对比文件名称：发明专利_JPWO2011145490A1 基板内蔵用電子部品および部品内蔵型基板
目标专利名称：说明书
本次调用模型名称：专利创造性评估模型
## 特征比对表格 ##
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：绝缘体，具有第一表面、第二表面和外围 《直接公开》 | [0015] この基板内蔵用電子部品１００は、所定の間隔を隔てて対向する一対の磁性体層１０１、１０２の間に３層の絶縁樹脂層、すなわち中間絶縁樹脂層１０３、上部絶縁樹脂層１０４、下部絶縁樹脂層１０５を挟み込み、且つ、上部と下部の絶縁樹脂層１０４、１０５にそれぞれ後述する平面型コイルを形成したインダクタ素子である。<br>译：该基板内置用电子部件100，是在一对磁性体层101、102之间夹设了三层绝缘树脂层，即中间绝缘树脂层103、上部绝缘树脂层104、下部绝缘树脂层105，并且在上部和下部的绝缘树脂层104、105上分别形成了后述的平面型线圈的电感元件。 | 对比文件明确公开了“绝缘树脂层”（絶縁樹脂層）103、104、105，这些层共同构成了一个绝缘结构体。该绝缘体具有上表面（与磁性体层101接触的104上表面）、下表面（与磁性体层102接触的105下表面）以及外围侧面。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B**：电路元件的第一子集，布置在所述第一表面上 《直接公开》 | [0015] ...且つ、上部と下部の絶縁樹脂層１０４、１０５にそれぞれ後述する平面型コイルを形成したインダクタ素子である。<br>译：...并且在上部和下部的绝缘树脂层104、105上分别形成了后述的平面型线圈的电感元件。 | 对比文件明确公开了在“上部绝缘树脂层104”（上部絶縁樹脂層１０４）上形成了平面型线圈（例如图2中的第一平面型线圈110）。该平面型线圈即为电感器，属于电路元件。因此，布置在第一表面（即上部绝缘树脂层的上表面）上的电路元件的第一子集被直接公开。 |
| **技术特征C**：电路元件的第二子集，布置在所述第二表面上 《直接公开》 | [0015] ...且つ、上部と下部の絶縁樹脂層１０４、１０５にそれぞれ後述する平面型コイルを形成したインダクタ素子である。<br>译：...并且在上部和下部的绝缘树脂层104、105上分别形成了后述的平面型线圈的电感元件。 | 对比文件明确公开了在“下部绝缘树脂层105”（下部絶縁樹脂層１０５）上形成了平面型线圈（例如图2中的第二平面型线圈111）。该平面型线圈即为电感器，属于电路元件。因此，布置在第二表面（即下部绝缘树脂层的下表面）上的电路元件的第二子集被直接公开。 |
| **技术特征D**：至少一个导电侧壁，布置在所述外围上，其中所述至少一个导电侧壁将所述电路元件的第一子集电耦合至所述电路元件的第二子集，其中所述电路元件的第一子集包括第一电容器，并且其中所述第一电容器包括与所述绝缘体的所述第一表面接触的第一内部导电层、与所述第一内部导电层接触的第一介电层、以及与所述第一介电层接触的第一中间导电层。 《未公开》 | 对比文件全文未提及“导电侧壁”（導電性側壁）这一结构。<br>对比文件公开的电气连接是通过“表裏貫通電極”（通孔电极）118-120实现上下层线圈端子之间的连接（参见[0018]）。<br>对比文件主要描述电感元件，未明确描述权利要求中定义的由内部导电层、介电层、中间导电层构成的第一电容器结构。 | 1. **导电侧壁**：对比文件解决薄型化问题的方案是去除传统端子电极，通过在磁性体层上开孔（106-109）或形成缺损部（121-126）来暴露内部端子电极，并通过在后续基板工艺中形成“ビア”（过孔）和“配線”（布线）来实现外部电气连接（参见[0050]等）。其连接路径是垂直于表面的过孔，而非布置在部件外围侧面上的导电侧壁。本领域技术人员阅读对比文件后，无法毫无疑义地得出或必然推理出存在一个布置在绝缘体外围的导电侧壁结构。因此，“导电侧壁”这一技术特征未被公开。<br>2. **电容器结构**：目标专利权利要求中明确限定了第一电容器的具体层叠结构（内部导电层/介电层/中间导电层）。对比文件虽然提及“容量素子”（电容器）可作为基板内置电子部件（[0003]），但在其具体实施方式描述的“基板内蔵用電子部品100”中，仅详细描述了电感元件（平面线圈）的结构，并未描述任何集成在内的电容器的具体构造，更没有公开权利要求中限定的这种特定层叠结构的电容器。因此，包含此特定电容器结构的整个技术特征D未被公开。 |
| **技术特征E**：所述绝缘体包括玻璃 《未公开》 | [0016] ...中間絶縁樹脂層１０３、上部絶縁樹脂層１０４および下部絶縁樹脂層１０５は、たとえば、いずれもエポキシ樹脂ベースの絶縁材料である。<br>译：...中间绝缘树脂层103、上部绝缘树脂层104以及下部绝缘树脂层105，例如均为环氧树脂基的绝缘材料。 | 对比文件明确记载绝缘体（绝缘树脂层）的材料是例如环氧树脂基的材料，并未提及玻璃。本领域技术人员不能从对比文件中推理出绝缘体包含玻璃。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征F**：所述绝缘体的厚度大于所述电路元件的第一子集的厚度并大于所述电路元件的第二子集的厚度 《隐含公开》 | [0015] この基板内蔵用電子部品１００は、所定の間隔を隔てて対向する一対の磁性体層１０１、１０２の間に３層の絶縁樹脂層...を挟み込み、且つ、上部と下部の絶縁樹脂層１０４、１０５にそれぞれ...平面型コイルを形成した...<br>译：该基板内置用电子部件100，是在一对磁性体层101、102之间夹设了三层绝缘树脂层...，并且在上部和下部的绝缘树脂层104、105上分别形成了...平面型线圈... | 对比文件公开的结构是在一对磁性体层之间夹设了多层绝缘树脂层，平面型线圈形成在其中的上部和下部绝缘树脂层上。从该描述和附图（如图4）可以理解，绝缘树脂层（103、104、105）共同构成了一个整体的绝缘体，该绝缘体将上下两个磁性体层分隔开，其总厚度（即磁性体层101与102之间的间隔）必然大于形成在单个绝缘树脂层（104或105）表面的平面型线圈（电路元件）的厚度。否则线圈将无法被容纳并实现其功能。本领域技术人员能够合理推断出绝缘体的整体厚度大于布置在其表面上的电路元件子集的厚度。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征G**：所述电路元件的第一子集被配置为对第一频带滤波，并且所述电路元件的第二子集被配置为对第二频带滤波，所述第二频带高于所述第一频带 《未公开》 | 对比文件全文未提及电路元件被配置为对不同频带进行滤波。其描述的“基板内蔵用電子部品”是电感元件（インダクタ素子），其功能是提供电感，并未描述其被配置为特定频带的滤波器。 | 目标专利的特征G限定了电路元件的具体功能配置：对不同的频带（高频带和低频带）进行滤波。对比文件仅公开了电感元件本身，并未赋予其这种特定的滤波配置或功能。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推理出该功能限定。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征H**：所述电路元件的第一子集还包括第一电感器 《直接公开》 | [0015] ...且つ、上部と下部の絶縁樹脂層１０４、１０５にそれぞれ後述する平面型コイルを形成したインダクタ素子である。<br>译：...并且在上部和下部的绝缘树脂层104、105上分别形成了后述的平面型线圈的电感元件。<br>[0017] 図２...中間絶縁樹脂層１０３の上面側に形成された第一の平面型コイル１１０...<br>译：图2...在中间绝缘树脂层103的上面侧形成的第一平面型线圈110... | 对比文件已明确公开布置在第一表面（上部绝缘树脂层104）上的电路元件是第一平面型线圈110。平面型线圈即为电感器。因此，“第一电感器”这一技术特征被直接公开。 |
| **技术特征I**：所述电路元件的第二子集包括具有比所述第一电感器更低电感的第二电感器，以及具有比所述第一电容器更低电容的第二电容器 《未公开》 | 对比文件公开了第二平面型线圈111（第二电感器），但并未比较第一平面型线圈110与第二平面型线圈111的电感值大小。<br>对比文件未公开权利要求中定义的“第一电容器”和“第二电容器”，因此更无从比较电容值大小。 | 该技术特征包含两个比较关系：1) 第二电感器的电感比第一电感器低；2) 第二电容器的电容比第一电容器低。对比文件没有提供任何关于两个线圈电感值比较的信息，本领域技术人员无法推断其必然具有所述的电感大小关系。此外，如特征D所述，对比文件未公开所述结构的电容器，因此第二电容器及其电容比较关系均不存在公开基础。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J**：所述第一电感器是第一螺旋电感器且所述第二电感器是第二螺旋电感器 《隐含公开》 | [0019] 第一の平面型コイル１１０は、所定の巻き数で周回する平面状のコイルパターンの両端に二つの端子電極１１２、１１４を接続したものであり、同様に、第二の平面型コイル１１１も、所定の巻き数で周回する平面状のコイルパターンの両端に二つの端子電極１１６、１１７を接続したものである。<br>译：第一平面型线圈110，是在以预定匝数环绕的平面状线圈图案的两端连接了两个端子电极112、114的部件，同样，第二平面型线圈111，也是在与以预定匝数环绕的平面状线圈图案的两端连接了两个端子电极116、117的部件。<br>图2-图4显示了线圈的平面图案。 | 对比文件描述的第一和第二“平面型コイル”（平面型线圈）具有“所定の巻き数で周回する平面状のコイルパターン”（以预定匝数环绕的平面状线圈图案）。结合附图（例如图3(b)(c)）可以看出，这些平面状线圈图案呈现为螺旋状。在电子部件领域，特别是电感器中，这种以预定匝数环绕的平面状线圈图案通常被称为螺旋电感器。因此，本领域技术人员能够合理推断出第一和第二平面型线圈即为螺旋电感器。该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征K**：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层 《未公开》 | 对比文件未描述电感器具有如此具体的三层结构（内部导电子层/绝缘子层/外部导电子层）。其公开的平面型线圈似乎是单层导体制成的图案（可能通过电镀形成）。 | 目标专利的特征K限定了电感器非常具体的多层构造，这与对比文件描述的平面型线圈的结构不同。对比文件没有公开或暗示电感器由分离的内部导电子层、绝缘子层和外部导电子层构成。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征L**：以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层 《未公开》 | 同技术特征K的论述，对比文件未描述第二电感器具有此种具体多层结构。 | 与技术特征K同理，对比文件未公开第二电感器的此种具体层叠结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征M**：所述第二电容器包括与所述绝缘体的所述第二表面接触的第二内部导电层、与所述第二内部导电层接触的第二介电层、以及与所述第二介电层接触的第二中间导电层 《未公开》 | 对比文件全文未公开如权利要求所定义的这种具有内部导电层、介电层、中间导电层结构的第二电容器。 | 如特征D所述，对比文件未公开目标专利中定义的特定层叠结构的电容器。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征N**：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层 《未公开》 | 此特征与技术特征K实质相同。对比文件未公开此具体结构。 | 与技术特征K同理，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征O**：以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层 《未公开》 | 此特征与技术特征L实质相同。对比文件未公开此具体结构。 | 与技术特征L同理，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征P**：一个或多个第一过孔，被布置在所述第一中间绝缘体中并且被配置用于将所述第一电感器耦合至所述第一电容器 《未公开》 | 对比文件中有“表裏貫通電極”（通孔电极）118-120，但它们用于连接上下两层平面线圈的端子电极（[0018]），并非用于将电感器耦合至电容器。由于对比文件未公开权利要求中的“第一电容器”，因此也不存在将其与电感器耦合的过孔。 | 该技术特征限定了过孔用于连接第一电感器和第一电容器。对比文件虽然公开了过孔（通孔电极），但其连接对象和目的不同（连接两个电感器的端子）。且对比文件未公开第一电容器，因此“用于将第一电感器耦合至第一电容器”这一配置未被公开。 |
| **技术特征Q**：以及一个或多个第二过孔，被布置在所述第二中间绝缘体中并且被配置用于将所述第二电感器耦合至所述第二电容器 《未公开》 | 同技术特征P的论述。对比文件未公开第二电容器，因此也不存在用于将其与第二电感器耦合的过孔。 | 该技术特征限定了过孔用于连接第二电感器和第二电容器。对比文件未公开第二电容器，因此该连接配置未被公开。 |
| **技术特征R**：所述至少一个导电侧壁包括一个或多个电路接触表面，所述一个或多个电路接触表面包括以下项中的一个或多个：低频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第一子集 《未公开》 | 对比文件未公开“导电侧壁”。其外部电连接是通过在基板工艺中形成的“ビア”（过孔）和“配線”（布线）实现的，这些结构并非布置在电子部件本体的外围侧壁上。此外，对比文件未提及“低频带接触表面”这一功能定义。 | 该技术特征依赖于“导电侧壁”的存在，并进一步定义了其上的功能化接触表面（如低频带接触表面）。如前所述，对比文件未公开导电侧壁，因此其上的特定功能接触表面也无从谈起。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征S**：高频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第二子集 《未公开》 | 同技术特征R的论述。对比文件未公开导电侧壁及高频带接触表面。 | 该技术特征未被公开。 |
| **技术特征T**：以及天线接触表面，被配置用于将所述电路元件的第一子集和所述电路元件的第二子集中的一个或多个电耦合至天线 《未公开》 | 同技术特征R的论述。对比文件未公开导电侧壁及天线接触表面。其描述的电子部件是通用的电感元件，并未指定其用于天线耦合或具有天线端子。 | 该技术特征未被公开。 |
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