**对比文件名称**：2008-09-25_US2008230820A_发明申请_US20080230820A1 SEMICONDUCTOR DEVICE
**目标专利名称**：336互补后端制程(BEOL)电容器CN105074915B
**本次调用模型名称**：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **特征A：包括耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层的金属氧化物金属(MOM)电容器结构。** <br>《直接公开》 | 参见对比文件[0051]-[0093]，特别是[0088]-[0091]，描述了在电容形成区域，使用布线层M2-M6中的金属图案MP1-MP4形成MIM型电容器C2。该电容器C2通过布线M1a/M1b、插塞13a/13b/16等与下层的电容器C1（MOS型）的上下电极电连接。布线M1是形成在半导体衬底上的第一层布线（参见[0069]），其图案部分M1a和M1b在平面图中与上层布线M2-M6的特定连接部分MC1/MC3和MC2/MC4重叠并电连接（参见[0098]-[0100]）。 | 对比文件明确公开了在IC器件的互连堆叠（由多层布线M1-M7等构成）中，存在一个MOM电容器结构（即电容C2，其利用同一布线层内叉指状金属图案之间的横向电容，属于MOM电容器）。该MOM电容器结构（C2）通过布线M1（第一层布线）与下层电容器C1连接，而布线M1属于互连堆叠的一部分。本领域技术人员能够毫无疑义地确定，布线M1作为互连层，起到了将MOM电容器结构耦合到互连堆叠中的作用，这与特征A中“耦合到第一上互连层”的技术方案实质相同。因此，特征A被对比文件直接公开。 |
| **特征B：所述MOM电容器结构包括所述互连堆叠的至少一个下互连层。** <br>《直接公开》 | 参见对比文件[0071]-[0076]，[0088]-[0091]。电容器C2由第二至第六层布线（M2, M3, M4, M5, M6）中的金属图案MP1-MP4形成。这些布线层（M2-M6）是形成在半导体衬底上方的互连层。例如，M2是第二层布线，位于第一层布线M1之上（参见[0071]-[0072]）。 | 对比文件中的MOM电容器C2由互连堆叠中的布线层M2-M6构成。这些布线层相对于文件中提到的更上层的布线（如M7）或MIM电容器的电极层而言，属于“下互连层”。本领域技术人员能够毫无疑义地得出，该MOM电容器结构包含了互连堆叠的至少一个下互连层（例如M2）。因此，特征B被对比文件直接公开。 |
| **特征C：所述互连堆叠中的耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层。** <br>《直接公开》 | 参见对比文件实施例3（[0123]-[0150]），特别是[0145]-[0148]。在电容形成区域，第七层布线M7被形成。布线M7具有布线部分M7a和M7b，它们通过插塞36等与下层布线M6的对应部分MC1和MC2电连接（参见[0145]-[0146]）。布线M7a和M7b进一步通过插塞40和45分别连接到MIM电容器C3的下电极43和上电极49（参见[0145]-[0147]）。同时，布线M6的MC1/MC2是构成MOM电容器C2电极的一部分（参见[0090]-[0091]）。因此，M7通过M6与C2电连接。 | 对比文件公开了在互连堆叠中，存在比形成MOM电容器C2的布线层（M2-M6）更上层的布线层M7。该布线层M7通过垂直互连（插塞）与MOM电容器C2电连接，起到了“耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层”的作用。本领域技术人员能够毫无疑义地确定该技术特征。因此，特征C被对比文件直接公开。 |
| **特征D：位于所述第一上互连层与所述第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层。** <br>《直接公开》 | 参见对比文件实施例3（[0123]-[0150]），特别是[0130]-[0137]。在布线M6（第六层布线）和布线M7（第七层布线）之间，形成了MIM型电容器C3。C3包括下金属电极43、绝缘膜46和上金属电极49（参见[0133]-[0136]）。下电极43通过插塞40连接到布线M7的M7c部分（与M7a一体），上电极49通过插塞45连接到布线M7的M7b部分（参见[0145]-[0147]）。布线M6和M7分别通过插塞36与M7a/M7b连接。 | 对比文件明确公开了在第一上互连层（对应于布线M6，因其是MOM电容器C2所在层并作为与M7连接的节点）与第二上互连层（布线M7）之间，存在一个完整的MIM电容器层（即电容器C3，由下电极43、介电层46和上电极49构成）。该MIM电容器层位于这两层互连层之间。因此，特征D被对比文件直接公开。 |
| **特征E：耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构。** <br>《直接公开》 | 同上引用[0123]-[0150]。MIM电容器C3通过布线M7以及插塞36、40、45等，与由布线M2-M6构成的MOM电容器C2电连接，具体为C3的下电极43与C2的第一电极（MP1/MP3）连接，C3的上电极49与C2的第二电极（MP2/MP4）连接（参见[0145]-[0148]），从而C2和C3并联连接（参见[0148]，图17）。 | 对比文件公开了一个MIM电容器结构（C3），该结构通过中间互连层（M7）及垂直通孔与MOM电容器结构（C2）电性耦合并并联。这符合“耦合到所述MOM电容器结构”的技术特征。因此，特征E被对比文件直接公开。 |
| **特征F：所述MIM电容器结构包括第一电容器极板和第二电容器极板，所述第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分。** <br>《未公开》 | 对比文件中MIM电容器C3的第一电容器极板（下电极43）是一个独立的金属电极，形成在绝缘膜41的开口42中，并通过插塞40与布线M7连接（参见[0130]-[0133]，[0145]）。它并非由布线M6或M7等互连层的一部分直接构成。 | 在对比文件中，MIM电容器C3的极板（下电极43和上电极49）是专门沉积和图案化的独立金属层，而不是由已有的互连层（如M6或M7）的一部分直接充当。特征F要求“第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分”，这意味着极板是互连层本身的一部分。对比文件未公开此技术方案，本领域技术人员也不能毫无疑义地或通过合理推断得出该方案。因此，特征F既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **特征G：所述第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分。** <br>《直接公开》 | 参见对比文件[0133]-[0136]。MIM电容器C3的第二电容器极板（上电极49）由导体膜47和48构成，这些是专门为形成电容器而沉积和图案化的层，即“MIM电容器层”的一部分。 | 对比文件明确公开了MIM电容器结构（C3）的第二电容器极板（上电极49）由构成该电容器的导体膜（即MIM电容器层）的一部分形成。这完全符合特征G的描述。因此，特征G被对比文件直接公开。 |
| **特征H：其特征在于，进一步包括处于所述互连堆叠的所述第一上互连层和所述第二上互连层之间的附加MIM电容器结构，所述附加MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的第一电容器极板，所述MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板。** <br>《未公开》 | 对比文件实施例3（[0123]-[0150]）仅描述了在M6和M7之间有一个MIM电容器C3。未描述在第一上互连层（如M6）和第二上互连层（如M7）之间存在两个共享极板的MIM电容器结构。 | 特征H限定了两个MIM电容器结构以共享极板的方式层叠。对比文件只公开了单个MIM电容器结构（C3）位于两层布线之间，没有公开任何附加的、与C3共享极板的MIM电容器结构。本领域技术人员无法从对比文件中直接得到或合理推断出该特定组合结构。因此，特征H未被公开。 |
| **特征I：其特征在于，所述第二上互连层的第一部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的第一电容器极板，并且所述第二上互连层的第二部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第二电容器极板。** <br>《未公开》 | 由于特征H所限定的附加MIM电容器结构未被公开，因此与之相关的连接关系特征I在对比文件中也没有相应记载。 | 特征I的连接关系依附于特征H的附加MIM电容器结构。既然该结构本身未被公开，其具体的极板与第二上互连层的连接方式自然也无法在对比文件中找到依据或通过合理推断得出。因此，特征I未被公开。 |
| **特征J：其特征在于，所述电容器被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。** <br>《未公开》 | 对比文件全文未提及将所描述的半导体器件或电容器集成到任何具体的终端设备中。 | 特征J是具体的应用领域限定。对比文件仅描述了半导体器件内部的电容器结构及其制造，并未指明该器件最终用于何种具体产品。虽然本领域技术人员知晓半导体器件可用于多种电子设备，但该特征本身并未被对比文件所披露，也不属于为实现发明目的所必然隐含的技术内容。因此，特征J未被公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<G>>>