对比文件名称：2011-08-04_US2011186992A_发明申请_US20110186992A1 RECESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATES AND ASSOCIATED TECHNIQUES
目标专利名称：具有无源器件的低剖型封装CN106030782B
本次调用模型名称：DeepSeek-R1
根据对目标专利说明书和权利要求，以及对比文件说明书的详细分析，现创建特征比对表格如下：
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板** <br> **《直接公开》** | 第[0020]段：The package assembly includes a semiconductor substrate 102, which is a substrate or interposer that substantially comprises a semiconductor material such as, for example, silicon (Si). | 对比文件明确公开了“半导体基板（semiconductor substrate）102”，其构成封装组件的一部分。该基板在对比文件中作为承载通孔、重分布层和芯片的载体，与目标专利中作为封装结构主体的“基板”作用相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了技术特征A。 |
| **技术特征B：在所述基板的第一表面中的第一凹陷** <br> **《未公开》** | 无直接引用。对比文件主要描述了在基板的第二表面（A2）进行减薄（recessing），例如第[0058]段：Referring to FIG. 7G, the package assembly 700 is depicted subsequent to the second surface A2 of the semiconductor substrate 102 being recessed... 以及第[0075]段：Referring to FIG. 9E, the package assembly 900 is depicted subsequent to the second surface A2 of the semiconductor substrate 102 being recessed. | 对比文件的核心在于通过减薄（recessing）基板的第二表面（A2）来方便通孔的形成和减小封装尺寸。该“凹陷（recessed surface）”是全局性的表面减薄，而非在基板第一表面（A1）上形成的局部容纳互连的“凹陷（recess或cavity）”。目标专利的“第一凹陷”用于容纳互连（如焊球）以降低封装高度，其作用与对比文件中为减薄基板而进行的“recessing”作用完全不同。因此，对比文件既未直接公开，也未隐含公开在基板第一表面形成用于容纳互连的局部凹陷这一技术特征。 |
| **技术特征C：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分** <br> **《未公开》** | 第[0024]段：According to various embodiments, one or more vias 104 are formed through the semiconductor substrate 102. The one or more vias provide an electrical pathway between the first surface A1 and the second surface A2 of the semiconductor substrate 102. | 对比文件公开了穿过基板102的通孔（vias）104。然而，根据目标专利说明书（例如[0027]段），其“第一穿基板通孔”明确延伸穿过基板的“非凹陷部分”，以区别于从凹陷延伸的“第二穿基板通孔”。对比文件的通孔104形成于减薄后的基板中，其长度与减薄后的基板厚度相关，但并未限定或区分通孔是否穿过“非凹陷部分”。对比文件的通孔可能形成于整个减薄后的表面（即“凹陷”区域），这与目标专利中特意区分的“第一穿基板通孔”结构不同。因此，对比文件未公开技术特征C中“延伸穿过所述基板的非凹陷部分”这一限定。 |
| **技术特征D：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端** <br> **《未公开》** | 无对应引用。通孔104在第一表面A1的端点位置未被具体描述为“毗邻凹陷”。 | 该特征依赖于“第一凹陷”的存在。由于对比文件未公开在基板第一表面（A1）上的局部“第一凹陷”（见特征B），因此也就不存在通孔在第一表面“毗邻第一凹陷的区域中具有第一端”这一相对位置关系。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征E：，其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器** <br> **《未公开》** | 无对应引用。对比文件未提及利用通孔和表面导体形成电感器。 | 目标专利的核心发明点之一在于利用穿基板通孔对和第二表面上的导体形成嵌入式电感器（见[0005], [0007], [0011], [0025]段）。对比文件中的通孔104仅用于提供芯片与封装外部之间的电信号通路（例如第[0024]段：provide an electrical pathway），其第二表面上的重分布层106主要用于信号路由和连接外部互连（如焊球114），并未记载或暗示任何通孔之间通过表面导体耦合以形成电感器这样的无源器件。两者的作用完全不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征F：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷** <br> **《未公开》** | 第[0034]段：One or more package interconnect structures 114 such as, for example, one or more solder balls or posts are formed on the one or more redistribution layers 106... | 对比文件公开了封装互连结构（package interconnect structures）114，例如焊球。然而，这些互连结构是“形成在（formed on）”重分布层106上（例如图1, 2, 5等），而非“被包括在（be included in）凹陷内”。目标专利的互连是容纳在基板第一表面的凹陷中，这是降低封装高度的关键（见[0008], [0011], [0025]段）。对比文件未公开将互连置于基板表面的凹陷内的结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征G：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一。** <br> **《未公开》** | 第[0026]段：One or more redistribution layers 106 are formed on the semiconductor substrate 102 to route the electrical signals of the one or more dies that are coupled to the semiconductor substrate 102. For example, the one or more redistribution layers 106 can provide electrical routing between the one or more dies 108 and the one or more vias 104. | 对比文件确实公开了在基板（第一）表面A1上形成重分布层106，用于在芯片108和通孔104之间进行电信号路由。然而，技术特征G是一个组合特征，其前提是存在“被包括在第一凹陷内的第一互连”以及“第一穿基板通孔”。如前所述，对比文件既未公开容纳在凹陷内的互连（特征F），也未公开目标专利所限定的“第一穿基板通孔”（特征C）。因此，对比文件中重分布层106所连接的对象（芯片凸块和常规通孔）与目标专利中重分布层所连接的对象（凹陷内互连和特定穿基板通孔）在结构上存在本质差异。尽管重分布层本身的功能（电连接）类似，但具体的连接架构未被公开。 |
| **技术特征H：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器。** <br> **《未公开》** | 无对应引用。对比文件未提及在基板第二表面集成电容器。 | 目标专利明确记载了在基板第二表面集成电容器（如MIM电容器）并通过更短的第二穿基板通孔耦合的技术方案（见[0027]段）。对比文件全文未提及任何集成在基板上的电容器，其第二表面的结构主要是重分布层和可能附加的芯片或互连。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔。** <br> **《未公开》** | 无对应引用。如特征E所述，对比文件未公开嵌入式电感器。 | 该特征是特征E的进一步限定。由于对比文件未公开由通孔对形成的嵌入式电感器，因此自然也未公开该电感器包含至少两个第一穿基板通孔。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器。** <br> **《未公开》** | 无对应引用。如特征E所述，对比文件未公开嵌入式电感器。 | 该特征是特征E的进一步限定。由于对比文件未公开嵌入式电感器，因此也未公开包含多个嵌入式电感器。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球。** <br> **《未公开》** | 第[0020]段：...semiconductor substrate 102, which is a substrate or interposer that substantially comprises a semiconductor material such as, for example, silicon (Si). | 对比文件明确其基板是半导体基板（如硅），而非玻璃基板。虽然其互连可以是焊球（solder balls），但基板材料这一关键限定未被公开。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征L：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱。** <br> **《隐含公开》** | 1. 基板：第[0020]段：...semiconductor substrate 102, which is a substrate or interposer that substantially comprises a semiconductor material such as, for example, silicon (Si). <br> 2. 互连：第[0034]段：One or more package interconnect structures 114 such as, for example, one or more solder balls or posts are formed on the one or more redistribution layers 106... | 对比文件直接公开了基板为半导体基板（如硅）。对于互连，对比文件列举了“焊球或柱（solder balls or posts）”。其中“posts”在本领域通常指金属柱（如铜柱）。虽然对比文件未明确“posts”为“金属柱”，但本领域技术人员结合上下文（封装互连结构）能够毫无疑义地理解其为导电的金属柱。因此，对比文件隐含公开了“基板包括半导体基板”和“互连包括金属柱”这两个技术要素。然而，需要指出的是，对比文件中的金属柱（posts）是形成在重分布层上，而非如目标专利所限定的“被包括在第一凹陷内”。尽管如此，仅就特征L的文字描述（不包含凹陷的限定）而言，其技术要素已被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征M：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。** <br> **《未公开》** | 无对应引用。对比文件基板为半导体材料。 | 对比文件未提及有机基板。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。** <br> **《未公开》** | 同特征M。 | 同特征M。 |
| **技术特征O：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷** <br> **《未公开》** | 无对应引用。如特征B所述，对比文件未公开在基板第一表面形成局部凹陷。 | 由于对比文件未公开在基板第一表面形成用于容纳互连的局部凹陷，因此也谈不上公开“第二凹陷”。该特征未被公开。 |
| **技术特征P：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球。** <br> **《未公开》** | 无对应引用。对比文件未公开仅具机械功能的、置于凹陷内的互连。 | 该特征涉及一个特殊的、仅用于机械紧固的焊球，且位于第二凹陷内。对比文件既未公开凹陷内容纳互连的结构，也未区分互连的电气功能和纯机械功能。因此，该技术特征未被公开。 |
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