对比文件名称：2007-07-19_US2007164265A_发明申请_US20070164265A1 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
目标专利名称：420制造磁性随机存取存储器的系统和方法CN102484111B
本次调用的模型名称：DeepSeek最新版本模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：所述方法包含：将金属层的一部分形成为具有大体上直线状部分的源极线《直接公开》** | 图1及相应描述：<br>“A source line SL is provided on the source line contact SC.” （源极线SL被提供在源极线接触SC上。）<br>从图1可见，源极线SL沿水平方向延伸，呈现为直线状部分。 | 对比文件明确公开了在器件中形成了一条源极线（SL），且从图示（图1）可以看出，该源极线在布局上呈现为沿一定方向延伸的直线状部分。其作用是为共享源极的晶体管提供电流，这与目标专利中源极线的作用相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了技术特征A。 |
| **技术特征B：使用第一通孔将所述源极线在所述大体上直线状部分处耦合到第一晶体管，《隐含公开》** | 图1及相应描述：<br>“a source line contact SC is provided on the shared source S. A source line SL is provided on the source line contact SC.” （一个源极线接触SC被提供在共享源极S上。一条源极线SL被提供在源极线接触SC上。）<br>[0041]段：“The transistors Tr1 and Tr2 have their sources S shared, and a source line contact SC is provided on the shared source S.” | 对比文件公开了源极线SL通过“source line contact SC”连接到共享源极S，而该共享源极S属于第一晶体管Tr1和第二晶体管Tr2。虽然对比文件使用了“contact”一词，但在半导体器件领域，连接不同导电层的垂直导电结构（如接触孔、通孔）在功能和结构上常被视为等同或具有包含关系。“source line contact SC”在结构上连接了源极线SL（上层金属）和晶体管的源极（下层），其作用是实现电耦合，这与目标专利中“通孔”的作用相同。因此，本领域技术人员能够合理推断出源极线通过一个垂直连接结构（可视为通孔）耦合到了第一晶体管，故技术特征B被隐含公开。 |
| **技术特征C：其中所述第一晶体管经配置以将从所述源极线接收的第一电流供应到第一磁性隧道结装置《直接公开》** | 图1及描述：<br>“The other end of the current path of the MTJ element MC1, MC2 is electrically connected to a drain D of a transistor Tr1, Tr2 via drain contacts DC to DC5.” （MTJ元件MC1、MC2的电流路径的另一端通过漏极接触DC至DC5电连接到晶体管Tr1、Tr2的漏极D。）<br>[0042]-[0044]段描述了通过晶体管Tr1向MTJ元件MC1提供写电流的操作。 | 对比文件明确公开了第一晶体管Tr1的源极通过源极线接触SC连接到源极线SL（接收电流），其漏极通过漏极接触DC连接到第一MTJ元件MC1。同时，说明书描述了在写操作中，晶体管Tr1开启，电流从源极线侧流向MTJ元件（或相反）。这清楚地表明第一晶体管被配置为将从源极线接收的电流供应到第一MTJ装置。其作用与目标专利中完全相同，即控制电流以对MTJ进行读写。因此，技术特征C被直接公开。 |
| **技术特征D：使用第二通孔将所述源极线耦合到第二晶体管，《隐含公开》** | 同技术特征B引用。<br>[0041]段：“The transistors Tr1 and Tr2 have their sources S shared, and a source line contact SC is provided on the shared source S.” | 对比文件明确公开了第一晶体管Tr1和第二晶体管Tr2共享同一个源极S，并且该共享源极S通过同一个源极线接触SC连接到源极线SL。这意味着源极线SL通过该共享的连接结构（source line contact SC）同时耦合到了第一晶体管和第二晶体管。虽然描述为一个接触，但该接触在物理和电气上实现了源极线对两个晶体管的耦合。本领域技术人员可以合理推断，为了实现共享源极与源极线的连接，必然存在一个连接结构（可视为通孔）。因此，技术特征D被隐含公开。 |
| **技术特征E：其中所述第二晶体管经配置以将从所述源极线接收的第二电流供应到第二磁性隧道结装置《直接公开》** | 图1及描述：<br>“The other end of the current path of the MTJ element MC1, MC2 is electrically connected to a drain D of a transistor Tr1, Tr2 via drain contacts DC to DC5.”<br>结合[0042]-[0044]段对MC1操作的描述，对称可知MC2的操作相同。 | 对比文件的结构是完全对称的，第二晶体管Tr2的源极同样连接到共享源极S（进而通过SC连接到源极线SL），其漏极通过漏极接触连接到第二MTJ元件MC2。根据对第一晶体管和MTJ元件操作的描述，可以毫无疑义地得出第二晶体管Tr2同样被配置为将从源极线接收的电流供应到第二MTJ装置MC2。其作用与目标专利中相同。因此，技术特征E被直接公开。 |
| **技术特征F：其中所述第一通孔将所述源极线连接到另一金属层内的分路器，《未公开》** | 对比文件全文未提及“分路器”（shunt, splitter）或功能类似的结构。源极线SL通过源极线接触SC直接连接到晶体管的共享源极S。 | 目标专利中的“分路器”（如源极接点分路器106）是一个位于不同金属层（M1）的导电部件，用于汇聚多个源极接点后再通过通孔连接到源极线。对比文件中不存在这样的中间分路器结构，源极线是直接通过接触孔连接到晶体管源极的。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推理出该特征。因此，技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G：且其中所述分路器耦合到：第一源极接点，其耦合到所述第一晶体管的源极端子《未公开》** | 对比文件全文未提及“分路器”及“第一源极接点”、“第二源极接点”。仅描述了单个“source line contact SC”连接到共享源极S。 | 由于对比文件未公开“分路器”这一中间结构，自然也未公开该分路器耦合到多个源极接点的特征。目标专利中设置多个源极接点是为了降低接触电阻，而对比文件采用单个接触。两者技术方案不同。因此，技术特征G未被公开。 |
| **技术特征H：第二源极接点，其耦合到所述第一晶体管的所述源极端子。《未公开》** | 同上。 | 理由同技术特征G。对比文件未公开使用多个源极接点连接到同一晶体管源极的技术特征。因此，技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I：其中所述源极线大体上无支路。《直接公开》** | 图1图示。从图1的剖面图可以看出，源极线SL在所示区域内是单一、连续的线条，没有显示任何从主线分出的支路。 | 从对比文件图1所示的器件剖面结构来看，源极线SL呈现为一条简单的直线状导线，在所示的局部结构范围内没有显示任何分支。虽然图示范围有限，但结合上下文，该源极线被描述为向两个相邻的存储单元供电，其本身是作为一条共同的供电线，本领域技术人员根据图示和半导体布线常规理解，可以毫无疑义地认为该源极线在相关区域是“大体上无支路”的。其作用与目标专利中简化布局、降低电阻的源极线相同。因此，技术特征I被直接公开。 |
| **技术特征J：其中所述金属层为大体上平面的且定位于与所述第一晶体管相距第一距离处且与所述第二晶体管相距第二距离处。《隐含公开》** | 图1结构。源极线SL位于层间绝缘膜（未明确标出层号）之上，其下方是源极线接触SC和晶体管。<br>制造方法部分（如图2-6描述）涉及在绝缘层上形成金属层。 | 对比文件图1显示源极线SL位于晶体管上方的某一金属层中，该金属层在半导体制造中通常是大体上平面的。由于两个晶体管Tr1和Tr2共享同一个源极S，并且源极线SL通过同一个源极线接触SC连接到该共享源极，因此可以合理推断源极线所在的金属层平面与两个晶体管的源极（可代表晶体管位置）之间存在垂直距离。虽然未明确量化“第一距离”和“第二距离”，但这种“金属层位于晶体管上方一定距离处”的层状结构是本领域公知常识，可以从对比文件的结构中直接且合理地推断出来。因此，技术特征J被隐含公开。 |
| **技术特征K：其中所述第一距离与所述第二距离大体上相同。《隐含公开》** | 图1结构。两个晶体管Tr1和Tr2共享同一个源极S，且源极线SL通过同一个源极线接触SC垂直连接到该共享源极。 | 由于两个晶体管共享同一个物理源极区域，并且源极线通过同一个接触结构连接到该共享源极，那么源极线所在的平面到该共享源极的垂直距离对于两个晶体管而言自然是相同的。本领域技术人员从该共享连接结构可以毫无困难地推理出源极线到两个晶体管的（垂直）距离是大体相同的。因此，技术特征K被隐含公开。 |
| **技术特征L：其中通过使用第三通孔和第四通孔将所述源极线的一部分与另一导电线的大体上直线状部分并联连接。《未公开》** | 对比文件全文未提及将源极线与另一导线并联连接以降低电阻的结构或方法。 | 目标专利中该特征（对应图2-3的并联导线240）是为了进一步降低源极线电阻而采取的特定设计。对比文件中完全没有描述或暗示任何与源极线并联的导电线或相应的通孔连接。本领域技术人员无法从对比文件中得出该特征。因此，技术特征L未被公开。 |
| **技术特征M：其中形成所述金属层、将所述源极线电连接到所述第一晶体管和将所述源极线电连接到所述第二晶体管由集成到电子装置中的处理器控制。《未公开》** | 对比文件说明书仅描述了器件结构（如实施例）和制造方法步骤（如图2-6），未提及任何由处理器控制制造过程的内容。 | 该特征涉及制造过程的控制方式，属于方法层面的控制特征。对比文件仅公开了物理结构和制造步骤，完全没有涉及制造步骤是否由处理器控制，更未提及处理器是“集成到电子装置中”的。本领域技术人员无法从对比文件中推理出该特征。因此，技术特征M未被公开。 |
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