对比文件名称：2012-10-10_CN102723306A_发明公开_CN102723306A 一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法
目标专利名称：具有无源器件的低剖型封装CN106030782B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板《直接公开》 | 说明书第[0092]段：“提供一高阻双抛硅晶圆10，电阻率为1000Ω·cm～3000Ω·cm，厚度为200μm～300μm”。 | 对比文件明确公开了“硅晶圆10”，其作为封装结构的基板，用于支撑和集成各种器件，其作用与目标专利中作为封装载体的“基板”相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征B**：在所述基板的第一表面中的第一凹陷《直接公开》 | 说明书第[0094]-[0095]段：“在所述硅晶10一面上的SiO2层11再次旋涂光刻胶...利用HF腐蚀掉...形成浅槽形状111...将所述晶圆10浸入...KOH腐蚀液中进行湿法刻蚀，并控制刻蚀的速度以形成95μm～105μm的埋置槽101”。 | 对比文件公开了在硅晶圆（基板）的一个表面上通过腐蚀形成“埋置槽101”，这是一个在基板表面形成的凹陷结构，用于容纳后续的芯片（MMIC芯片29）。虽然其容纳的对象（芯片）与目标专利（容纳互连）不同，但“凹陷”这一物理结构特征本身已被对比文件直接公开。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征C**：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分，《直接公开》 | 说明书第[0093]段：“利用反应离子刻蚀工艺对露出的所述硅晶圆10进行刻蚀以形成穿硅通孔100”。 | 对比文件公开了“穿硅通孔100”（TSV），这些通孔垂直穿过硅晶圆（基板）。从图1b-1m及描述可知，这些通孔形成于基板的非凹陷区域（埋置槽是后续在另一区域形成的）。因此，对比文件直接公开了多个延伸穿过基板非凹陷部分的穿基板通孔。 |
| **技术特征D**：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端《隐含公开》 | 说明书第[0093]段：“在所述SiO2层11上旋涂光刻胶...形成所需图形...以形成穿硅通孔100”。结合图1b-1m，穿硅通孔100在基板表面（第一表面）有开口端。 | 对比文件公开了穿硅通孔（TSV）在基板表面有开口端。虽然未明确文字记载这些通孔端部位于“毗邻所述第一凹陷的区域中”，但从图1d-1m所示的结构布局可知，穿硅通孔和埋置槽（凹陷）均形成于同一基板表面，本领域技术人员能够理解，为了实现电连接和信号传输，穿硅通孔的端部必然位于基板表面的某个区域，且该区域在物理空间上与埋置槽所在的区域处于同一表面，可以认为是“毗邻”的关系。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征E**：，其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器《隐含公开》 | 说明书第[0045]段：“布线层，形成于所述硅晶圆双面上的介质层之上，具有多个两个电气连接点，与所述TSV互连结构、埋置于其内部的芯片、以及地屏蔽布线层的互连，包括多个无源器件”。图2示出了布线层43与TSV互连结构400、无源器件45的连接。 | 对比文件公开了在基板双面形成布线层（如17, 19, 43），用于互连TSV、芯片和无源器件。虽然未明确记载两个特定的穿硅通孔（TSV）通过“第二表面上的导体”直接耦合以形成一个“嵌入式电感器”，但对比文件明确公开了“无源器件”包括电感（见说明书第[0106]段：“所述无源器件暂选为电阻23、电感24...”）。本领域技术人员知晓，电感器作为无源器件，其结构通常包括线圈或导体环路。在三维封装中，利用两个或多个TSV以及连接它们的布线（导体）在基板内部或表面形成电感结构，是本领域的公知常识和常规技术手段。因此，对比文件隐含公开了穿基板通孔可以通过基板表面的导体耦合形成电感器。 |
| **技术特征F**：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷《未公开》 | 说明书第[0095]段：“埋置槽101用来埋置MMIC 芯片”。图1m显示芯片29通过导电胶30粘接在埋置槽101内。 | 对比文件公开的“第一凹陷”（埋置槽101）内容纳的是“MMIC芯片29”，它是一种有源芯片，并非目标专利权利要求中定义的“第一互连”（如焊球、金属柱等用于与外部电路板连接的互连结构）。目标专利的互连（如焊球212）是用于封装外部电气和机械连接的部件，作用与对比文件中的芯片完全不同。因此，对比文件没有公开在第一凹陷内容纳并耦合第一互连的技术特征。 |
| **技术特征G**：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一。《未公开》 | 说明书第[0100]-[0105]段描述了在基板表面制备包含布线层19、层间互连线20的结构。 | 对比文件公开了在基板表面形成多层布线层（如19，43），其作用是实现TSV、芯片、无源器件及表面焊盘/焊球之间的互连，这在一定程度上起到了电路重分布的作用。然而，由于技术特征F（第一凹陷内的第一互连）未被公开，因此不存在“重分布层将第一互连电耦合至第一穿基板通孔之一”的具体结构和配置关系。对比文件的布线层连接的是表面焊盘/焊球与TSV，但焊球并不位于凹陷内。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器。《未公开》 | 说明书第[0106]段：“所述无源器件暂选为电阻23、电感24、电容25、以及功分器26”。 | 对比文件虽然公开了封装中包含电容器（电容25）作为无源器件，但并未明确描述该电容器“毗邻所述基板的对向的第二表面”。根据对比文件的制作方法，无源器件（包括电容）是在布线层中形成的（参见步骤S8，S10），而布线层形成于基板双面的介质层之上，并非特指“毗邻”基板第二表面。同时，也未明确记载有专门从凹陷延伸至第二表面的“第二穿基板通孔”电耦合至该电容器。目标专利中“第二穿基板通孔”是比“第一穿基板通孔”短的特殊结构，用于减少寄生参数，对比文件未公开此区别特征。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔。《隐含公开》 | 基于对技术特征E的分析。说明书第[0045]段提及无源器件包括电感。 | 如前所述，对比文件隐含公开了可通过TSV和导体形成电感器。本领域技术人员可以理解，要形成具有一定电感值的嵌入式电感器，通常需要至少两个通孔（形成电流环路的一部分）。因此，在对比文件公开了包含电感的无源器件以及TSV互连结构的基础上，可以合理推断该电感器结构可能涉及至少两个穿硅通孔（TSV）。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器。《未公开》 | 说明书及附图未明确描述或示出存在多个由TSV对形成的、独立的嵌入式电感器结构。 | 对比文件仅一般性地提到了无源器件包括电感，但并未明确公开或暗示存在“多个”如目标专利中所述的由穿基板通孔对通过第二表面导体耦合形成的特定嵌入式电感器结构。虽然一个封装中可能集成多个无源器件，但该权利要求特征限定了“嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器”，对比文件未提供足够支持该具体限定的内容。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球。《未公开》 | 说明书第[0092]段：“提供一高阻双抛硅晶圆10”。说明书第[0105]段提及“焊球21”。 | 对比文件明确公开的基板材料是“硅晶圆”，属于半导体基板，而非“玻璃基板”。虽然对比文件公开了“焊球”作为互连结构，但由于技术特征F（第一互连在凹陷内）未被公开，且基板材料不同，因此该组合技术特征（玻璃基板+凹陷内焊球）未被公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱。《未公开》 | 说明书第[0092]段：“提供一高阻双抛硅晶圆10”（半导体基板）。说明书第[0098]段：“形成高于所述硅晶圆10表面的铜柱15”（该铜柱是TSV内的填充物，并非用于外部连接的互连）。 | 对比文件公开了基板为半导体基板（硅晶圆）。然而，对比文件中的“第一互连”（如果指外部连接）是焊球（21，46），并非“金属柱”。虽然对比文件在TSV中形成了“铜柱”，但该铜柱是TSV内部的导电柱，是垂直互连结构的一部分，其功能和作用与目标专利中作为外部互连的“金属柱”（如金属桩、金属柱）不同。因此，该组合技术特征（半导体基板+金属柱作为第一互连）未被公开。 |
| **技术特征M**：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。《未公开》 | 对比文件未提及有机基板。 | 对比文件使用的基板是硅晶圆（半导体基板），未公开使用“有机基板”。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。《未公开》 | 同上（技术特征M）。 | 同上。该特征未被公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷《未公开》 | 对比文件图示（如1m）中可能示出多个“埋置槽”，但其用途均为埋置芯片。 | 对比文件的“埋置槽”（凹陷）的用途是容纳有源芯片（如MMIC）。目标专利中的“第二凹陷”是用于容纳“仅具有机械功能的焊球”。虽然对比文件可能公开了多个凹陷（埋置槽），但其功能（容纳芯片以实现电气功能）与目标专利中“第二凹陷”的特定功能（容纳仅具机械紧固功能的互连）不同。因此，对比文件未公开具有目标专利所述特定功能和用途的“第二凹陷”。 |
| **技术特征P**：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球。《未公开》 | 对比文件未公开此类结构和功能。 | 对比文件未公开任何仅具有机械紧固功能、且被容纳在凹陷内的焊球。其焊球（21，46）均用于电气连接（如表贴元器件或倒装芯片）。因此，该特征未被公开。 |
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