对比文件名称：2005-03-03_US2005048674A_发明申请_US20050048674A1 Method and system for providing a magnetic element including passivation structures
目标专利名称：398具有包括磁性隧道结的顶部电极及底部电极的装置的制造与集成CN102687298B
模型名称：DeepSeek
根据目标专利说明书和权利要求，我对技术特征进行划分和比对如下：
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：在层间或金属间电介质衬底上沉积隔离层<br>**《未公开》** | 未找到明确对应内容。图4和图6示出在衬底302/352上存在层，但未明确描述“隔离层”及其沉积。 | 对比文件未公开在层间或金属间电介质衬底上沉积隔离层这一具体步骤。对比文件主要关注MTJ堆栈本身及其钝化，并未描述位于MTJ堆栈下方的、用于将底部电极与衬底电隔离的专门“隔离层”的形成。 |
| **技术特征B**：在所述隔离层和第一接触件上沉积第一电极层，所述第一接触件嵌入于所述层间或金属间电介质衬底中，并且延伸穿过所述隔离层<br>**《未公开》** | 说明书第[0047]段：“The bottom surface of the seed/AFM layer 102′ is connected to the conductive layer 309, which is connected to the drain 304 of the transistor 313 through the stud 308.” | 对比文件公开了导电柱（stud 308）和导电层（309）连接MTJ底部（seed/AFM层 102'）到晶体管，这可以理解为底部电极结构。然而，对比文件未明确描述在“隔离层”上沉积“第一电极层”的步骤，也未明确说明接触件“延伸穿过所述隔离层”。目标专利中“第一电极层”是后续需要单独图案化的层，而对比文件中的导电层309可能是在MTJ堆栈沉积之前形成的互连层，并非与MTJ同时或在其后沉积并需要单独图案化的“电极层”。因此，对比文件未直接或隐含公开该技术特征。 |
| **技术特征C**：在所述第一电极层上与所述第一接触件偏移制造磁性装置<br>**《隐含公开》** | 说明书第[0047]段：“The bottom surface of the seed/AFM layer 102′ is connected to the conductive layer 309, which is connected to the drain 304 of the transistor 313 through the stud 308.” 图4、6显示了MTJ堆栈位于导电柱/导电层上方。 | 对比文件公开了磁性装置（MTJ堆栈）形成在导电层（309）之上，而该导电层通过导电柱（308）连接到晶体管的漏极（304）。从结构上看，MTJ堆栈必然位于导电柱的顶部区域上方，这隐含了MTJ与下方接触点（导电柱）在水平位置上存在“偏移”关系，因为MTJ需要覆盖接触点以实现电连接，但通常不会完全对齐。本领域技术人员可以合理推断，为了实现可靠的电连接和集成，磁性装置的制造位置会与下方的接触件在水平方向上存在偏移。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征D**：在制造所述磁性装置之后图案化所述第一电极层<br>**《未公开》** | 说明书第[0044]段：“The lateral dimensions of the MTJ stack 101 are defined, via step 206. Step 206 generally includes a photolithography and an etching process.” | 对比文件公开了通过光刻和蚀刻工艺定义MTJ堆栈的横向尺寸（步骤206）。然而，该步骤是针对整个MTJ堆栈（包括种子层/AFM层、钉扎层、势垒层、自由层）进行的图案化，并未公开在MTJ制造之后，单独对“第一电极层”（即目标专利中位于MTJ下方的导电层）进行图案化的步骤。在对比文件的工艺中，底部电极（对应导电层309）可能是在MTJ堆栈沉积之前就已图案化完成，或者与MTJ堆栈一同被图案化。目标专利的核心改进点之一正是在制造MTJ“之后”单独图案化底部电极，以降低工艺难度和短路风险，而对比文件并未教导或暗示这一分开的图案化步骤。 |
| **技术特征E**：在经图案化的第一电极层上沉积顶盖层，所述顶盖层围绕所述经图案化的第一电极层的至少一个边缘延伸且直接接触所述隔离层<br>**《未公开》** | 说明书第[0044]段：“After the memory device is cleaned to substantially remove photoresist residue, the material for the passivation layer 110A and 110B is deposited, via step 208.” 图2A-2C。 | 对比文件公开了在定义MTJ堆栈后沉积钝化层材料（步骤208），并可选地蚀刻以形成覆盖MTJ侧壁的钝化层（110A/110B等）。然而，对比文件的钝化层是覆盖**MTJ堆栈**的侧壁（和/或顶部），其目的是防止氧扩散（见[0031], [0043]段）。而目标专利的“顶盖层”是沉积在**经图案化的第一电极层（底部电极）**上，并围绕其边缘延伸且接触**隔离层**，其作用是在后续分开蚀刻步骤中保护底部电极侧壁（见说明书[0037]段）。两者作用对象、位置和目的均不相同。对比文件未公开针对单独图案化后的底部电极沉积保护性顶盖层的技术特征。 |
| **技术特征F**：将第一电介质层沉积于所述磁性装置及所述第一电极层上<br>**《直接公开》** | 说明书第[0011]段：“The conventional dielectric layer 40 insulates the conventional MTJ stack 30, preventing the conventional MTJ stack 30 from shorting to other elements... It is also a common practice to deposit the dielectric layer on the full wafer so both the edges and the top of the conventional MTJ slack 30 are covered and protected.” | 对比文件明确公开了在MTJ堆栈（磁性装置）形成后，沉积介电层（40）覆盖MTJ堆栈及其周围区域，包括其顶部和边缘。虽然对比文件未明确提及“第一电极层”，但根据其整体结构（如图4，MTJ堆栈101’位于导电层309上），介电层40的沉积必然也覆盖了MTJ下方的导电层（对应于第一电极层）区域。该介电层的作用是绝缘和保护，与目标专利中“第一电介质层”的作用（填充空间，为后续平坦化和顶部电极沉积做准备）虽然侧重点不同，但“沉积介电层于装置上”这一技术手段被直接公开。 |
| **技术特征G**：在沉积所述第一电介质层之后沉积第二电极层<br>**《直接公开》** | 说明书第[0012]段：“...to open a via (not shown) to the top of the conventional MTJ stack 30, via step 60. Thus, the bit line 12 can make contact with the conventional MTJ stack 30.” 图4，图6显示了位线（312， 380）与MTJ顶部连接。 | 对比文件公开了在介电层（40）中开出通孔后，形成位线（12, 312, 380）与MTJ顶部连接（步骤60， 62）。位线作为与MTJ顶部电连接的导电线路，其功能等同于目标专利中的“第二电极层”（顶部电极）。虽然对比文件描述为形成“bit line”，但本领域技术人员能够毫无疑义地理解，在MTJ器件中，与MTJ自由层电接触的顶部导体即可视为顶部电极。因此，在沉积第一电介质层之后沉积第二电极层（顶部电极/位线）这一特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征H**：及在沉积所述第二电极层之后图案化所述第二电极层。<br>**《隐含公开》** | 说明书第[0012]段：“The bit line 12 is then fabricated with conventional CMOS processes, via step 62.” | 对比文件公开了使用常规CMOS工艺制造位线（步骤62）。常规CMOS工艺制造金属线路（如位线）必然包括图案化步骤（例如，通过沉积金属层、涂覆光刻胶、曝光、显影、蚀刻等步骤形成特定图形的导线）。虽然对比文件未明确写出“图案化”一词，但“fabricated with conventional CMOS processes”对本领域技术人员而言，毫无疑义地隐含了包括图案化在内的标准制造流程。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征I**：其中所述磁性装置包含磁性隧道结。<br>**《直接公开》** | 说明书多处，例如第[0004]段：“...and a Magnetic Tunneling Junction (MTJ) stack.” 第[0030]段：“...preferably a MTJ stack including at least layers 102, a pinned layer 104, an insulator layer 106, and a free layer 108.” | 对比文件明确且多次公开了其磁性装置为磁性隧道结（MTJ）。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征J**：其进一步包含将所述磁性隧道结集成到磁性随机存取存储器中。<br>**《直接公开》** | 说明书标题及多处，例如第[0003]段：“...magnetic random access memory (MRAM)...” 第[0030]段：“The present invention will be described in terms of... illustrative magnetic random access memory (MRAM) cells.” | 对比文件的发明主题就是用于MRAM的磁性元件，其说明书通篇描述均在MRAM的语境下。因此，将MTJ集成到MRAM中这一特征被直接公开。 |
| **技术特征K**：其进一步包含在沉积所述第二电极层之前平坦化所述第一电介质层。<br>**《未公开》** | 未找到对应内容。 | 对比文件描述了沉积介电层（40）覆盖MTJ，并开孔以接触MTJ顶部（[0011]-[0012]段），但并未提及在沉积顶部电极/位线（第二电极层）之前对介电层进行任何平坦化处理。目标专利中平坦化第一电介质层是为了暴露MTJ顶部并为后续沉积平坦的顶部电极层做准备（见说明书[0041]-[0042]段），这是其解决空隙问题的关键步骤之一。对比文件未公开此步骤。 |
| **技术特征L**：其中沉积顶盖层包含：在制造所述磁性装置之后将第一顶盖层沉积于所述磁性装置上。<br>**《直接公开》** | 说明书第[0044]段：“After the memory device is cleaned to substantially remove photoresist residue, the material for the passivation layer 110A and 110B is deposited, via step 208.” | 对比文件明确公开了在定义（制造）MTJ堆栈（磁性装置）之后，沉积用于形成钝化层（passivation layer 110A/110B）的材料（步骤208）。该钝化层材料覆盖MTJ，其作用与目标专利中沉积“第一顶盖层”以在后续工艺中保护MTJ的步骤相对应。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征M**：其中沉积顶盖层进一步包含：在沉积所述第一顶盖层之后蚀刻所述第一顶盖层以暴露所述磁性装置的表面<br>**《直接公开》** | 说明书第[0045]段：“The dielectric material deposited in step 208 is optionally etched to form the passivation layers 110A and 110B, via step 210. ... the surfaces in the horizontal plane would become free from the dielectric material of the sidewall spacer...” | 对比文件明确公开了在沉积钝化层材料（第一顶盖层）之后，可选地进行蚀刻（步骤210）以形成钝化层，并使水平表面（即MTJ顶部）摆脱介电材料，从而暴露磁性装置（MTJ）的顶部表面，以便进行电接触。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征N**：及在蚀刻所述第一顶盖层之后且在沉积所述第一电介质层之前，沉积第二顶盖层。<br>**《未公开》** | 未找到对应内容。 | 对比文件仅描述了一层钝化层（passivation layer）的沉积和可能的蚀刻。目标专利中在蚀刻第一顶盖层（734）后，还会沉积第二顶盖层（740）（见说明书[0039]段），以提供额外的保护。对比文件未公开在蚀刻第一钝化层材料和沉积介电层（40）之间，再沉积一层额外的顶盖层。 |
| **技术特征O**：其进一步包含：在图案化所述第二电极层之后沉积第二电介质层<br>**《未公开》** | 未找到对应内容。 | 对比文件描述了形成位线（第二电极层）后即完成器件的主要结构（图4，6）。未提及在图案化位线（第二电极层）之后，再沉积一层额外的“第二电介质层”（如目标专利中的顶部金属间电介质层760）的步骤。 |
| **技术特征P**：及平坦化所述第二电介质层。<br>**《未公开》** | 未找到对应内容。 | 由于特征O未公开，自然也未公开平坦化第二电介质层的步骤。 |
| **技术特征Q**：其进一步包含：在沉积所述第二电介质层之后图案化到所述第二电极层的电路径<br>**《未公开》** | 未找到对应内容。 | 对比文件未公开在额外沉积的第二电介质层中图案化电路径的步骤。其位线（第二电极层）是直接形成的。 |
| **技术特征R**：及用导电材料填充所述电路径。<br>**《未公开》** | 未找到对应内容。 | 由于特征Q未公开，自然也未公开用导电材料填充电路径的步骤。 |
| **技术特征S**：其中图案化所述电路径包含图案化沟槽。<br>**《未公开》** | 未找到对应内容。 | 对比文件未描述形成沟槽（trench）作为电路径。 |
| **技术特征T**：其中图案化所述电路径进一步包含图案化通孔。<br>**《未公开》** | 说明书第[0012]段：“...a photolithography step and an etching process are used to open a via (not shown) to the top of the conventional MTJ stack 30...” | 对比文件公开了在介电层（40）中开孔（via）以接触MTJ顶部，但这发生在沉积“第二电极层”（位线）**之前**，目的是为第二电极层提供接触。目标专利的特征T指的是在沉积“第二电介质层”**之后**，图案化到“第二电极层”的电路径，该电路径包含通孔。两者在工艺顺序和作用上不同。因此，对比文件未公开该特定技术特征。 |
| **技术特征U**：其进一步包含在填充所述电路径之后沉积顶部顶盖层。<br>**《未公开》** | 未找到对应内容。 | 对比文件未描述在形成电路径（无论是否存在）之后沉积顶部顶盖层的步骤。 |
| **技术特征V**：其中同一掩模产生用于图案化所述第二电极层且图案化所述第一电极层的图案。<br>**《未公开》** | 未找到对应内容。 | 对比文件未描述使用同一掩模来图案化顶部电极（位线）和底部电极（导电层）。目标专利的此特征是其简化工艺的一个方面，对比文件中未提及。 |
| **技术特征W**：其中沉积顶盖层包含：在制造所述磁性装置之后且在沉积所述第一电介质层之前清洁所述磁性装置<br>**《直接公开》** | 说明书第[0044]段：“After the memory device is cleaned to substantially remove photoresist residue, the material for the passivation layer 110A and 110B is deposited, via step 208.” | 对比文件明确公开了在定义（制造）磁性装置（MTJ堆栈）之后，以及在沉积钝化层材料（可视为第一顶盖层，其作用之一是保护，类似于目标专利中顶盖层的一部分功能）之前，进行清洁以去除光刻胶残留物。因此，“在制造磁性装置之后且在沉积第一电介质层之前清洁磁性装置”这一步骤被直接公开。 |
| **技术特征X**：及在清洁所述磁性装置之后将第一顶盖层沉积于所述磁性装置上。<br>**《直接公开》** | 同上。 | 如上所述，对比文件公开了清洁后紧接着沉积钝化层材料（第一顶盖层）。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征Y**：其进一步包含将所述磁性装置集成于以下各者中的至少一者中：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元及计算机。<br>**《未公开》** | 未找到对应内容。 | 对比文件虽然涉及MRAM存储器，但未提及将包含该磁性装置的存储器集成到任何具体的消费电子设备或终端产品中，如目标专利权利要求所列的机顶盒、音乐播放器等。 |
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