**对比文件名称**：2011-08-31_CN102169842A_发明公开_CN102169842A 用于凹陷的半导体基底的技术和配置
**目标专利名称**：具有无源器件的低剖型封装 CN106030782B
**本次调用模型名称**：DeepSeek-R1
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (段落标号或位置) | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板 <br> **判断结果**：直接公开 | [0018] “封装组件100一般地包括半导体基底102，该半导体基底102是基底或插入物，其实质上包括半导体材料，诸如硅(Si)。也即，半导体基底102的主要材料是半导体材料。” | 对比文件明确公开了其装置包括半导体基底102（参见[0018]），该基底即是目标专利权利要求中的“基板”。本领域技术人员可直接、毫无疑义地确定其公开了“基板”这一结构特征。 |
| **技术特征B**：在所述基板的第一表面中的第一凹陷 <br> **判断结果**：未公开 | [0020] “根据各种实施方式，第二表面A2的一部分是凹陷的，以提供厚度T，该厚度T便于通过半导体基底102而形成一个或者多个沟道104。” <br> [0032] “形成为通过半导体基底的第二表面的一个或多个沟道”。 | 目标专利的“第一凹陷”形成于基板的第一表面（面向电路板侧），用于容纳互连以降低剖面高度。对比文件中，基板的第二表面（A2）被整体减薄（凹陷），其目的是为了便于形成贯穿基板的“沟道”（即通孔）[0020, 0032]。这种对整个第二表面的减薄处理，与目标专利中在基板第一表面上形成的、用于局部容纳互连的“凹陷”在结构、位置和作用上均不同。对比文件未公开在基板第一表面上的局部凹陷。 |
| **技术特征C**：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分 <br> **判断结果**：直接公开 | [0032] “形成为通过半导体基底的第二表面的一个或多个沟道”。 <br> [0032] “一个或多个沟道104一般地提供半导体基底102的第一表面A1与第二表面A2之间的电通路和/或热通路。在半导体基底包括硅的实施方式中，一个或多个沟道104是一个或多个硅贯通孔(through-silicon via，简写为TSV)。” | 对比文件公开了“一个或多个沟道104”，并明确其为“硅贯通孔(TSV)”，提供了第一表面A1与第二表面A2之间的通路[0032]。这些TSV在形成时贯穿的是经过整体减薄（凹陷）后的基板。虽然基板整体厚度因第二表面减薄而变薄，但TSV延伸穿过的仍然是基板的实体部分（即“非凹陷部分”，因为“凹陷”是针对整个第二表面而言，而非TSV穿过的局部区域）。因此，对比文件直接公开了“延伸穿过基板的多个通孔”这一技术特征。 |
| **技术特征D**：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端 <br> **判断结果**：未公开 | [0032] “一个或多个沟道104一般地提供半导体基底102的第一表面A1与第二表面A2之间的电通路和/或热通路。” | 该技术特征限定了穿基板通孔在第一表面的端部位于“毗邻所述第一凹陷的区域中”。目标专利中，“第一凹陷”是用于容纳互连的盲孔。对比文件未在基板第一表面上公开任何用于容纳互连的“第一凹陷”（见特征B论述），因此也就不可能公开穿基板通孔的端部与这种“第一凹陷”之间的“毗邻”位置关系。 |
| **技术特征E**：其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器 <br> **判断结果**：未公开 | 未找到相关内容。 | 该技术特征的核心在于利用基板第二表面上的导体将两个穿基板通孔连接起来，从而在基板内部形成一个三维的“嵌入式电感器”。对比文件全文（包括说明书和附图）均未提及或暗示将两个通孔通过基板表面上的导体连接以形成电感器。对比文件中的通孔（沟道104）用于将再分布层106的电信号路由至封装互连结构114[0023-0024]，或提供热通路[0032]，其功能是垂直互连，而非构成无源电感器件。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出这一技术特征。 |
| **技术特征F**：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷 <br> **判断结果**：隐含公开 | [0032] “一个或多个封装互连结构114，诸如一个或多个焊球或杆，布置在一个或多个沟道104中，以进一步路由一个或多个裸片108的电信号。” <br> [0034] “一个或多个封装互连结构114一般地包括导电材料，诸如金属。一个或多个封装互连结构114可以形成为各种各样的形状(包括球面、平面或者多边形形状)”。 | 对比文件公开了“封装互连结构114”（如焊球）被布置在“沟道104”中[0032]。目标专利的“第一互连”（如焊球）被包括在“第一凹陷”内。虽然“沟道”与“凹陷”在结构和目的上不完全相同（沟道为通孔，凹陷为盲孔），但就“在基板中形成的凹槽内容纳互连结构”这一基本构思而言，对比文件已经公开了互连结构被容纳在基板的凹槽（沟道）内。本领域技术人员可以从“布置在沟道中”这一描述，合理推断出该互连结构与容纳它的沟道之间存在物理接触和耦合关系（例如通过UBM结构116或直接接触再分布层106[0045-0046]），以实现电连接。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征G**：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一。 <br> **判断结果**：直接公开 | [0023] “一个或多个再分布层106形成在电介质膜105上，以路由一个或多个裸片108的电信号...一个或多个再分布层106可以提供一个或多个裸片108与布置在一个或多个沟道104中的一个或多个封装互连结构114之间的电路由。” <br> [0046] “一个或多个封装互连结构114电耦合到一个或多个再分布层106以路由一个或多个裸片108的电信号。” | 对比文件明确公开了在基板第一表面A1上形成的“再分布层106”[0023]，并且其作用是将裸片108的电信号路由至封装互连结构114（即“第一互连”）[0023]。同时，封装互连结构114布置在沟道104（即“穿基板通孔”）中，并通过沟道底部的再分布层106实现电连接[0046]。因此，对比文件直接公开了“在基板第一表面上的重分布层，被配置成将第一互连电耦合至多个穿基板通孔之一”这一技术方案。虽然耦合路径的目的（目标专利用于连接电感器，对比文件用于连接裸片）不同，但“重分布层将互连电耦合至通孔”这一结构连接关系已被直接公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器。 <br> **判断结果**：未公开 | 未找到相关内容。 | 对比文件全文未提及在基板第二表面（A2）上集成或毗邻设置电容器，也未提及有任何“第二穿基板通孔”专门用于电耦合至电容器。因此，该附加技术特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔。 <br> **判断结果**：未公开 | 未找到相关内容。 | 该特征是对特征E中“嵌入式电感器”的进一步限定，要求该电感器由至少两个穿基板通孔构成。由于特征E（形成嵌入式电感器）本身未被对比文件公开，因此该进一步限定的特征自然也未被公开。对比文件中的通孔（沟道104）是独立用于信号或热通路，并未被公开通过表面导体连接成对以构成电感器。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器。 <br> **判断结果**：未公开 | 未找到相关内容。 | 同特征I，该特征是对特征E的进一步限定。由于特征E未被公开，该限定特征也未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球。 <br> **判断结果**：未公开 | [0018] “半导体基底102，该半导体基底102是基底或插入物，其实质上包括半导体材料，诸如硅(Si)。” <br> [0034] “一个或多个封装互连结构114，诸如一个或多个焊球或杆”。 | 对比文件明确限定其基底为“半导体基底”，主要材料是“硅”等半导体材料[0018]，这与目标专利中“玻璃基板”的限定不同。虽然对比文件公开了互连结构可以是“焊球”[0034]，但基板材料的限定与之共同构成一个完整的技术方案。由于基板材料（半导体 vs 玻璃）不同，该技术方案未被公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱。 <br> **判断结果**：隐含公开 | [0018] “半导体基底102，该半导体基底102是基底或插入物，其实质上包括半导体材料，诸如硅(Si)。” <br> [0034] “一个或多个封装互连结构114，诸如一个或多个焊球或杆...可以形成为各种各样的形状(包括球面、平面或者多边形形状)”。 | 对比文件直接公开了基板为“半导体基底”（如硅）[0018]。对于互连，对比文件列举了“焊球或杆”[0034]。“杆”通常具有柱状形态，本领域技术人员可以理解，“金属柱”是“杆”的一种具体且常见的实现形式。因此，可以合理推断对比文件隐含公开了互连包括“金属柱”这一技术特征。 |
| **技术特征M**：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。 <br> **判断结果**：未公开 | [0018] “半导体基底102...实质上包括半导体材料...”。 <br> [0005] “层压基底技术不能在基底上产生足够小的特征...”。 | 对比文件明确其基底为半导体材料[0018]，并且在背景技术中提及并排除了“层压（例如有机）基底”[0005]。因此，对比文件不仅未公开“有机基板”，反而教导了其技术方案旨在克服有机基板的局限，暗示了不使用有机基板。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。 <br> **判断结果**：未公开 | 同特征M。 | 此特征与特征M重复，判断结果相同：未公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷 <br> **判断结果**：未公开 | [0032] “形成为通过半导体基底的第二表面的一个或多个沟道”。 | 该特征是对“第一凹陷”的补充，要求在基板第一表面还有“第二凹陷”。如特征B所述，对比文件未在基板第一表面上公开任何用于容纳互连的局部凹陷（其“凹陷”指整个第二表面的减薄）。因此，“第二凹陷”也未被公开。 |
| **技术特征P**：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球。 <br> **判断结果**：未公开 | [0032] “一个或多个封装互连结构114...布置在一个或多个沟道104中，以进一步路由一个或多个裸片108的电信号。” | 该特征限定了“第二互连”是仅具有机械紧固功能、不具电功能的焊球。对比文件中，所有布置在沟道104中的“封装互连结构114”均被描述为用于“路由电信号”[0032]，即具有电功能。没有公开任何仅用于机械紧固的非电功能性互连。因此，该技术特征未被公开。 |
### **结论与代码输出**
根据以上比对分析：
- **直接公开**的技术特征有：A, C, G。
- **隐含公开**的技术特征有：F, L。
- **其余技术特征（B, D, E, H, I, J, K, M, N, O, P）均未被对比文件直接或隐含公开。**
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