对比文件名称：发明申请_US20050068148A1 Coil component and method of manufacturing the same
目标专利名称：双侧电路
本次调用模型名称：DeepSeek-R1
## 特征比对表格 ##
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译为中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：绝缘体，具有第一表面、第二表面和外围<br>**《未公开》** | 未找到明确对应描述。对比文件描述了第一磁性基板、第二磁性基板以及它们之间的多层结构（例如，参见[0034]段：“...on a principal surface of a first magnetic substrate 1”）。 | 目标专利中的“绝缘体”是其双面电路布局的核心支撑结构，其上布置电路元件并通过导电侧壁耦合。对比文件中的第一磁性基板1（first magnetic substrate 1）和第二磁性基板13是磁性材料（如烧结铁氧体，见[0037]段），其核心作用是形成磁路（如[0084]段描述的磁路M），而非作为布置并电隔离两侧电路元件的绝缘支撑体。两者在材料、功能和作用上均不相同。因此，本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出目标专利的“绝缘体”技术特征。 |
| 技术特征B：电路元件的第一子集，布置在所述第一表面上<br>**《未公开》** | 未找到明确对应描述。对比文件描述了在基板上形成线圈导体等元件（例如，参见[0034]段：第一引出电极层3、第一线圈导体层5等被堆叠在第一磁性基板1的表面上）。 | 目标专利的“电路元件的第一子集”特指布置在绝缘体第一表面上的、用于对特定频带（如低频带）滤波的一组无源电路元件（如电容器、电感器）。对比文件中的元件（如线圈导体层）是共模扼流圈的一部分，用于抑制共模电流（见[0002]段），其功能、构成和所要解决的技术问题与目标专利不同。虽然对比文件公开了在基板表面布置导电图案，但并未公开目标专利中作为滤波电路子集的特定技术方案。 |
| 技术特征C：电路元件的第二子集，布置在所述第二表面上<br>**《未公开》** | 未找到明确对应描述。对比文件描述了多层结构，部分元件可能位于结构的上部（例如，第二线圈导体层7，见[0034]段）。 | 类似特征B，目标专利的“电路元件的第二子集”特指布置在绝缘体第二表面上的、用于对另一频带（如高频带）滤波的一组无源电路元件。对比文件没有公开将一组具有特定滤波功能的电路元件明确布置在一个独立的“第二表面”上，且该表面与布置第一子集的“第一表面”属于同一个绝缘体的两个相对表面。对比文件的多层堆叠结构中的不同层，其目的和功能与目标专利的双面布局不同。 |
| 技术特征D：至少一个导电侧壁，布置在所述外围上，其中所述至少一个导电侧壁将所述电路元件的第一子集电耦合至所述电路元件的第二子集，其中所述电路元件的第一子集包括第一电容器，并且其中所述第一电容器包括与所述绝缘体的所述第一表面接触的第一内部导电层、与所述第一内部导电层接触的第一介电层、以及与所述第一介电层接触的第一中间导电层。<br>**《未公开》** | 1. 关于“导电侧壁”：对比文件描述了电极终端（electrode terminals）跨接在元件两侧（例如，参见[0059]段：“...electrode terminals 99...which extend across sides of the ferrite substrates 93 and 95...”）。<br>2. 关于“电容器结构”：对比文件描述了绝缘层和导体层（例如，参见[0034]段：绝缘层2、4、6、8、10；[0040]段描述形成绝缘层2；[0041]段描述形成引出电极3；[0042]段描述形成第一线圈导体层5）。但未明确描述目标专利中所述的具体电容器多层结构。 | 该技术特征包含多个限定：导电侧壁及其连接功能、第一子集包含电容器、以及该电容器的具体层状结构。对比文件中的“电极终端”99、101等虽然位于元件侧面并实现电连接，但其作用是将内部线圈导体引出至外部，而非专门用于将布置在两个相对表面上的电路子集进行内部电耦合。更重要的是，目标专利明确限定了第一电容器包括由内部导电层、介电层、中间导电层构成的特定层叠结构，且该结构与绝缘体第一表面接触。对比文件虽然公开了多层绝缘层和导体层，但其具体构成、排列顺序和功能（例如，绝缘层2用于阻抗值调整[0034]，线圈导体层5、7为螺旋形）并未公开目标专利权利要求中限定的这种特定电容器结构。因此，该技术特征整体未被公开。 |
| 技术特征E：所述绝缘体包括玻璃<br>**《未公开》** | 未找到对应描述。对比文件中基板材料为磁性材料，如铁氧体（ferrite）（参见[0037]段：“The magnetic substrates 1 and 13 are made of sintered ferrite or composite ferrite.”）。 | 目标专利明确限定绝缘体材料包括玻璃（参见说明书[0038]段）。对比文件中的基板是磁性材料（铁氧体），其物理性质（导磁）和功能（构成磁路）与作为电绝缘支撑体的玻璃有本质区别。本领域技术人员无法从对比文件的磁性基板毫无疑义地得出或合理推断出玻璃绝缘体。 |
| 技术特征F：所述绝缘体的厚度大于所述电路元件的第一子集的厚度并大于所述电路元件的第二子集的厚度。<br>**《未公开》** | 未找到明确对应描述。对比文件描述了各层的厚度，例如绝缘层2的厚度在1微米到20微米之间（[0039]段），但未将其与基板厚度或其他元件子集的整体厚度进行比较。 | 目标专利该特征限定了绝缘体与两侧电路元件子集之间的厚度关系，强调了绝缘体作为主要支撑结构的物理特性。对比文件未提及第一磁性基板1（或第二磁性基板13）的厚度与堆叠在其上的导体层、绝缘层等构成的“元件子集”的整体厚度之间的比较关系。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征G：所述电路元件的第一子集被配置为对第一频带滤波，并且所述电路元件的第二子集被配置为对第二频带滤波，所述第二频带高于所述第一频带。<br>**《未公开》** | 未找到对应描述。对比文件中的组件是共模扼流圈（common mode choke coil），用于抑制共模电流/噪声（参见[0002]段：“...a filter used for suppressing a common mode current...”），而非用于将信号分离成不同频带。 | 目标专利该特征明确了电路的双工器/多路复用器功能，即两个子集分别对不同频带（高频带和低频带）进行滤波。这是目标专利要解决的技术问题（信号分离）所对应的功能。对比文件的共模扼流圈的功能是抑制共模噪声，属于平衡传输系统中的噪声抑制器件，其工作原理和目的与频带分离滤波完全不同。因此，该功能特征未被公开。 |
| 技术特征H：所述电路元件的第一子集还包括第一电感器<br>**《隐含公开》** | 对比文件[0034]段描述了“a first coil conductor layer (spiral coil conductor pattern) 5”。线圈导体本质上就是电感器。 | 目标专利的第一子集包括电感器。对比文件明确公开了第一线圈导体层5，其为螺旋线圈导体图案。本领域技术人员公知，螺旋形状的导体图案在电路中起到电感器的作用。因此，对比文件隐含公开了“第一子集包括第一电感器”这一技术特征。 |
| 技术特征I：所述电路元件的第二子集包括具有比所述第一电感器更低电感的第二电感器，以及具有比所述第一电容器更低电容的第二电容器。<br>**《未公开》** | 未找到对应描述。对比文件描述了第二线圈导体层7（[0034]段），但未提及其电感值与第一线圈导体层5电感值的比较关系。也未提及电容器及其电容值的比较。 | 该特征限定了第二子集中的电感器和电容器相对于第一子集中对应元件的参数关系（电感更低、电容更低），这是为了实现不同频带滤波（高频带通常需要更小的LC值）而进行的特定设计。对比文件虽然公开了第一和第二线圈导体层，但未提及它们电感值的相对大小。更重要的是，对比文件未公开目标专利中所述的“第二电容器”及其与“第一电容器”的电容比较关系。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征J：所述第一电感器是第一螺旋电感器且所述第二电感器是第二螺旋电感器。<br>**《隐含公开》** | 对比文件[0034]段明确描述了“a first coil conductor layer (spiral coil conductor pattern) 5”和“a second coil conductor layer (spiral coil conductor pattern) 7”。 | 目标专利限定了电感器为螺旋电感器。对比文件明确且直接地公开了第一线圈导体层5和第二线圈导体层7都是螺旋线圈导体图案（spiral coil conductor pattern）。本领域技术人员公知，螺旋线圈导体图案构成螺旋电感器。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征K：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层<br>**《未公开》** | 未找到明确对应描述。对比文件描述了通过框架电镀（frame plating）形成线圈导体的工艺，涉及电极层、抗蚀剂框架、电镀膜等（参见[0090]-[0093]段，图7A-8C），但未明确描述如目标专利权利要求中限定的、由内部导电子层、绝缘子层、外部导电子层构成的特定三层电感器结构。 | 目标专利该特征对第一螺旋电感器的内部层状结构进行了非常具体和详细的限定，包括特定的层数、材料（导电子层、绝缘子层）及接触关系。对比文件虽然描述了形成螺旋线圈导体的工艺，但其公开的线圈导体结构（例如，单一的铜层，可能形成在绝缘膜上）并未明确对应于目标专利中限定的这种多层复合结构。本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出该具体结构。 |
| 技术特征L：以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。<br>**《未公开》** | 同技术特征K，未找到对应描述。 | 理由同技术特征K。对比文件未公开第二电感器具有如目标专利权利要求限定的具体多层结构。 |
| 技术特征M：所述第二电容器包括与所述绝缘体的所述第二表面接触的第二内部导电层、与所述第二内部导电层接触的第二介电层、以及与所述第二介电层接触的第二中间导电层。<br>**《未公开》** | 未找到对应描述。对比文件未明确描述具有此特定层状结构的电容器。 | 该特征限定了第二电容器的具体层状结构，类似于特征D中第一电容器的结构，但位于第二表面。对比文件未公开任何具有此特定结构（内部导电层-介电层-中间导电层）的电容器，更未公开其与“绝缘体的第二表面”接触。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征N：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层<br>**《未公开》** | 此特征与特征K重复。未找到对应描述。 | 理由同技术特征K。该具体电感器结构未被公开。 |
| 技术特征O：以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。<br>**《未公开》** | 此特征与特征L重复。未找到对应描述。 | 理由同技术特征L。该具体电感器结构未被公开。 |
| 技术特征P：一个或多个第一过孔，被布置在所述第一中间绝缘体中并且被配置用于将所述第一电感器耦合至所述第一电容器<br>**《未公开》** | 对比文件描述了通过开口（openings）或接触孔（contact hole）进行层间连接（例如，[0041]段：“...a contact hole for connecting the lead-out electrode layer 3 and the coil conductor layer 5 is formed.”）。 | 目标专利该特征限定了特定位置的过孔（在第一中间绝缘体中），并具有特定的功能配置（将第一电感器耦合至第一电容器）。对比文件虽然公开了层间连接的通孔/接触孔，但其连接的对象（如引出电极层和线圈导体层）和目的与目标专利不同。更重要的是，对比文件未公开目标专利中的“第一电容器”，因此也就不存在将该电容器与电感器通过过孔耦合的技术方案。该特征未被公开。 |
| 技术特征Q：以及一个或多个第二过孔，被布置在所述第二中间绝缘体中并且被配置用于将所述第二电感器耦合至所述第二电容器。<br>**《未公开》** | 同技术特征P，未找到对应描述。 | 理由同技术特征P。对比文件未公开“第二电容器”，因此用于将其与第二电感器耦合的过孔特征也未被公开。 |
| 技术特征R：所述至少一个导电侧壁包括一个或多个电路接触表面，所述一个或多个电路接触表面包括以下项中的一个或多个：低频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第一子集<br>**《未公开》** | 对比文件描述了电极终端（electrode terminals），例如端子99a, 99b等（[0059]段），它们电连接到线圈导体的端子部分。 | 目标专利该特征对导电侧壁的接触表面进行了功能限定，即“低频带接触表面”。这与其多路复用器功能（用于低频带信号）紧密相关。对比文件的电极终端虽然是接触表面并实现电连接，但其功能是作为共模扼流圈的通用输入/输出端子，并未被赋予“低频带接触表面”这一特定的功能属性或标签。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征S：高频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第二子集<br>**《未公开》** | 同技术特征R，未找到对应描述。 | 理由同技术特征R。对比文件的电极终端未被公开具有“高频带接触表面”的功能属性。 |
| 技术特征T：以及天线接触表面，被配置用于将所述电路元件的第一子集和所述电路元件的第二子集中的一个或多个电耦合至天线。<br>**《未公开》** | 同技术特征R，未找到对应描述。 | 理由同技术特征R。目标专利的“天线接触表面”是专用于连接天线的端子，与其电路作为多路复用器与天线接口的功能相关。对比文件的电极终端未被公开具有此特定功能。 |
## 总结 ##
经比对，对比文件US20050068148A1主要涉及一种共模扼流圈及其制造方法，其技术领域、解决的技术问题（抑制共模电流、调整阻抗）、整体技术方案（磁性基板、螺旋线圈、磁路结构）均与目标专利“双侧电路”（双面电路布局的多路复用器，用于频带分离）存在显著差异。
目标专利权利要求中的大多数技术特征，特别是核心特征如“绝缘体”、“双面子集布置”、“导电侧壁实现两侧耦合”、“电容器特定层状结构”、“对不同频带滤波的功能”、“特定参数的LC元件”、“功能化的接触表面”等，均未在对比文件中被公开（无论是直接公开还是隐含公开）。
仅有少数非常上位的特征，如“第一子集包括电感器”（特征H）和“电感器为螺旋形”（特征J），可被认为被对比文件隐含公开。
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