**对比文件名称**：JP2002280490A Circuit board and its manufacturing method as well as semiconductor device using the same
**目标专利名称**：具有无源器件的低剖型封装CN106030782B
**本次调用模型名称**：DeepSeek-R1
以下是根据目标专利权利要求划分的技术特征与对比文件JP2002280490A的比对表格：
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (段落号/部分) | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板** <br> **《直接公开》** | 【0009】“基板１はＳｉからなり...” | 对比文件明确公开了其技术方案包含基板（基板1）。本领域技术人员能够毫无疑义地确定该技术特征。 |
| **技术特征B：在所述基板的第一表面中的第一凹陷** <br> **《未公开》** | 【0009】“基板１内にはその第２の面１ｂ（第１の面１ａの反対面）側の電極２に対応する位置に開口し且つ電極２に達する穴４が形成されている。” | 目标专利的“第一凹陷”位于基板第一表面，用于容纳互连以降低封装高度。对比文件中的“穴４”是从基板第二面（1b）向第一面（1a）方向蚀刻形成的通孔或盲孔，其开口位于第二面（1b），目的是形成导体球（バンプ）的容置空间。两者作用（降低封装高度 vs. 形成互连结构）、位置（第一表面 vs. 第二表面开口）均不相同。对比文件没有公开在第一表面中形成用于容纳互连的凹陷。 |
| **技术特征C：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分** <br> **《隐含公开》** | 【0009】“基板１内にはその第２の面１ｂ...に開口し且つ電極２に達する穴４が形成されている。”<br>【0010】“穴４の内壁には絶縁膜５を介して導体膜６が被着されており、この導体膜６は電極２と導通している。” | 对比文件公开了在基板内形成从第二面（1b）延伸至第一面（1a）电极2的“穴４”，其内壁覆有导体膜6，从而形成电连接第一面与第二面的导电通道，即穿基板通孔。虽然对比文件未明确区分“凹陷部分”和“非凹陷部分”，但其“穴４”本身是贯穿基板厚度的孔结构（或深盲孔），本领域技术人员可以毫无疑义地理解，该孔结构延伸穿过了基板的实体部分（即“非凹陷部分”）。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征D：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端** <br> **《未公开》** | 【0009】“その第１の面１ａには上から見ると島状の電極２が点在している。”<br>【0010】“導体膜６は電極２と導通している。” | 目标专利中，穿基板通孔的“第一端”位于“第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域”。对比文件中，通孔（穴4）在第一面（1a）的端部连接至“電極２”（电极2）。然而，对比文件既未公开“第一凹陷”（特征B），也未描述通孔的端部位于“毗邻凹陷的区域”。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征E：其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器** <br> **《未公开》** | （无对应内容） | 目标专利的核心之一是多个穿基板通孔通过在第二表面上的导体相互耦合，形成嵌入式电感器。对比文件全文未提及任何电感器结构，也未描述任何将两个或多个穿基板通孔（穴4）通过基板第二表面（1b）上的导体相互连接以形成电感性元件的技术方案。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征F：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷** <br> **《直接公开》** | 【0010】“この穴４内には導体膜６と接合して開口部４ａを塞ぎ且つその一部が第２の面１ｂから突出するように導体ボール８が設けられている。” | 对比文件明确公开了“導体ボール８”（导体球8）被设置在穴4内，并且与穴4内壁的导体膜6接合，即被耦合至该穴（凹陷结构）。这与目标专利中“互连被包括在凹陷内并耦合至凹陷”的技术特征完全相同。 |
| **技术特征G：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一** <br> **《直接公开》** | 【0010】“基板１の第１の面１ａ上には、必要に応じ、キャパシタや配線等の薄膜回路層９が設けられており、その表面には接続パッド１０が設けられている。”<br>【0009】“導体膜６は電極２と導通している。” | 对比文件公开了在第一面（1a）上设置有包含配线等的“薄膜回路層９”（薄膜电路层9）以及“接続パッド１０”（连接垫10）。薄膜电路层9及连接垫10构成了基板第一表面上的再布线结构（即重分布层）。该重分布层通过电极2与穿基板通孔（穴4内导体膜6）电连接。同时，穿基板通孔通过导体膜6与凹陷（穴4）内的互连（导体球8）电连接。因此，重分布层（薄膜电路层9及连接垫10）将第一互连（导体球8）电耦合至穿基板通孔（穴4）。该特征被直接公开。 |
| **技术特征H：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器** <br> **《未公开》** | 【0003】“３４は薄膜構造からなるキャパシタ...”<br>【0010】“基板１の第１の面１ａ上には、必要に応じ、キャパシタや配線等の薄膜回路層９が設けられており...” | 对比文件确实公开了电容器（34，或作为薄膜电路层9的一部分）。然而，该电容器是形成在基板的**第一面（1a）**上（即薄膜电路层9内），如【0010】所述。目标专利要求电容器“毗邻所述基板的对向的第二表面”，位置完全相反。此外，目标专利中由“第二穿基板通孔”耦合该电容器，而对比文件中电容器与通孔（穴4）的关系是通过第一面的电极和重分布层连接的。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔** <br> **《未公开》** | （无对应内容） | 该特征是对特征E中“嵌入式电感器”的进一步限定。由于特征E（形成嵌入式电感器）未被对比文件公开，因此该从属特征也未被公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器** <br> **《未公开》** | （无对应内容） | 该特征是对特征E中“嵌入式电感器”的进一步限定。由于特征E（形成嵌入式电感器）未被对比文件公开，因此该从属特征也未被公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球** <br> **《未公开》** | 【0009】“基板１はＳｉからなり...”<br>【0011】“導体ボール８の材質としては、Ｓｎ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｉｎ，Ｃｄ，Ａｌやこれらの合金が...” | 对比文件明确其基板是硅（Si）基板，而非玻璃基板。虽然互连（导体球8）的材质可以包含Sn等焊料成分，可能形成“焊球”，但该特征限定了“基板包括玻璃基板”和“第一互连包括焊球”两个条件的组合。对比文件只满足了后一条件的可能性，但完全不满足前一条件。因此，该组合技术特征未被公开。 |
| **技术特征L：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱** <br> **《未公开》** | 【0009】“基板１はＳｉからなり...”<br>【0010】“導体ボール８が設けられている。” | 对比文件公开了基板是半导体（硅）基板，满足了前半部分。但对比文件中的互连是“導体ボール”（导体球），并非“金属柱”。目标专利的“金属柱”通常指具有特定形状的柱状金属互连，与球形的“导体球”不同。因此，该组合技术特征未被公开。 |
| **技术特征M：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球** <br> **《未公开》** | 【0009】“基板１はＳｉからなり...” | 对比文件明确基板是硅（Si）基板，而非有机基板。因此，该组合技术特征未被公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球** <br> **《未公开》** | 【0009】“基板１はＳｉからなり...” | 此特征与特征M重复，基于同样理由未被公开。 |
| **技术特征O：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷** <br> **《隐含公开》** | 【0009】“基板１内には...穴４が形成されている。” (图示及上下文表明有多个穴4) | 对比文件图1及说明书中显示并描述了在基板上形成多个“穴４”。虽然未明确区分“第一凹陷”和“第二凹陷”，但本领域技术人员从对比文件公开的具有多个“穴４”（即凹陷结构）的方案中可以合理推断，除了容纳“第一互连”的凹陷外，可以存在另一个凹陷。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征P：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球** <br> **《未公开》** | 【0010】“導体ボール８...第２の面１ｂからの突出部分がバンプとなっている。” | 对比文件公开了导体球8作为与外部电路板电连接的凸块（バンプ），其主要功能是电互连。虽然凸块也必然起到一定的机械固定作用，但对比文件从未公开或暗示存在一个“仅具有机械功能”而不用于电连接的焊球。目标专利明确限定了第二互连“仅具有...机械功能”，这与对比文件中所有互连均用于电连接的目的不同。因此，该特征未被公开。 |
### 公开性判断结果总结
根据上述分析，对比文件直接公开了技术特征A、F、G；隐含公开了技术特征C、O；未公开技术特征B、D、E、H、I、J、K、L、M、N、P。
根据输出格式要求，在回答的结尾插入对应的代码。
直接公开的特征：A, F, G
隐含公开的特征：c, o
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