对比文件名称：US7999320B2_Description_20260218_2218
目标专利名称：183通孔材料选择和处理CN107004636B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：第一导电材料的第一通孔，所述第一通孔在第一导电互连层的第一部分与至少第一级上的第一中部制程MOL互连层之间<br>**判断结果**：未公开 | [0005] “...The field effect transistors are serially connected via a set of contact vias 88 and metal lines 98. The contact vias 88 are embedded in a middle-of-line (MOL) dielectric layer 80...”<br>[0016] “...at least one first conductive via extending from a top surface of a middle-of-line (MOL) dielectric layer through the MOL dielectric layer, the shallow trench isolation structure, the buried insulator layer, and to a top surface of the first doped semiconductor region...”<br>[0107] “...The at least one first lower conductive via 47 and the at least one first upper conductive via 77 collectively constitute at least one first conductive via 79, which extends from the top surface of the MOL dielectric layer 80 to the top surface of the at least one first doped semiconductor region 18...” | 对比文件公开了至少一个第一导电通孔（79），其从MOL电介质层（80）的顶表面延伸至底部半导体层（10）中的第一掺杂半导体区域（18）。该通孔是用于将偏置电压施加至底部半导体层，以耗尽感应电荷层中的少数载流子，从而减少谐波生成和信号失真（参见[0117]）。该通孔的结构和功能与目标专利的特征A不同。目标专利中的“第一通孔”是连接“第一导电互连层的第一部分”与“第一级上的第一MOL互连层”的导电结构，其作用是用于不同互连层之间的电流传导（参见目标专利说明书[0037]-[0040], [0042]）。对比文件中的通孔（79）是连接互连级金属线（94）与底部半导体层中的掺杂区域（18）的垂直连接，用于偏置衬底，而非连接两个不同层级的MOL互连层。两者在连接对象、结构位置和技术作用上均不相同。因此，本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或通过合理推断得出目标专利的特征A。 |
| **技术特征B**：，所述第一通孔是用单镶嵌工艺来制造的，<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件未提及“单镶嵌工艺”或“single damascene process”。对比文件中描述了形成通孔空腔并通过沉积导电材料填充来形成通孔的工艺（例如[0091], [0100]），但未明确该工艺为单镶嵌工艺。 | 对比文件公开了形成导电通孔的工艺，例如通过蚀刻形成空腔并填充导电材料（如[0091]所述）。然而，目标专利明确限定“第一通孔是用单镶嵌工艺来制造的”。单镶嵌工艺是一种特定的半导体制造工艺，用于形成单层金属互连或通孔，其通常涉及在电介质层中蚀刻开口、沉积导电材料并进行平坦化（如目标专利图1A-1E及[0022]-[0027]所述）。对比文件的工艺描述并未提及或暗示使用了单镶嵌工艺。本领域技术人员阅读对比文件后，无法毫无疑义地确定或合理推断其所描述的通孔制造工艺就是单镶嵌工艺。因此，特征B未被公开。 |
| **技术特征C**：其中，所述第一导电互连层的所述第一部分是第二导电材料的并且所述第一通孔被布置在电介质层中<br>**判断结果**：未公开 | [0105] “...The at least one first interconnect-level metal line 94, the at least one second interconnect-level metal line 99, and the third interconnect-level metal line 98 may comprise, for example, Cu, Al, W, Ta, Ti, WN, TaN, TiN, or a combination thereof...”<br>[0005] “...The contact vias 88 are embedded in a middle-of-line (MOL) dielectric layer 80...” | 对比文件公开了互连级金属线（如94, 98, 99）可以由多种导电材料（如Cu, Al, W等）制成，并且接触通孔（88）嵌入在MOL电介质层（80）中。然而，特征C是依赖于特征A和B的进一步限定。由于特征A和B未被公开，特征C所限定的具体结构关系（即“第一导电互连层的第一部分是第二导电材料的”且“第一通孔被布置在电介质层中”）在对比文件中没有对应。对比文件中的互连级金属线（对应于可能的“导电互连层”）和通孔是各自独立描述的结构单元，其特定的材料对应关系（第一部分是第二导电材料）和布置关系（通孔在电介质层中）并未被明确公开或必然隐含。因此，特征C未被公开。 |
| **技术特征D**：所述第二导电材料的第二通孔，所述第二通孔在所述第一导电互连层的第二部分与至少第二级上的第二MOL互连层之间，<br>**判断结果**：未公开 | [0016] “...at least one second conductive via extending from the top surface of a middle-of-line (MOL) dielectric layer through the MOL dielectric layer, the shallow trench isolation structure, the buried insulator layer, and to a top surface of the second doped semiconductor region...”<br>[0108] “...The at least one second lower conductive via 37 and the at least one second upper conductive via 87 collectively constitute at least one second conductive via 89, which extends from the top surface of the MOL dielectric layer 80 to the top surface of the at least one second doped semiconductor region 28...” | 对比文件公开了至少一个第二导电通孔（89），其从MOL电介质层（80）的顶表面延伸至底部半导体层（10）中的第二掺杂半导体区域（28）。该通孔用于将偏置电压施加至底部半导体层，以稳定感应电荷层（参见[0113]-[0116]）。该通孔的结构和功能与目标专利的特征D不同。目标专利中的“第二通孔”是连接“第一导电互连层的第二部分”与“第二级上的第二MOL互连层”的导电结构，且由第二导电材料制成（参见目标专利说明书[0037]-[0038], [0042]）。对比文件中的通孔（89）是连接互连级金属线（99）与底部半导体层中的掺杂区域（28）的垂直连接，用于偏置衬底，而非连接两个不同层级的MOL互连层。两者在连接对象、结构位置和技术作用上均不相同。因此，特征D未被公开。 |
| **技术特征E**：所述第二通孔和所述第一导电互连层是用双镶嵌工艺来制造的，<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件未提及“双镶嵌工艺”或“dual damascene process”。对比文件中描述了形成互连级金属线的工艺，例如通过沉积金属材料并进行平坦化（[0105]），但未明确该工艺为双镶嵌工艺。 | 对比文件公开了形成互连级金属线（如94, 98, 99）的工艺，例如通过物理气相沉积、电镀等沉积金属材料并进行平坦化（[0105]）。然而，目标专利明确限定“第二通孔和所述第一导电互连层是用双镶嵌工艺来制造的”。双镶嵌工艺是另一种特定的半导体制造工艺，用于同时形成通孔和其上方的互连线（沟槽）（如目标专利图2A-2K及[0029]-[0035]所述）。对比文件的工艺描述并未提及或暗示使用了双镶嵌工艺。本领域技术人员阅读对比文件后，无法毫无疑义地确定或合理推断其所描述的通孔和互连层制造工艺就是双镶嵌工艺。因此，特征E未被公开。 |
| **技术特征F**：其中，所述第一导电互连层的所述第二部分是所述第二导电材料的并且所述第二通孔被布置在所述电介质层中，<br>**判断结果**：未公开 | [0105] “...The at least one first interconnect-level metal line 94, the at least one second interconnect-level metal line 99, and the third interconnect-level metal line 98 may comprise, for example, Cu, Al, W, Ta, Ti, WN, TaN, TiN, or a combination thereof...”<br>[0108] “...The at least one second conductive via 89 directly contacts the at least one second doped semiconductor region 28...” (该通孔穿过MOL电介质层80) | 对比文件公开了互连级金属线（如99）可以由多种导电材料制成，并且第二导电通孔（89）延伸穿过MOL电介质层（80）。然而，特征F是依赖于特征D和E的进一步限定。由于特征D和E未被公开，特征F所限定的具体结构关系（即“第一导电互连层的第二部分是第二导电材料的”且“第二通孔被布置在电介质层中”）在对比文件中没有对应。对比文件中的互连级金属线（99）和第二导电通孔（89）是用于偏置衬底的不同结构，其特定的材料对应关系（第二部分是第二导电材料）和布置关系（第二通孔在电介质层中）并未被明确公开或必然隐含。因此，特征F未被公开。 |
| **技术特征G**：所述第一导电材料不同于所述第二导电材料<br>**判断结果**：未公开 | [0105] “...The at least one first interconnect-level metal line 94, the at least one second interconnect-level metal line 99, and the third interconnect-level metal line 98 may comprise, for example, Cu, Al, W, Ta, Ti, WN, TaN, TiN, or a combination thereof. The at least one first interconnect-level metal line 94, the at least one second interconnect-level metal line 99, and the third interconnect-level metal line 98 may comprise the same metallic material.” | 对比文件公开了互连级金属线（94, 98, 99）可以包含相同的金属材料，也可以包含不同的材料，但并未强制要求它们必须不同。更重要的是，特征G限定的是“第一导电材料”与“第二导电材料”不同，这分别对应目标专利中第一通孔和第二通孔的材料。对比文件中虽然描述了第一导电通孔（79）和第二导电通孔（89），但并未明确说明构成这两个通孔的“导电材料”是否不同。本领域技术人员从对比文件中无法毫无疑义地得出或合理推断出这两个通孔必然由不同的导电材料制成。因此，特征G未被公开。 |
| **技术特征H**：以及电路，所述电路耦合到所述第一MOL互连层或所述第二MOL互连层之一，<br>**判断结果**：隐含公开 | [0005] “...The field effect transistors are serially connected via a set of contact vias 88 and metal lines 98...”<br>[0100] “...The third upper conductive vias 88 may be formed directly on the source regions (not shown separately), the drain regions (not shown separately) and the gate electrodes 42 of the at least one field effect transistor...”<br>[0106] “...Each of the third upper conductive vias 88 vertically abuts one of the third interconnect-level metal lines 98...” | 对比文件公开了包括至少一个场效应晶体管的半导体结构，该场效应晶体管可以构成射频开关（[0110]）。这些场效应晶体管通过第三上导电通孔（88）耦合到互连级金属线（98）（[0100], [0106]）。虽然对比文件未明确使用“电路耦合到MOL互连层”的表述，但根据半导体领域的通常理解，构成射频开关的场效应晶体管本身即是一个功能电路（或电路的一部分）。该电路（场效应晶体管）通过接触通孔（88）与互连结构（金属线98）电连接。考虑到通孔（88）嵌入在MOL电介质层（80）中并与场效应晶体管的源/漏/栅接触，可以合理推断该电路是耦合到由这些互连结构所接入的相应半导体层（可对应于MOL互连概念）。因此，本领域技术人员有可能通过对比文件的内容推理出“电路耦合到互连层”这一特征。虽然具体耦合的“层”在目标专利和对比文件中的定义和层级可能不完全相同，但在宽松的隐含公开判断标准下，可以认为特征H被隐含公开。 |
| **技术特征I**：所述第一MOL互连层和所述第二MOL互连层被布置在所述电路与所述第一导电互连层之间。<br>**判断结果**：未公开 | [0005] “...The contact vias 88 are embedded in a middle-of-line (MOL) dielectric layer 80, and the metal lines 98 are formed in an interconnect-level dielectric layer 90...”<br>[0106] “...Each of the third upper conductive vias 88 vertically abuts one of the third interconnect-level metal lines 98...” (结构顺序：场效应晶体管（电路） -> 通孔88 -> 金属线98) | 对比文件公开的结构中，场效应晶体管（电路）形成在顶部半导体层（30）上，其上覆盖有MOL电介质层（80），通孔（88）穿过MOL电介质层连接到场效应晶体管，通孔上方是互连级金属线（98）和互连级电介质层（90）。该结构描述的是电路（场效应晶体管）通过通孔连接到上方的互连级金属线（可类比为导电互连层）。这与特征I限定的“第一MOL互连层和第二MOL互连层被布置在所述电路与所述第一导电互连层之间”的结构关系不同。目标专利中（如图3），电路（未明确示出但应连接至MOL互连层302/304）通过MOL互连层（302，304）再经由通孔（320，330）连接到第一导电互连层（340）。而对比文件的结构是电路直接通过通孔连接到上方的互连层，中间并未明确描述有独立的、作为连接节点的“第一MOL互连层”和“第二MOL互连层”层级。因此，特征I所限定的特定层级布置关系未被对比文件公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述第一通孔的长度不同于所述第二通孔的长度。<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件未提及第一导电通孔（79）和第二导电通孔（89）的长度，也未提及或暗示它们的长度不同。 | 对比文件完全没有涉及通孔“长度”这一参数，更没有对不同通孔的长度进行比较。本领域技术人员无法从对比文件公开的内容中毫无疑义地得出或合理推断出第一通孔和第二通孔的长度不同。因此，特征J未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述第一通孔的电阻不同于所述第二通孔的电阻。<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件未提及第一导电通孔（79）和第二导电通孔（89）的电阻，也未提及或暗示它们的电阻不同。 | 对比文件完全没有涉及通孔“电阻”这一电学参数，更没有对不同通孔的电阻进行比较。本领域技术人员无法从对比文件公开的内容中毫无疑义地得出或合理推断出第一通孔和第二通孔的电阻不同。因此，特征K未被公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述第一导电材料是钨并且所述第二导电材料是铜。<br>**判断结果**：未公开 | [0105] “...The at least one first interconnect-level metal line 94, the at least one second interconnect-level metal line 99, and the third interconnect-level metal line 98 may comprise, for example, Cu, Al, W, Ta, Ti, WN, TaN, TiN, or a combination thereof...” | 对比文件虽然列举了Cu、Al、W等作为互连级金属线的可能材料，但这仅是一种示例性的宽泛列举，并未将任何特定的通孔明确限定为由钨或铜制成，更没有将第一通孔的材料限定为钨且将第二通孔的材料限定为铜。特征L是极其具体和明确的材料限定。本领域技术人员无法从对比文件的宽泛材料列举中毫无疑义地得出或合理推断出这一具体组合。因此，特征L未被公开。 |
| **技术特征M**：其特征在于，所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者是至少部分地基于所述第一通孔的纵横比来选择的。<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件未提及“纵横比”（aspect ratio）这一概念，也未提及基于纵横比来选择通孔材料。 | 对比文件完全没有涉及“纵横比”或基于纵横比选择材料的技术内容。本领域技术人员无法从对比文件公开的内容中毫无疑义地得出或合理推断出基于通孔纵横比来选择导电材料的技术特征。因此，特征M未被公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者是至少部分地基于耦合到所述第一MOL互连层和所述第二MOL互连层之一的所述电路来选择的。<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件描述了为了增强射频开关的信号隔离和减少谐波而设置特定的偏置通孔和掺杂区域（[0113]-[0120]），这可以视为基于电路（射频开关）操作需求来选择或配置某些结构。然而，这并非是基于电路来选择“通孔的导电材料”。对比文件未提及基于所耦合的电路来选择通孔材料。 | 虽然对比文件公开了根据电路（射频开关）的操作需求（如偏置以稳定感应电荷层）来设计和形成特定的通孔结构（79, 89），但这属于基于电路功能需求来设计通孔的存在、位置和电学连接，而非选择构成通孔本身的“导电材料”。目标专利的特征N强调的是基于电路来选择“导电材料”。对比文件未提供任何关于根据所连接的电路特性（如定时、电阻等）来选择钨、铜或其他特定材料作为通孔填充材料的技术教导或启示。因此，特征N未被公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述半导体器件被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元和/或固定位置数据单元中。<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件未提及将该半导体器件集成到任何具体的终端设备或应用中。 | 对比文件仅描述了半导体结构本身及其制造和操作方法，其应用背景是射频开关。但并未明确公开或暗示将该半导体器件集成到特征O所列出的任何具体消费电子或通信设备中。特征O是具体应用领域的限定。本领域技术人员无法从对比文件公开的内容中毫无疑义地得出或合理推断出该具体应用限定。因此，特征O未被公开。 |
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