容器结构，且其中一个MIM电容器结构的极板同时作为另一个MIM电容器结构的极板。图7、图8(a)仅示出一个CMIM电容器314。 | 目标专利的权利要求特征H描述了一种嵌套或共享极板的双MIM电容器结构。对比文件仅公开了一个单一的MIM电容器结构（CMIM 314）。对比文件中没有任何内容提及或暗示存在一个附加的MIM电容器结构，更未提及该附加结构与原有的MIM电容器结构共享极板（即一个结构的极板作为另一个结构的极板）。本领域技术人员无法从对比文件公开的内容中推理出该特定结构。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述第二上互连层的第一部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的第一电容器极板，并且所述第二上互连层的第二部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第二电容器极板。<br>**《未公开》** | 对比文件未公开技术特征H所述的“附加MIM电容器结构”，因此也必然未公开该附加结构与第二上互连层的具体耦合方式。 | 由于作为前提的技术特征H（附加MIM电容器结构）未被对比文件公开，因此关于该附加结构如何与第二上互连层耦合的具体特征I，自然也未被对比文件公开。对比文件中不存在对应的结构描述。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述电容器被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。<br>**《隐含公开》** | 对比文件背景技术及实施例中提及该电容设计应用于晶片（on-chip），例如用于为电路提供清洁的DC电源信号（参见第11页第13-15行，图2，图3），属于集成电路中的元件。 | 对比文件公开的是一种高良率高密度的“晶片电容设计”（on-chip capacitor design），其本质是集成在半导体芯片上的电容器结构。本领域技术人员公知，此类集成在芯片上的电容器，其最终应用场景就是包含在各种电子设备中，例如蜂窝电话、计算机、娱乐设备等。虽然对比文件没有明确列举目标专利权利要求中的所有具体设备类型，但“集成到电子设备中”是此类晶片电容技术的必然归宿和常规应用。因此，可以合理地推断该电容器能够被集成到所述各类设备中，该特征被隐含公开。 |
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