对比文件名称：2002-10-09_EP1248305A_发明公开_EP1248305A2 Method of forming magnetic memory
目标专利名称：398具有包括磁性隧道结的顶部电极及底部电极的装置的制造与集成CN102687298B
模型名称：DeepSeek
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 在层间或金属间电介质衬底上沉积隔离层<br>《隐含公开》 | [0025] "Referring to Fig. 1A, a silicon oxide film 2, an aluminum film 3, a first magnetic film 4, an insulating film 5, a second magnetic film 6, a titanium nitride film 7, and a silicon oxide film 8 are formed in succession on a substrate 1." | 对比文件在衬底1上“连续形成（formed in succession）”了一系列层，其中包括了“硅氧化物膜2（silicon oxide film 2）”。在本领域技术人员的常规理解中，在衬底上沉积硅氧化物膜通常作为绝缘或隔离层。虽然对比文件未明确将其命名为“隔离层”，但其位于衬底与后续的铝膜（第一电极层）之间，客观上起到了将底部电极（铝膜3）与衬底隔离的作用。因此，本领域技术人员能够从对比文件“在衬底上形成硅氧化物膜”这一内容，合理推断出“在衬底上沉积隔离层”的技术方案。故该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征B：** 在所述隔离层和第一接触件上沉积第一电极层，所述第一接触件嵌入于所述层间或金属间电介质衬底中，并且延伸穿过所述隔离层<br>《未公开》 | [0025] "a silicon oxide film 2, an aluminum film 3, ... are formed in succession on a substrate 1." | 对比文件图1A及相关描述仅公开了在衬底1上依次形成硅氧化物膜2和铝膜3。未提及任何嵌入于衬底或硅氧化物膜2中的“第一接触件”，也未描述铝膜3沉积在某个接触件上。对比文件中的铝膜3是直接形成在硅氧化物膜2之上的。因此，对比文件没有公开“第一接触件”的存在及其与第一电极层（铝膜3）的连接关系。该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征C：** 在所述第一电极层上与所述第一接触件偏移制造磁性装置<br>《未公开》 | [0025] "an aluminum film 3, a first magnetic film 4, an insulating film 5, a second magnetic film 6, ... are formed in succession on a substrate 1." | 对比文件描述了在铝膜（第一电极层）3上连续堆叠第一磁性膜4、绝缘膜5和第二磁性膜6，这些层共同构成了磁性装置（TMR单元）的叠层。然而，如上所述，对比文件并未公开“第一接触件”。因此，无法判断磁性装置的制造位置是否与一个不存在的“第一接触件”偏移。该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征D：** 在制造所述磁性装置之后图案化所述第一电极层<br>《直接公开》 | [0025] 描述在衬底1上依次形成铝膜3、第一磁性膜4、绝缘膜5、第二磁性膜6、氮化钛膜7和氧化硅膜8的堆叠。<br>[0027]-[0028] 描述了先蚀刻氧化硅膜8和氮化钛膜7形成上电极（第一图案），然后蚀刻第二磁性膜6和绝缘膜5形成自由磁化层6'和绝缘层5'。<br>[0037] "As shown in Fig. 1K, the first magnetic film 4 and the aluminum film 3 are etched in succession using the silicon oxide film pattern 11' as a mask, thereby forming a fixed magnetization layer 4' and a lower electrode 3'." | 对比文件公开的制造流程明确显示：首先，在衬底上沉积了包括铝膜3（第一电极层）以及其上的磁性膜（第一磁性膜4、绝缘膜5、第二磁性膜6）的完整堆叠。然后，在完成对第二磁性膜6和绝缘膜5（构成磁性装置的一部分）的图案化（制造磁性装置）之后，才使用氧化硅膜图案11'作为掩模，对第一磁性膜4和铝膜3进行蚀刻，从而形成下电极3'（即图案化的第一电极层）。这一过程符合“在制造磁性装置之后图案化第一电极层”的步骤。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征E：** 在经图案化的第一电极层上沉积顶盖层，所述顶盖层围绕所述经图案化的第一电极层的至少一个边缘延伸且直接接触所述隔离层<br>《未公开》 | [0037] 图1K及相关描述展示了蚀刻第一磁性膜4和铝膜3形成固定磁化层4'和下电极3'的过程。但文中并未提及在此之后专门沉积一个覆盖下电极3'侧壁的“顶盖层”。 | 对比文件未描述在下电极3'形成后，专门沉积一个覆盖其侧壁并与下方的硅氧化物膜2（隔离层）直接接触的顶盖层。对比文件中的“侧壁（side walls）”10（见[0031]）是在蚀刻自由磁化层和绝缘层时，由溅射材料自然形成的，其作用是覆盖自由层6'的侧壁以防止氧化，而不是围绕下电极3'的顶盖层。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征F：** 将第一电介质层沉积于所述磁性装置及所述第一电极层上<br>《直接公开》 | [0038] "As shown in Fig. 1L, a silicon oxide is deposited on the entire surface on the substrate 1, thereby forming a silicon oxide film 13." | 在完成磁性装置（包括自由磁化层6'、绝缘层5'、固定磁化层4'）和下电极3'（第一电极层）的图案化之后，对比文件公开了“在衬底1的整个表面上沉积硅氧化物，从而形成硅氧化物膜13”。此硅氧化物膜13覆盖了包括磁性装置和下电极3'在内的整个结构，相当于目标专利中沉积于磁性装置和第一电极层上的“第一电介质层”。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征G：** 在沉积所述第一电介质层之后沉积第二电极层<br>《未公开》 | [0025]-[0028] 描述了在沉积硅氧化物膜13（第一电介质层）之前，就已经通过蚀刻氮化钛膜7形成了上电极7'（第二电极层）。具体顺序是：先形成上电极7'，然后蚀刻形成磁性装置，最后才沉积硅氧化物膜13。 | 对比文件公开的工艺顺序与目标专利相反。对比文件中，第二电极层（上电极7'）是在沉积第一电介质层（硅氧化物膜13）之前就已经形成并图案化了。目标专利则要求在沉积第一电介质层之后才沉积第二电极层。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征H：** 及在沉积所述第二电极层之后图案化所述第二电极层<br>《直接公开》 | [0028] "As shown in Fig. 1E, the titanium nitride film 7 is etched by reactive ion etching (RIE) using the silicon oxide filmpattern 8' as a mask, thereby forming an upper electrode 7'." | 对比文件明确公开了通过蚀刻氮化钛膜7形成上电极7'（第二电极层）的步骤。这一图案化过程发生在整个工艺的前期，并且确实是在第二电极层（氮化钛膜7）沉积之后进行的。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征I：** 其中所述磁性装置包含磁性隧道结<br>《直接公开》 | [0001] "the present invention relates to ... a method of forming a magnetic random access memory..."<br>[0003] "memory cells that use the TMR are referred to as TMR cells."<br>[0025] "the insulating film 5 is made of an insulating material, such as alumina (Al2O3) or hafnium oxide. The insulating film 5 has a thickness of about 1.5nm and is extremely thin to allow a tunnel current to flow." | 对比文件全文涉及磁性随机存取存储器（MRAM）的制造，并明确其存储器单元为隧道磁阻（TMR）单元，其结构包括两个磁性膜（第一磁性膜4、第二磁性膜6）和中间的超薄绝缘膜5（如氧化铝），这正是磁性隧道结（MTJ）的典型结构。因此，对比文件直接公开了磁性装置包含磁性隧道结。 |
| **技术特征J：** 其进一步包含将所述磁性隧道结集成到磁性随机存取存储器中<br>《直接公开》 | [0001] "The present invention relates to a method of forming a magnetic memory, in particularly, a method of forming a magnetic random access memory..."<br>[0040] "As a result of the processes described above, there is obtained the TMR cell." | 对比文件的发明主题就是制造磁性随机存取存储器（MRAM），并且详细描述了TMR（即MTJ）单元的制造方法。制造TMR单元的目的就是为了将其集成到MRAM中。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征K：** 其进一步包含在沉积所述第二电极层之前平坦化所述第一电介质层<br>《未公开》 | 对比文件在沉积硅氧化物膜13（第一电介质层）后，直接进入图案化接触孔步骤（图1M），没有描述任何平坦化该电介质层的步骤。 | 对比文件未提及在沉积第一电介质层（硅氧化物膜13）之后、沉积第二电极层（上电极7'）之前，对第一电介质层进行平坦化。事实上，如特征G所述，对比文件中的第二电极层是在第一电介质层之前形成的，因此不存在“沉积第二电极层之前平坦化第一电介质层”的步骤。该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征L：** 其中沉积顶盖层包含：在制造所述磁性装置之后将第一顶盖层沉积于所述磁性装置上<br>《未公开》 | 对比文件在制造磁性装置（例如蚀刻出自由磁化层6'和绝缘层5'）的过程中，提到了“侧壁（side walls）10”的形成（[0031]），但这是由溅射材料自然附着形成的，并非专门沉积的“第一顶盖层”。也没有描述在磁性装置制造后专门在其上沉积一个顶盖层的步骤。 | 目标专利的“顶盖层”是专门沉积的保护层，其沉积步骤有明确的顺序。对比文件中的“侧壁”是蚀刻副产物，其形成机理和作用（防止侧壁氧化）与目标专利中主动沉积的顶盖层（用于后续工艺，如保护并在特定步骤后移除）不同，且未体现“在制造磁性装置之后沉积第一顶盖层于磁性装置上”这一具体步骤。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征M：** 其中沉积顶盖层进一步包含：在沉积所述第一顶盖层之后蚀刻所述第一顶盖层以暴露所述磁性装置的表面<br>《未公开》 | 对比文件没有公开如技术特征L所述的“第一顶盖层”的沉积，因此也就不存在后续蚀刻该层以暴露磁性装置表面的步骤。 | 该技术特征依赖于技术特征L的实现。由于对比文件未公开专门沉积第一顶盖层，因此后续的蚀刻步骤也无从谈起。该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征N：** 及在蚀刻所述第一顶盖层之后且在沉积所述第一电介质层之前，沉积第二顶盖层<br>《未公开》 | 对比文件未公开技术特征L和M，因此也不存在在蚀刻第一顶盖层之后沉积第二顶盖层的步骤。 | 该技术特征是目标专利顶盖层工艺的延续步骤。对比文件的工艺中不存在对应的步骤。该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征O：** 其进一步包含：在图案化所述第二电极层之后沉积第二电介质层<br>《直接公开》 | [0038] "As shown in Fig. 1L, a silicon oxide is deposited on the entire surface on the substrate 1, thereby forming a silicon oxide film 13." 该步骤发生在图案化上电极7'（第二电极层）之后。 | 对比文件在图案化第二电极层（上电极7'）之后，沉积了硅氧化物膜13。该膜覆盖了整个结构，包括上电极7'。此硅氧化物膜13在目标专利的语境中，可被视为“第二电介质层”（因为其沉积在图案化的第二电极层之后，且用于后续形成接触孔）。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征P：** 及平坦化所述第二电介质层<br>《未公开》 | 对比文件在沉积硅氧化物膜13（第二电介质层）后，没有描述对其进行平坦化的步骤。图1M直接显示了在未经平坦化的硅氧化物膜13上形成光刻胶图案14。 | 对比文件未提及对第二电介质层（硅氧化物膜13）进行平坦化处理。目标专利中的平坦化是为了获得平坦表面以利于后续工艺，而对比文件的工艺流程中未包含此步骤。该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征Q：** 其进一步包含：在沉积所述第二电介质层之后图案化到所述第二电极层的电路径<br>《直接公开》 | [0039] "As shown in Fig. 1M, a resist pattern 14 is formed on the silicon oxide film 13 using a photolithography technique. As shown in Fig. 1N, the silicon oxide film 13 is etched using the resist pattern 14 as a mask, thereby forming a contact hole 15 reaching the upper electrode 7'." | 对比文件明确公开了在沉积第二电介质层（硅氧化物膜13）之后，通过光刻和蚀刻工艺形成接触孔15，该接触孔到达上电极7'（第二电极层）。这构成了图案化到第二电极层的电路径（即接触孔）。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征R：** 及用导电材料填充所述电路径<br>《直接公开》 | [0039] "As shown in Fig. 10, a wiring layer 16 is made of a conductive material, such as aluminum. The wiring layer 16 passes through the contact hole 15 and is connected to the upper electrode 7'." | 对比文件公开了用导电材料（如铝）形成布线层16，该布线层填充了接触孔15（电路径）并与上电极7'连接。这对应于用导电材料填充电路径。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征S：** 其中图案化所述电路径包含图案化沟槽<br>《未公开》 | [0039] 仅提及形成“接触孔（contact hole）15”。 | 对比文件公开的电路径是“接触孔（contact hole）”，这是一种垂直方向的连接通道。目标专利中的“沟槽”通常指在介质层表面刻蚀出的、用于布线的横向或纵向凹槽。对比文件未提及图案化“沟槽”。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征T：** 其中图案化所述电路径进一步包含图案化通孔<br>《直接公开》 | [0039] 描述了形成“接触孔（contact hole）15”。 | 在本领域，“接触孔（contact hole）”即相当于“通孔（via）”，是一种用于垂直电连接的孔洞。因此，对比文件公开的图案化接触孔15，就是图案化通孔。该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征U：** 其进一步包含在填充所述电路径之后沉积顶部顶盖层<br>《未公开》 | 对比文件在形成布线层16（填充电路径）之后，没有描述再沉积一个“顶部顶盖层”的步骤。 | 对比文件的工艺描述在形成布线层16后结束，未提及任何在填充电路径之后沉积额外顶盖层的步骤。该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征V：** 其中同一掩模产生用于图案化所述第二电极层且图案化所述第一电极层的图案<br>《未公开》 | 对比文件中，上电极7'（第二电极层）使用氧化硅膜图案8'作为硬掩模进行图案化（[0028]）。下电极3'（第一电极层）则使用另一个氧化硅膜图案11'作为掩模进行图案化（[0037]）。 | 对比文件明确使用了两个不同的掩模（氧化硅膜图案8'和11'）来分别图案化第二电极层和第一电极层。这不同于目标专利中使用同一掩模来图案化两层电极的技术方案。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征W：** 其中沉积顶盖层包含：在制造所述磁性装置之后且在沉积所述第一电介质层之前清洁所述磁性装置<br>《未公开》 | 对比文件在制造磁性装置（例如形成自由磁化层6'和绝缘层5'）之后，沉积硅氧化物膜11（相当于第一电介质层）之前，没有描述对磁性装置进行“清洁”的步骤。 | 对比文件的工艺流程中未提及在所述步骤之间对磁性装置进行专门的清洁操作。该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征X：** 及在清洁所述磁性装置之后将第一顶盖层沉积于所述磁性装置上<br>《未公开》 | 如上所述，对比文件未公开“清洁”步骤（特征W），也未公开在清洁后专门沉积“第一顶盖层”于磁性装置上的步骤（参见特征L的论述）。 | 该技术特征依赖于特征W和L。由于对比文件均未公开这些前置步骤，因此该技术特征也未被公开。 |
| **技术特征Y：** 其进一步包含将所述磁性装置集成于以下各者中的至少一者中：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元及计算机<br>《未公开》 | 对比文件全文专注于MRAM存储单元的制造方法，未提及将其集成到任何具体的终端电子设备（如音乐播放器、计算机等）中。 | 对比文件公开的是一种存储器制造方法，其应用场景是MRAM。虽然MRAM可用于多种电子设备，但对比文件说明书本身并未具体列举或提及目标专利权利要求中所述的任何特定设备。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
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