对比文件名称：2009-10-01_JP2009224567A_发明专利_JP2009224567A Structure, printed circuit board
目标专利名称：203具有无源器件的低剖型封装CN106030782B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板** <br>《直接公开》 | 对比文件说明书第[2]段：“構造５ａは、金属プレーン３と、金属プレーン３上に設けられた**誘電体層１**と、誘電体層１上に設けられた金属パッチ２と...” | 对比文件明确公开了“誘電体層１”（介电层1），其作为金属平面3和金属贴片2的支撑结构，即构成了基板。该基板在对比文件中起到支撑和隔离导电层的作用，这与目标专利中基板作为支撑无源器件和互连的载体的作用是相同的。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B：在所述基板的第一表面中的第一凹陷** <br>《未公开》 | 对比文件说明书第[2]段：“金属パッチ２には、**切り欠き部として設けられ**、内部にパッチ側連結配線１１が設置されたパッチ側クリアランス１０が設けられ...金属プレーン３には、**切り欠き部として設けられ**、内部にプレーン側連結配線１２が設置されたプレーン側クリアランス１３が形成され...” | 对比文件公开了在金属贴片2和金属平面3上设有“切り欠き部”（切口/间隙），即“パッチ側クリアランス10”和“プレーン側クリアランス13”。然而，这些“切り欠き部”是设置在导电层（金属贴片、金属平面）上的，其作用是容纳连接配线以实现更长的电连接路径，从而增加电感。这与目标专利中在**基板本体**的第一表面（面向电路板的表面）上形成的、用于容纳互连（如焊球）以降低封装高度的“凹陷”在结构位置和功能上均不相同。目标专利的凹陷是基板材料中的盲孔，而对比文件中的切口是导电层图案中的开口。因此，技术特征B未被公开。 |
| **技术特征C：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分** <br>《直接公开》 | 对比文件说明书第[2]段：“...金属パッチ２及び金属プレーン３とを電気的に接続する**第１ビア４ａ、第２ビア４ｂ、及び第三３ビア４ｃ**と、を備え...” 以及图3的截面图显示了通孔（ビア）贯穿介电层1。 | 对比文件明确公开了多个“ビア”（via，通孔），例如第1通孔4a、第2通孔4b、第3通孔4c。这些通孔用于电连接不同层，并且从附图（如图3）可以明确看出它们延伸穿过作为基板的介电层1。这些通孔对应于目标专利中“延伸穿过所述基板的非凹陷部分”的第一穿基板通孔。它们在对比文件中用于形成电气连接路径，与目标专利中用于形成电气连接和电感器的穿基板通孔作用类似。因此，技术特征C被直接公开。 |
| **技术特征D：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端** <br>《未公开》 | 对比文件说明书第[2]段：“...金属プレーン３と第１ビア４ａの一端が接続され、第１ビア４ａの他端がパッチ側連結配線１１の一端に接続され...第３ビア４ｃの他端が金属パッチ２に接続される...” | 该技术特征限定了穿基板通孔的端部位置在“毗邻所述第一凹陷的区域中”。如特征B所述，对比文件并未公开基板第一表面中的“凹陷”。因此，通孔的端部不可能位于“毗邻凹陷的区域”。对比文件中通孔的端部连接至金属层（如金属贴片2）或连接配线（11,12），但未描述其与基板表面凹陷的毗邻关系。因此，技术特征D未被公开。 |
| **技术特征E：其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器** <br>《隐含公开》 | 对比文件说明书第[2]段：“...单位接続体９が形成されている。”；以及第[2]段：“構造５ａでは、金属パッチ２と金属プレーン３間の電気的な接続経路を、金属プレーン３、第１ビア４ａ、パッチ側連結配線１１、第２ビア４ｂ、プレーン側連結配線１２、第３ビア４ｃ、及び金属パッチ２の順とすることで、单位接続体９における接続経路を長く取ることができるようになる。このため、層数を増やすことなくインダクタンス成分を増加させることが可能となる。” | 对比文件明确描述了由通孔（4a, 4b, 4c）和连接配线（11,12）构成的“单位接続体9”（单位连接体9），其目的是通过延长连接路径来增加“インダクタンス成分”（电感成分）。结合说明书中关于EBG结构工作原理的描述（第[2]段），该电感成分与贴片间电容成分共同作用形成带隙。虽然对比文件未明确使用“嵌入式电感器”一词，但本领域技术人员可以毫无疑义地理解，由穿过基板（介电层1）的通孔和设置在基板第二表面（即金属平面3所在表面）上的导体（“プレーン側連結配線12”位于金属平面3的切口13内，可视为基板第二表面上的导体）相互连接形成的结构，其核心功能之一就是提供电感，这实质上公开了一个嵌入式电感结构。该结构在对比文件中用于提供滤波所需的电感，与目标专利中通孔通过导体耦合形成嵌入式电感器的作用相同。因此，技术特征E被隐含公开。 |
| **技术特征F：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷** <br>《未公开》 | 对比文件全文未提及类似焊球、金属柱等用于将封装连接到外部电路板的“互连”结构被容纳在凹陷或切口中。 | 目标专利的“第一互连”（如焊球）是用于将封装电连接或机械连接到外部电路板的外部连接件，并被容纳在基板的凹陷内。对比文件中描述的结构（如金属贴片2、通孔、连接配线）都是封装或基板内部的互连结构，用于内部电气连接和形成无源器件（如电感），并未公开任何用于外部连接的、类似焊球的“互连”结构，更没有该结构被“包括在凹陷内”的描述。因此，技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一** <br>《未公开》 | 对比文件说明书第[2]段：“...金属パッチ２には、切り欠き部として設けられ、内部にパッチ側連結配線１１が設置されたパッチ側クリアランス１０が設けられ...” | 目标专利的“重分布层”是位于基板第一表面上的布线层，其特定功能是将外部互连（焊球）电耦合至特定的穿基板通孔。对比文件在基板第一表面（即金属贴片2所在表面）设置有“パッチ側連結配線11”（贴片侧连接配线11），该配线设置在金属贴片2的切口内，并用于连接不同的通孔（如4a和4b），以实现更长的内部连接路径。虽然这也是一种表面布线，但其作用和配置与目标专利的“重分布层”不同：它并非用于将外部互连耦合到穿基板通孔，而是用于内部通孔之间的互连以构建电感路径。因此，技术特征G未被公开。 |
| **技术特征H：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器** <br>《未公开》 | 对比文件说明书第[2]段提到了“キャパシタンス成分”（电容成分），例如：“隣接する金属パッチ２ａ，２ｂ（又は金属パッチ２ａ，２ｃ）の間に生じるキャパシタンス成分Ｃ”。 | 对比文件确实提及了电容成分（C），但这是由相邻金属贴片之间的寄生效应形成的分布电容，并非一个独立的、毗邻基板第二表面设置的、类似于目标专利中图2的“电容器207”那样的集成电容器元件。目标专利的“电容器”是一个明确的有源/无源器件，通过第二穿基板通孔电耦合。对比文件未公开这样的独立电容器结构，也未公开专门用于耦合电容器的“第二穿基板通孔”。因此，技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔** <br>《隐含公开》 | 对比文件说明书第[2]段：“...单位接続体９が形成されている。”，该单位连接体包含第1通孔4a、第2通孔4b和第3通孔4c。 | 由特征E的论述可知，对比文件的“单位接続体9”构成了一个提供电感成分的结构。该结构明确包含了至少两个（实际上是三个）穿基板通孔（4a, 4b, 4c）。本领域技术人员可以理解，要形成能够提供显著电感值的连接路径，至少需要两个通孔来构成电流回路的一部分。因此，对比文件隐含公开了电感结构包括至少两个穿基板通孔的技术方案。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器** <br>《直接公开》 | 对比文件说明书第[2]段：“構造５ａにおいては、金属パッチ２が**複数**設けられ、金属パッチ２ごとに**单位接続体９**が形成されている。” | 对比文件明确公开了金属贴片2设置有多个，并且每个金属贴片2都形成一个“单位接続体9”。如前所述，每个“单位接続体9”实质上是一个嵌入式电感结构。因此，多个金属贴片和对应的单位连接体构成了多个嵌入式电感器。这直接公开了技术特征J。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球** <br>《未公开》 | 对比文件未明确记载基板材料为玻璃，也未记载第一互连为焊球。 | 技术特征K是特征A和F的进一步限定，要求基板材料为玻璃，且互连为焊球。对比文件仅公开了“誘電体層”（介电层），并未限定其具体材料为玻璃。同时，如特征F所述，对比文件未公开“第一互连”结构，更未公开其为“焊球”。因此，技术特征K未被公开。 |
| **技术特征L：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱** <br>《未公开》 | 对比文件未明确记载基板材料为半导体，也未记载第一互连为金属柱。 | 技术特征L是特征A和F的进一步限定，要求基板材料为半导体，且互连为金属柱。对比文件仅公开了“誘電体層”（介电层），并未限定其具体材料为半导体。同时，如特征F所述，对比文件未公开“第一互连”结构，更未公开其为“金属柱”。因此，技术特征L未被公开。 |
| **技术特征M：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球** <br>《未公开》 | 对比文件未明确记载基板材料为有机基板，也未记载第一互连为焊球。 | 技术特征M是特征A和F的进一步限定，要求基板材料为有机基板，且互连为焊球。对比文件仅公开了“誘電体層”（介电层），并未限定其具体材料为有机基板。同时，如特征F所述，对比文件未公开“第一互连”结构，更未公开其为“焊球”。因此，技术特征M未被公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球** <br>《未公开》 | 同特征M。 | 技术特征N与特征M内容重复。基于同样理由，未被公开。 |
| **技术特征O：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷** <br>《未公开》 | 同特征B。对比文件未公开在基板第一表面中形成的凹陷。 | 如特征B所述，对比文件未公开基板第一表面中的凹陷结构。因此，更不可能公开“第二凹陷”。技术特征O未被公开。 |
| **技术特征P：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球** <br>《未公开》 | 对比文件全文未提及仅具有机械紧固功能的焊球。 | 该技术特征限定了仅用于机械紧固的第二互连（焊球）及其设置方式。对比文件中完全没有涉及将封装机械紧固到电路板的焊球结构，更未提及此类焊球被设置在凹陷内且仅具有机械功能。因此，技术特征P未被公开。 |
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